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異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高,拓展?jié)摿Υ?,工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰,契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備導(dǎo)入銅制程電池等多項(xiàng)技術(shù),降低非硅成本。上海單晶硅異質(zhì)結(jié)報(bào)價(jià)
HJT電池整線裝備,形成潔凈硅片表面,由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分,避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí),單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯,速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF);因此改變堿溶液的濃度及溫度,可以有效地改變AF,使得在不同方向上的速度不同,在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面;在制絨工序,絨面大小為主要指標(biāo),一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。浙江異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備釜川高效異質(zhì)結(jié)電池濕法制絨設(shè)備全線采用臭氧工藝,降低了運(yùn)營(yíng)材料成本。
光伏異質(zhì)結(jié)和PN結(jié)都是半導(dǎo)體器件中常見的結(jié)構(gòu),但它們的區(qū)別在于其形成的原因和應(yīng)用場(chǎng)景。PN結(jié)是由兩種不同摻雜的半導(dǎo)體材料(P型和N型)形成的結(jié)構(gòu)。在PN結(jié)中,P型半導(dǎo)體中的電子和N型半導(dǎo)體中的空穴會(huì)在結(jié)區(qū)域發(fā)生復(fù)合,形成一個(gè)空穴富集區(qū)和一個(gè)電子富集區(qū),從而形成一個(gè)電勢(shì)壘。PN結(jié)的主要應(yīng)用包括二極管、光電二極管等。光伏異質(zhì)結(jié)是由兩種不同材料的半導(dǎo)體形成的結(jié)構(gòu),其中一種材料的帶隙比另一種材料大。在光伏異質(zhì)結(jié)中,當(dāng)光子進(jìn)入結(jié)區(qū)域時(shí),會(huì)激發(fā)出電子和空穴,從而形成電子空穴對(duì)。由于材料的帶隙不同,電子和空穴會(huì)在結(jié)區(qū)域形成電勢(shì)壘,從而產(chǎn)生電壓和電流。光伏異質(zhì)結(jié)的主要應(yīng)用是太陽(yáng)能電池。因此,PN結(jié)和光伏異質(zhì)結(jié)的區(qū)別在于其形成的原因和應(yīng)用場(chǎng)景。PN結(jié)主要用于電子學(xué)器件,而光伏異質(zhì)結(jié)則主要用于光電器件。
高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備,HWCVD 1、熱絲化學(xué)氣相沉積(HotWireCVD,HWCVD)是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜,對(duì)襯底無損傷,且成膜質(zhì)量非常好,但鍍膜均勻性較差,且熱絲作為耗材,成本較高;2、HWCVD一般分為三個(gè)階段,一是反應(yīng)氣體在熱絲處的分解反應(yīng),二是基元向襯底運(yùn)輸過程中的氣相反應(yīng),第三是生長(zhǎng)薄膜的表面反應(yīng)。PECVD鍍膜均勻性較高,工藝窗口寬,對(duì)襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來成膜,對(duì)襯底無損傷,且成膜質(zhì)量好,但鍍膜均勻性較差且成本較高。異質(zhì)結(jié)電池提升了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能,并極大降低了生產(chǎn)成本。
異質(zhì)結(jié)電池所有制程的加工溫度均低于250,避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過程,而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制,也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。釜川(無錫)智能科技有限公司,以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品,打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì),憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì);以高效加工制造、快速終端交付的能力,為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。光伏異質(zhì)結(jié)是一種綠色能源技術(shù),生產(chǎn)過程中不產(chǎn)生污染物,符合可持續(xù)發(fā)展的要求。廣東國(guó)產(chǎn)異質(zhì)結(jié)電池
光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的廣泛應(yīng)用能夠推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展,促進(jìn)科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。上海單晶硅異質(zhì)結(jié)報(bào)價(jià)
光伏太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池整線裝備,產(chǎn)業(yè)機(jī)遇:方向清晰:HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來主流技術(shù)方向;時(shí)間明確:HJT平均量產(chǎn)效率已超過PERC瓶頸(25%),行業(yè)對(duì)HJT電池投入持續(xù)加大,電池商業(yè)化已逐漸成熟;機(jī)遇可期:設(shè)備與耗材是HJT規(guī)模化的關(guān)鍵,降本增效是不變的主題,具備HJT整線整合能力的供應(yīng)商優(yōu)勢(shì)明顯。當(dāng)前HJT生產(chǎn)成本約:硅片占比約50%,銀漿占比約25%,靶材約6%左右;當(dāng)前HJT設(shè)備成本約:清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷,設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。上海單晶硅異質(zhì)結(jié)報(bào)價(jià)