深圳場效應(yīng)管價(jià)錢

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-23

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場效應(yīng)管,封裝形式為SOT-23,深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管,三極管,二極管,可控硅,LDO等。質(zhì)量可靠,且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS,ESD可達(dá)2000V,其電壓BVDSS是大于60V,電流ID可達(dá)300mA,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆,開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS,標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K,也可以支持ODM定制,交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦主板,鍵盤鼠標(biāo)等。盟科MK3404參數(shù)是可以替代AO3404的。深圳場效應(yīng)管價(jià)錢

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場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個(gè)電極:D(Drain)稱為漏極,相當(dāng)雙極型三極管的集電極;G(Gate)稱為柵極,相當(dāng)于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造,它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極,一個(gè)是漏極D,一個(gè)是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),用符號B表示。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí),漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓,不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí),若0<Vgs<Vgs(th)時(shí)(VGS(th)稱為開啟電壓),經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。東莞低壓場效應(yīng)管怎么樣盟科電子MOS管可以用作可變電阻。

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場效應(yīng)管測試儀儀器主要用以功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性:是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì),是交流安全通用測試儀器,合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示,測試時(shí)間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調(diào)和細(xì)調(diào)旋鈕調(diào)節(jié)。漏電流超差時(shí)自動切斷測試電壓,并發(fā)出聲光報(bào)警信號。有外控端子。臣式機(jī)箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術(shù)參數(shù):測試電壓:AC0~5KV。測試電壓誤差:低于3%。測試電壓波形:50Hz市電正弦波。輸出容量:500VA(DF2670),500VA/750VA(DF2670A)。漏電流范圍:2mA~20mA共六檔(DF2670)~2mA/~20mA(DF2670A)。漏電流測試誤差:低于3%。測試時(shí)間:1~99秒。時(shí)間誤差:低于1%。一:場效應(yīng)管的主要參數(shù)(1)直流參數(shù)飽和漏極電流IDSS它可概念為:當(dāng)柵、源極之間的電壓相等零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對應(yīng)的漏極電流。夾斷電壓UP它可概念為:當(dāng)UDS一定時(shí),使ID減少到一個(gè)細(xì)微的電流時(shí)所需的UGS打開電壓UT它可概念為:當(dāng)UDS一定時(shí),使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。

MOS場效應(yīng)管的測試方式(1).打算工作測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接,使人體與大地維持等電位。再把管腳分離,然后拆掉導(dǎo)線。(2).判斷電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大,驗(yàn)證此腳就是柵極G。交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據(jù)此很容易確定S極。(3).檢驗(yàn)放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用指頭觸摸G極,表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)別之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管,平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在采用時(shí)應(yīng)留意分類,不能隨心所欲交換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,用到時(shí)應(yīng)留意以下準(zhǔn)則:(1).MOS器件出廠時(shí)一般而言裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨意拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳聯(lián)接在一起,或用錫紙包裝。252封裝MOS管選擇深圳盟科電子。

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盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢,選型上電壓從20V-100V,電流從2A-50A等。用于消費(fèi)類市場,如MK2301MK2302MK3400MK3401這些為耐壓20V30V的MOS管,成本低,用作開關(guān),調(diào)檔。小風(fēng)扇,電動玩具,按摩器,安防市場等。外觀選型上,小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L,大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進(jìn)口芯片,十幾年的封裝經(jīng)驗(yàn)使得我們的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng),讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代,SI威世,LRC樂山無線電,長晶科技等,歡迎客戶索要樣品測試,我們將竭誠為您服務(wù)。盟科有TO封裝形式的場效應(yīng)管。東莞雙N場效應(yīng)管

中壓壓mos管盟科電子做得很不錯(cuò)。深圳場效應(yīng)管價(jià)錢

場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn):具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。深圳場效應(yīng)管價(jià)錢

深圳市盟科電子科技有限公司是一家一般經(jīng)營項(xiàng)目是:二極管、三極管、電子元器件的技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)、加工與銷售;國內(nèi)貿(mào)易、貨物及技術(shù)進(jìn)出口 主營:場效應(yīng)管 ,三極管 ,二極管 ,穩(wěn)壓電路 ,LDO低壓差穩(wěn)壓 ,快恢復(fù) ,肖特基 ,可控硅晶閘管 ,電源IC ,OEM定制。 的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)。盟科電子作為電子元器件的企業(yè)之一,為客戶提供良好的MOSFETs,場效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器。盟科電子始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動團(tuán)隊(duì)取得成功。盟科電子創(chuàng)始人張炳錫,始終關(guān)注客戶,創(chuàng)新科技,竭誠為客戶提供良好的服務(wù)。