廣東HJT異質(zhì)結(jié)低銀

來源: 發(fā)布時間:2024-03-03

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250,避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫擴散制結(jié)的過程,而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制,也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高,拓展?jié)摿Υ螅に嚭唵尾⑶医当韭肪€清晰,契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。在全球范圍內(nèi),光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅基太陽能電池,成為主流的太陽能轉(zhuǎn)換技術(shù)。廣東HJT異質(zhì)結(jié)低銀

廣東HJT異質(zhì)結(jié)低銀,異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)電池工藝 1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層,并且在表面進行制絨,以形成絨面結(jié)構(gòu)達到陷光效果,減少反射損失;2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H,作為鈍化層,然后再沉積摻雜層;3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進行TCO薄膜沉積;4.柵線電極。通過絲網(wǎng)印刷進行柵線電極制作;5.烘烤(退火)。通過絲網(wǎng)印刷進行正面柵線電極制作,然后通過低溫?zé)Y(jié)形成良好的接觸;6.光注入。7.電池測試及分選。杭州單晶硅異質(zhì)結(jié)報價光伏異質(zhì)結(jié)是一種高效太陽能電池,具有高轉(zhuǎn)換效率和長壽命的優(yōu)點。

異質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫,是一種N型單晶雙面電池,具有工藝簡單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢。異質(zhì)結(jié)太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意,因為它們可以達到很高的轉(zhuǎn)換效率,可達26.3%,由隆基團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%,同時使用低溫度加工,通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓,同時保持高產(chǎn)量。

太陽能異質(zhì)結(jié)中的不同層協(xié)同工作是通過光電轉(zhuǎn)換的方式實現(xiàn)的。太陽能異質(zhì)結(jié)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成,兩種半導(dǎo)體之間形成了pn結(jié)。當太陽光照射到pn結(jié)上時,光子會被吸收并激發(fā)電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,形成電子空穴對。由于pn結(jié)兩側(cè)的電場方向相反,電子和空穴會被分離,形成電勢差,從而產(chǎn)生電流。不同層之間的協(xié)同工作是通過優(yōu)化各自的材料和結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的。例如,p型半導(dǎo)體通常采用硼摻雜的硅材料,n型半導(dǎo)體則采用磷或氮摻雜的硅材料。這樣可以使得p型半導(dǎo)體的電子井深度較淺,n型半導(dǎo)體的電子井深度較深,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。此外,太陽能電池的表面還會涂覆一層透明導(dǎo)電膜,以增加光的吸收和電子的收集效率??傊柲墚愘|(zhì)結(jié)中的不同層通過優(yōu)化材料和結(jié)構(gòu),協(xié)同工作實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,將太陽光能轉(zhuǎn)化為電能。這種協(xié)同工作的優(yōu)化可以提高太陽能電池的效率和穩(wěn)定性,從而推動太陽能技術(shù)的發(fā)展。異質(zhì)結(jié)電池是光伏行業(yè)的新興技術(shù),其轉(zhuǎn)換效率高,能夠顯著提升太陽能電池的整體性能。

質(zhì)結(jié)電池TCO薄膜的方法主要有兩種:RPD(特指空心陰極離子鍍)和PVD(特指磁控濺射鍍膜);l該工藝主要是在電池正背面上沉積一層透明導(dǎo)電膜層,通過該層薄膜實現(xiàn)導(dǎo)電、減反射、保護非晶硅薄膜的作用,同時可以有效地增加載流子的收集;l目前常用于HJT電池TCO薄膜為In2O3系列,如ITO(錫摻雜In2O3,@PVD濺射法)、IWO(鎢摻雜In2O3,@RPD方法沉積)等。HJT電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案,實現(xiàn)設(shè)備國產(chǎn)化,高效高產(chǎn)PVD DD CVD。光伏異質(zhì)結(jié)的制造過程中,非晶硅層可以作為掩膜,提高電池的抗反射性能,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。成都高效異質(zhì)結(jié)技術(shù)

釜川提供高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備濕法制絨設(shè)備、PVD、PECVD、電鍍銅設(shè)備等。廣東HJT異質(zhì)結(jié)低銀

太陽能異質(zhì)結(jié)是一種由兩種不同材料組成的結(jié)構(gòu),其中一種材料是n型半導(dǎo)體,另一種是p型半導(dǎo)體。這兩種半導(dǎo)體材料的結(jié)合形成了一個p-n結(jié),也稱為異質(zhì)結(jié)。在太陽能異質(zhì)結(jié)中,n型半導(dǎo)體的電子濃度比空穴濃度高,而p型半導(dǎo)體的空穴濃度比電子濃度高。當這兩種材料結(jié)合在一起時,電子和空穴會在p-n結(jié)處相遇并重新組合,從而產(chǎn)生一個電勢差。這個電勢差可以用來驅(qū)動電子流,從而產(chǎn)生電能。太陽能異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)通常包括一個p型半導(dǎo)體層和一個n型半導(dǎo)體層,它們之間有一個p-n結(jié)。在太陽能電池中,這個結(jié)構(gòu)通常被放置在一個透明的玻璃或塑料表面下,以便太陽光可以穿過并照射到p-n結(jié)上。當太陽光照射到p-n結(jié)上時,它會激發(fā)電子和空穴的運動,從而產(chǎn)生電流??傊柲墚愘|(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)是由一個p型半導(dǎo)體層和一個n型半導(dǎo)體層組成,它們之間有一個p-n結(jié)。這個結(jié)構(gòu)可以將太陽光轉(zhuǎn)化為電能,是太陽能電池的主要組成部分。廣東HJT異質(zhì)結(jié)低銀