西安0bb異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)是指由兩種或兩種以上不同材料組成的結(jié)構(gòu)，其中兩種材料的晶格結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、電子親和能、禁帶寬度等物理性質(zhì)不同。在異質(zhì)結(jié)中，由于材料的不同，電子在兩種材料之間會(huì)發(fā)生反射、透射、折射等現(xiàn)象，從而形成電子的能帶結(jié)構(gòu)和電子密度分布的變化，這種變化會(huì)影響電子的傳輸和能量的轉(zhuǎn)移。異質(zhì)結(jié)在半導(dǎo)體器件中有廣泛的應(yīng)用，例如PN結(jié)、MOSFET、LED等。其中，PN結(jié)是基本的異質(zhì)結(jié)器件，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成，具有整流、放大、開(kāi)關(guān)等功能，廣泛應(yīng)用于電子器件中。MOSFET是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)器件，具有高速、低功耗、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于集成電路中。LED是一種基于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的發(fā)光器件，具有高亮度、長(zhǎng)壽命、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域?？傊?，異質(zhì)結(jié)是半導(dǎo)體器件中的重要組成部分，其物理性質(zhì)和應(yīng)用具有重要意義。光伏異質(zhì)結(jié)電池PECVD是制備PIN層的主流設(shè)備，其結(jié)構(gòu)和工藝機(jī)理復(fù)雜，需要專業(yè)公司制備。西安0bb異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復(fù)合活性高的異質(zhì)界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會(huì)成為復(fù)合中心，因此需要進(jìn)行化學(xué)鈍化；化學(xué)鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來(lái)完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來(lái)減少?gòu)?fù)合性缺陷態(tài)密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場(chǎng)鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場(chǎng)，可以削弱界面的復(fù)合，達(dá)到減少載流子復(fù)合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統(tǒng)來(lái)完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優(yōu)越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優(yōu)異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。蘇州0bb異質(zhì)結(jié)薄膜異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：金屬化設(shè)備。

異質(zhì)結(jié)電池的清洗制絨：在沉積a-Si:H之前的晶圓清洗有兩個(gè)作用。一個(gè)是去除晶圓表面的顆粒和金屬污染。另一個(gè)是用氫氣使表面上的懸空鍵部分鈍化。清潔是降低a-Si:H/c-Si界面狀態(tài)密度的關(guān)鍵一步。不同清潔程序的效果可以通過(guò)測(cè)量清潔過(guò)的晶圓的載流子壽命來(lái)研究，這些晶圓已經(jīng)用相同的a-Si:H薄膜進(jìn)行了鈍化。在高質(zhì)量硅片的塊狀區(qū)域的載流子重組可以被認(rèn)為是可以忽略的，因此對(duì)載流子壽命的測(cè)量表明了表面重組，因此也表明了清潔過(guò)程的質(zhì)量。下圖顯示了在代爾夫特理工大學(xué)進(jìn)行的三種不同清洗方法的比較。在晶圓兩面沉積本征a-Si:H層之前，以三種不同的方式處理（100）取向的FZ c-Si晶圓。晶圓使用標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗，第二個(gè)晶圓使用涉及濃硝酸的標(biāo)準(zhǔn)DIMES清洗程序進(jìn)行清洗。所有三個(gè)晶圓都被浸泡在HF中，以去除原生氧化層，這是對(duì)第三個(gè)晶圓進(jìn)行的處理。在預(yù)處理之后，在晶圓的兩面都沉積了120納米厚的本征a-Si:H層，每次運(yùn)行都使用相同的沉積條件。使用Sinton壽命測(cè)試器測(cè)量載流子壽命，以評(píng)估鈍化質(zhì)量。使用標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝清潔的晶圓載流子壽命高，因此鈍化效果也好。只接受HF浸漬處理的晶圓觀察到低的載流子壽命。

太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)是一種由兩種不同材料組成的結(jié)構(gòu)，其中一種材料是n型半導(dǎo)體，另一種是p型半導(dǎo)體。這兩種半導(dǎo)體材料的結(jié)合形成了一個(gè)p-n結(jié)，也稱為異質(zhì)結(jié)。在太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)中，n型半導(dǎo)體的電子濃度比空穴濃度高，而p型半導(dǎo)體的空穴濃度比電子濃度高。當(dāng)這兩種材料結(jié)合在一起時(shí)，電子和空穴會(huì)在p-n結(jié)處相遇并重新組合，從而產(chǎn)生一個(gè)電勢(shì)差。這個(gè)電勢(shì)差可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)電子流，從而產(chǎn)生電能。太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)通常包括一個(gè)p型半導(dǎo)體層和一個(gè)n型半導(dǎo)體層，它們之間有一個(gè)p-n結(jié)。在太陽(yáng)能電池中，這個(gè)結(jié)構(gòu)通常被放置在一個(gè)透明的玻璃或塑料表面下，以便太陽(yáng)光可以穿過(guò)并照射到p-n結(jié)上。當(dāng)太陽(yáng)光照射到p-n結(jié)上時(shí)，它會(huì)激發(fā)電子和空穴的運(yùn)動(dòng)，從而產(chǎn)生電流?？傊?yáng)能異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)是由一個(gè)p型半導(dǎo)體層和一個(gè)n型半導(dǎo)體層組成，它們之間有一個(gè)p-n結(jié)。這個(gè)結(jié)構(gòu)可以將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能，是太陽(yáng)能電池的主要組成部分。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，為推動(dòng)綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和壯大做出了重要貢獻(xiàn)。

異質(zhì)結(jié)電池（HJT電池）的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)1、無(wú)PID現(xiàn)象由于電池上表面為TCO，電荷不會(huì)在電池表面的TCO上產(chǎn)生極化現(xiàn)象，無(wú)PID現(xiàn)象。同時(shí)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)也證實(shí)了這一點(diǎn)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)應(yīng)用與前景2、低溫制造工藝HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。3、高效率HJT電池一直在刷新著量產(chǎn)的電池轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄。HJT電池的效率比P型單晶硅電池高1-2%，而且之間的差異在慢慢增大。4、高光照穩(wěn)定性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)應(yīng)用與前景在HJT太陽(yáng)能電池中不會(huì)出現(xiàn)非晶硅太陽(yáng)能電池中常見(jiàn)的Staebler-Wronski效應(yīng)。同時(shí)HJT電池采用的N型硅片，摻雜劑為磷，幾乎無(wú)光致衰減現(xiàn)象。5、可向薄型化發(fā)展HJT電池的制程溫度低，上下表面結(jié)構(gòu)對(duì)稱，無(wú)機(jī)械應(yīng)力產(chǎn)生，可以順利實(shí)現(xiàn)薄型化；另外經(jīng)研究，對(duì)于少子壽命較高（SRV<100cm/s）的N型硅基底，片子越薄可以得到越高的開(kāi)路電壓。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案疊加了雙面微晶、無(wú)銀或低銀金屬化工藝。南京釜川異質(zhì)結(jié)CVD

零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備導(dǎo)入銅制程電池等多項(xiàng)技術(shù)，降低非硅成本。西安0bb異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT是很有潛力優(yōu)勢(shì)的技術(shù)，在將來(lái)HJT電池與鈣鈦礦技術(shù)進(jìn)行復(fù)合疊層，突破轉(zhuǎn)換效率30%成為可能。西安0bb異質(zhì)結(jié)