蘇州半導(dǎo)體濕法工藝

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-09

光伏電池濕法制絨設(shè)備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù),加熱部件則采用多重相異方式保護(hù),從而降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度,通過(guò)優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu),有效降低了能耗,從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。蘇州半導(dǎo)體濕法工藝

蘇州半導(dǎo)體濕法工藝,濕法

電池濕法設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺(tái)歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵;。山東智能濕法設(shè)備電池濕法設(shè)備擁有多種型號(hào),滿足不同規(guī)格硅片、各種類(lèi)型電池片制造的需求,靈活性高。

蘇州半導(dǎo)體濕法工藝,濕法

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設(shè)備的能源效率可以通過(guò)以下幾個(gè)方面進(jìn)行評(píng)估:1.電池濕法設(shè)備的能耗:通過(guò)測(cè)量設(shè)備的電力消耗,可以計(jì)算出設(shè)備的能耗。這可以通過(guò)監(jiān)測(cè)設(shè)備的電流和電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。2.電池濕法設(shè)備的產(chǎn)出:通過(guò)測(cè)量設(shè)備的產(chǎn)出量,可以計(jì)算出設(shè)備的能源效率。這可以通過(guò)監(jiān)測(cè)設(shè)備的產(chǎn)出量來(lái)實(shí)現(xiàn)。3.設(shè)備的維護(hù)和運(yùn)行成本:設(shè)備的維護(hù)和運(yùn)行成本也是評(píng)估能源效率的重要因素。這包括設(shè)備的維護(hù)費(fèi)用、運(yùn)行費(fèi)用和人工費(fèi)用等。4.設(shè)備的壽命:設(shè)備的壽命也是評(píng)估能源效率的重要因素。如果設(shè)備的壽命較短,那么它的能源效率就會(huì)降低。5.設(shè)備的環(huán)境影響:設(shè)備的環(huán)境影響也是評(píng)估能源效率的重要因素。如果設(shè)備對(duì)環(huán)境的影響較大,那么它的能源效率就會(huì)降低。綜上所述,評(píng)估電池濕法設(shè)備的能源效率需要考慮多個(gè)因素,包括設(shè)備的能耗、產(chǎn)出、維護(hù)和運(yùn)行成本、壽命以及環(huán)境影響等。通過(guò)綜合考慮這些因素,可以得出一個(gè)較為準(zhǔn)確的能源效率評(píng)估結(jié)果。電池濕法設(shè)備在制造過(guò)程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進(jìn),不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

蘇州半導(dǎo)體濕法工藝,濕法

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢(shì):閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃l引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設(shè)備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí)。蘇州半導(dǎo)體濕法工藝

濕法制絨設(shè)備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉LK州半導(dǎo)體濕法工藝

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對(duì)長(zhǎng)波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。蘇州半導(dǎo)體濕法工藝