全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-04

專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商

全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商,濕法

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)過程中,需要進(jìn)行多次溝通和協(xié)調(diào),保持生產(chǎn)和管理的順暢。

全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商,濕法

太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。

電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕濕法刻蝕設(shè)備功能是去除背面PSG和拋光處理。設(shè)備優(yōu)勢l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,堿拋設(shè)備:鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法設(shè)備在生產(chǎn)過程中采用先進(jìn)的控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線的自動(dòng)化和智能化控制,提高產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性。

全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商,濕法

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出。成都工業(yè)濕法設(shè)備Topcon工藝

電池濕法制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商

電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率3.增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢?采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu),提升硅片表面潔凈度,降低表面污染,從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。全自動(dòng)濕法設(shè)備供應(yīng)商