成都0bb異質(zhì)結(jié)裝備

異質(zhì)結(jié)（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池為對稱的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT是很有潛力優(yōu)勢的技術(shù)，在將來HJT電池與鈣鈦礦技術(shù)進行復合疊層，突破轉(zhuǎn)換效率30%成為可能。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的廣泛應用能夠推動光伏產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展，促進科技進步和經(jīng)濟增長。成都0bb異質(zhì)結(jié)裝備

光伏高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案，產(chǎn)業(yè)機遇：方向清晰：HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來主流技術(shù)方向；時間明確：HJT平均量產(chǎn)效率已超過PERC瓶頸（25%），行業(yè)對HJT電池投入持續(xù)加大，電池商業(yè)化已逐漸成熟；機遇可期：設(shè)備與耗材是HJT規(guī)模化的關(guān)鍵，降本增效是不變的主題，具備HJT整線整合能力的供應商優(yōu)勢明顯。當前HJT生產(chǎn)成本約：硅片占比約50%，銀漿占比約25%，靶材約6%左右；當前HJT設(shè)備成本約：清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷，設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。成都0bb異質(zhì)結(jié)裝備異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：PECVD設(shè)備。

異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢有，優(yōu)勢一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網(wǎng)印刷；遠少于PERC（10個）和TOPCON（12-13個）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應等離子沉積)和PVD。優(yōu)勢二：轉(zhuǎn)換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產(chǎn)效率普遍已在25%以上；更高的轉(zhuǎn)化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現(xiàn)有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠高PERC電池。優(yōu)勢三：無LID&PID，低衰減無LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復合、硼鐵復合等，所以HJT電池對于LID效應是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無絕緣層，因此無表面層帶電的機會，從結(jié)構(gòu)上避免PID發(fā)生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠低于PERC電池摻鎵片的衰減情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。

高效HJT電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優(yōu)點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規(guī)平面磁控濺射技術(shù)靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優(yōu)點：對襯底的轟擊損傷??；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區(qū)較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)能夠降低電池的光衰減，提高電池的長期穩(wěn)定性，延長電池的使用壽命。

異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)路線，發(fā)電量高：低溫度意味著在組件高溫運行環(huán)境中，HJT電池具有相對較高的發(fā)電性能，從而實現(xiàn)發(fā)電量增益、降低系統(tǒng)的度電成本；若考慮電池工作溫度超出環(huán)境溫度10-40℃,而全年平均環(huán)境溫度相比實驗室標準工況低5-10℃，HJT電池每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約0.6%-3.9%。優(yōu)勢五：雙面率高HJT正反面結(jié)構(gòu)對稱，而且TCO薄膜是透光的，天然就是雙面電池；HJT的雙面率能達到90%以上(能達到98%)，雙面PERC的雙面率約為75%+；據(jù)solarzoom測算，考慮10%-20%的背面輻照及電池片雙面率的差異，HJT電池單瓦發(fā)電量高出雙面PERC電池約2%-4%。優(yōu)勢六：弱光效應HJT電池采用N型單晶硅片，而PERC電池采用P型單晶硅片在600W/m以下的輻照強度；N型相比P型的發(fā)電表現(xiàn)高出1%-2%左右，HJT電池因弱光效應而在每W發(fā)電量上高出雙面PERC電池約0.5-1.0%左右。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備導入銅制程電池等多項技術(shù)，降低非硅成本。無錫雙面微晶異質(zhì)結(jié)裝備

光伏異質(zhì)結(jié)的應用領(lǐng)域不斷擴大，包括但不限于家庭、商業(yè)、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。成都0bb異質(zhì)結(jié)裝備

光伏異質(zhì)結(jié)和PN結(jié)都是半導體器件中常見的結(jié)構(gòu)，但它們的區(qū)別在于其形成的原因和應用場景。PN結(jié)是由兩種不同摻雜的半導體材料（P型和N型）形成的結(jié)構(gòu)。在PN結(jié)中，P型半導體中的電子和N型半導體中的空穴會在結(jié)區(qū)域發(fā)生復合，形成一個空穴富集區(qū)和一個電子富集區(qū)，從而形成一個電勢壘。PN結(jié)的主要應用包括二極管、光電二極管等。光伏異質(zhì)結(jié)是由兩種不同材料的半導體形成的結(jié)構(gòu)，其中一種材料的帶隙比另一種材料大。在光伏異質(zhì)結(jié)中，當光子進入結(jié)區(qū)域時，會激發(fā)出電子和空穴，從而形成電子空穴對。由于材料的帶隙不同，電子和空穴會在結(jié)區(qū)域形成電勢壘，從而產(chǎn)生電壓和電流。光伏異質(zhì)結(jié)的主要應用是太陽能電池。因此，PN結(jié)和光伏異質(zhì)結(jié)的區(qū)別在于其形成的原因和應用場景。PN結(jié)主要用于電子學器件，而光伏異質(zhì)結(jié)則主要用于光電器件。成都0bb異質(zhì)結(jié)裝備