江蘇J型場效應(yīng)管作用

來源: 發(fā)布時間:2023-08-03

柵極電壓(UGs)對漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時,漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時,UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq;當(dāng)UGs=0時,ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時,反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線,也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見,它分為三個區(qū):飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時,應(yīng)工作在飽和區(qū)(這一點與前面講的普通三極管不同)。注意,此處的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 在振蕩器中,場效應(yīng)管可以用于產(chǎn)生高頻信號。在電壓控制器中,F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化。江蘇J型場效應(yīng)管作用

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用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對調(diào)表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置,這就確定了兩個柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。 江蘇J型場效應(yīng)管作用場效應(yīng)管的用途包括放大器、開關(guān)、振蕩器、電壓控制器等。

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MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(較高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,當(dāng)VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。

場效應(yīng)管使用時應(yīng)注意:(1)器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝。(2)取出的器件不能在塑料板上滑動,應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。(3)焊接用的電烙鐵必須良好接地。(4)在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。(5)器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時順序相反。(6)電路板在裝機(jī)之前,要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子,再把電路板接上去。(7)場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下,比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 場效應(yīng)管(簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,其原理是利用半導(dǎo)體材料中的電場控制電流的流動。

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場效應(yīng)管MOSFET運用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動;其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因為沒有電荷存儲效應(yīng);另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。廣東非絕緣型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID。江蘇J型場效應(yīng)管作用

場效應(yīng)管的檢測方法:(1)判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。(2)判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。(3)測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。 江蘇J型場效應(yīng)管作用

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