廣州新型濕法工藝

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；電池濕法制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。廣州新型濕法工藝

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢：閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。北京光伏濕法太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率。

光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等

電池濕法設(shè)備Perc工藝，濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率3.增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢?采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu)，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。電池濕法設(shè)備在制造過程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；電池濕法設(shè)備采用先進的制備技術(shù)，為高性能電池的制造提供穩(wěn)定且高效的生產(chǎn)流程。南京光伏電池濕法制絨

電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。廣州新型濕法工藝

濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。廣州新型濕法工藝