西安新型異質(zhì)結(jié)設(shè)備廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-01

光伏異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備,異質(zhì)結(jié)TCO的作用:在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后,電池被用一個(gè)~80納米的透明導(dǎo)電氧化物接觸。~80納米薄的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導(dǎo)電氧化物通常是摻有Sn的InO(ITO)或摻有Al的ZnO。通常,TCO也被用來(lái)在電池的背面形成一個(gè)介電鏡。因此,為了理解和優(yōu)化整個(gè)a-Si:H/c-Si太陽(yáng)能電池,還必須考慮TCO對(duì)電池光電性能的影響。由于其高摻雜度,TCO的電子行為就像一個(gè)電荷載流子遷移率相當(dāng)?shù)偷慕饘?,而TCO/a-Si:H結(jié)的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導(dǎo)體結(jié)。  TCO的功函數(shù)對(duì)TCO/a-Si:H/c-Si結(jié)構(gòu)中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結(jié)上的傳輸起著重要作用。此外,TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝;在此,應(yīng)該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性,并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。光伏異質(zhì)結(jié)是一種高效太陽(yáng)能電池,具有雙面發(fā)電和低光衰減等優(yōu)點(diǎn)。西安新型異質(zhì)結(jié)設(shè)備廠家

西安新型異質(zhì)結(jié)設(shè)備廠家,異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)電池的清洗制絨:在沉積a-Si:H之前的晶圓清洗有兩個(gè)作用。一個(gè)是去除晶圓表面的顆粒和金屬污染。另一個(gè)是用氫氣使表面上的懸空鍵部分鈍化。清潔是降低a-Si:H/c-Si界面狀態(tài)密度的關(guān)鍵步。不同清潔程序的效果可以通過(guò)測(cè)量清潔過(guò)的晶圓的載流子壽命來(lái)研究,這些晶圓已經(jīng)用相同的a-Si:H薄膜進(jìn)行了鈍化。在高質(zhì)量硅片的塊狀區(qū)域的載流子重組可以被認(rèn)為是可以忽略的,因此對(duì)載流子壽命的測(cè)量表明了表面重組,因此也表明了清潔過(guò)程的質(zhì)量。下圖顯示了在代爾夫特理工大學(xué)進(jìn)行的三種不同清洗方法的比較。在晶圓兩面沉積本征a-Si:H層之前,以三種不同的方式處理(100)取向的FZ c-Si晶圓。晶圓使用標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗,第二個(gè)晶圓使用涉及濃硝酸的標(biāo)準(zhǔn)DIMES清洗程序進(jìn)行清洗。所有三個(gè)晶圓都被浸泡在HF中,以去除原生氧化層,這是對(duì)第三個(gè)晶圓進(jìn)行的處理。在預(yù)處理之后,在晶圓的兩面都沉積了120納米厚的本征a-Si:H層,每次運(yùn)行都使用相同的沉積條件。使用Sinton壽命測(cè)試器測(cè)量載流子壽命,以評(píng)估鈍化質(zhì)量。使用標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝清潔的晶圓載流子壽命,因此鈍化效果也。只接受HF浸漬處理的晶圓觀察到的載流子壽命。山東雙面微晶異質(zhì)結(jié)設(shè)備哪家好光伏異質(zhì)結(jié)可以應(yīng)用在各種表面上,如玻璃、塑料等,具有廣泛的應(yīng)用前景。

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250,避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程,而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制,也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高,拓展?jié)摿Υ?,工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰,契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。

高效異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意,因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率,可達(dá)26.3%,相關(guān)團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%,同時(shí)使用低溫度加工,通常整個(gè)過(guò)程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓,同時(shí)保持高產(chǎn)量。異質(zhì)結(jié)電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),為光伏領(lǐng)域帶來(lái)了新的希望。光伏異質(zhì)結(jié)電池的使用壽命長(zhǎng),具有長(zhǎng)期穩(wěn)定的能源供應(yīng)能力。

高效異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)流程中使用的設(shè)備,PECVD 1.等離子化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhancedCVD,PECVD)是指利用輝光放電的物理作用來(lái)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的CVD技術(shù);2.異質(zhì)結(jié)非晶硅薄膜沉積是采用RPECVD技術(shù),射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RFPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,RPECVD),是PECVD的另外一種技術(shù)。它是利用射頻能量使反應(yīng)氣體等離子化。優(yōu)點(diǎn):低溫成膜(300-350℃),對(duì)基片影響小,避免了高溫帶來(lái)的膜層晶粒粗大;l低壓下形成薄膜厚度及成分較均勻、膜層致密、內(nèi)應(yīng)力小,不易產(chǎn)生裂紋;l擴(kuò)大CVD應(yīng)用范圍,特別是在不同基片上制備金屬薄膜、非晶態(tài)無(wú)機(jī)薄膜等,薄膜的附著力大于普通CVD。異質(zhì)結(jié)電池以其出色的發(fā)電性能、技術(shù)延展性和低碳制造過(guò)程,脫穎而出成為主流技術(shù)之一。成都HJT異質(zhì)結(jié)PVD

異質(zhì)結(jié)電池能夠提供更高的能量轉(zhuǎn)換效率,有助于降低光伏發(fā)電的成本,提高電力系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)性。西安新型異質(zhì)結(jié)設(shè)備廠家

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高,拓展?jié)摿Υ?,工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰,契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。西安新型異質(zhì)結(jié)設(shè)備廠家