浙江零界高效異質(zhì)結(jié)PECVD

來源: 發(fā)布時間:2024-01-25

異質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫,是一種N型單晶雙面電池,具有工藝簡單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢。異質(zhì)結(jié)太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導電氧化物(TCO)層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意,因為它們可以達到很高的轉(zhuǎn)換效率,可達26.3%,由隆基團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%,同時使用低溫度加工,通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓,同時保持高產(chǎn)量。釜川高效異質(zhì)結(jié)電池濕法制絨設備全線采用臭氧工藝,降低了運營材料成本。浙江零界高效異質(zhì)結(jié)PECVD

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光伏異質(zhì)結(jié)電池整線裝備,產(chǎn)業(yè)機遇:方向清晰:HJT技術工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來主流技術方向;時間明確:HJT平均量產(chǎn)效率已超過PERC瓶頸(25%),行業(yè)對HJT電池投入持續(xù)加大,電池商業(yè)化已逐漸成熟;機遇可期:設備與耗材是HJT規(guī)?;年P鍵,降本增效是不變的主題,具備HJT整線整合能力的供應商優(yōu)勢明顯。當前HJT生產(chǎn)成本約:硅片占比約50%,銀漿占比約25%,靶材約6%左右;當前HJT設備成本約:清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、絲網(wǎng)印刷,設備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。浙江零界高效異質(zhì)結(jié)PECVD光伏異質(zhì)結(jié)可以應用在各種表面上,如玻璃、塑料等,具有廣泛的應用前景。

高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案,TCO的作用:在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后,電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物(TCO)層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO(ITO)或摻有Al的ZnO。通常,TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此,為了理解和優(yōu)化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池,還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度,TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當?shù)偷慕饘?,而TCO/a-Si:H結(jié)的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結(jié)。  TCO的功函數(shù)對TCO/a-Si:H/c-Si結(jié)構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結(jié)上的傳輸起著重要作用。此外,TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝;在此,應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性,并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。

光伏異質(zhì)結(jié)和PN結(jié)都是半導體器件中常見的結(jié)構,但它們的區(qū)別在于其形成的原因和應用場景。PN結(jié)是由兩種不同摻雜的半導體材料(P型和N型)形成的結(jié)構。在PN結(jié)中,P型半導體中的電子和N型半導體中的空穴會在結(jié)區(qū)域發(fā)生復合,形成一個空穴富集區(qū)和一個電子富集區(qū),從而形成一個電勢壘。PN結(jié)的主要應用包括二極管、光電二極管等。光伏異質(zhì)結(jié)是由兩種不同材料的半導體形成的結(jié)構,其中一種材料的帶隙比另一種材料大。在光伏異質(zhì)結(jié)中,當光子進入結(jié)區(qū)域時,會激發(fā)出電子和空穴,從而形成電子空穴對。由于材料的帶隙不同,電子和空穴會在結(jié)區(qū)域形成電勢壘,從而產(chǎn)生電壓和電流。光伏異質(zhì)結(jié)的主要應用是太陽能電池。因此,PN結(jié)和光伏異質(zhì)結(jié)的區(qū)別在于其形成的原因和應用場景。PN結(jié)主要用于電子學器件,而光伏異質(zhì)結(jié)則主要用于光電器件。異質(zhì)結(jié)電池能夠提供更高的能量轉(zhuǎn)換效率,有助于降低光伏發(fā)電的成本,提高電力系統(tǒng)的經(jīng)濟性。

高效異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)流程中使用的設備,PECVD 1.等離子化學氣相沉積(PlasmaEnhancedCVD,PECVD)是指利用輝光放電的物理作用來化學氣相沉積反應的CVD技術;2.異質(zhì)結(jié)非晶硅薄膜沉積是采用RPECVD技術,射頻等離子體增強化學氣相沉積(RFPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,RPECVD),是PECVD的另外一種技術。它是利用射頻能量使反應氣體等離子化。優(yōu)點:低溫成膜(300-350℃),對基片影響小,避免了高溫帶來的膜層晶粒粗大;l低壓下形成薄膜厚度及成分較均勻、膜層致密、內(nèi)應力小,不易產(chǎn)生裂紋;l擴大CVD應用范圍,特別是在不同基片上制備金屬薄膜、非晶態(tài)無機薄膜等,薄膜的附著力大于普通CVD。異質(zhì)結(jié)電池提升了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能,并極大降低了生產(chǎn)成本。浙江零界高效異質(zhì)結(jié)PECVD

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高效異質(zhì)結(jié)太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導電氧化物(TCO)層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意,因為它們可以達到很高的轉(zhuǎn)換效率,可達26.3%,相關團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%,同時使用低溫度加工,通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓,同時保持高產(chǎn)量。異質(zhì)結(jié)電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡單等特點,為光伏領域帶來了新的希望。浙江零界高效異質(zhì)結(jié)PECVD