鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-02

光伏電池濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面,設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料,確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù),加熱部件則采用多重相異方式保護(hù),從而降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度,通過(guò)優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu),有效降低了能耗,從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝

鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法

專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。上海專業(yè)濕法刻蝕光伏電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。

鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對(duì)長(zhǎng)波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面,設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料,確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù),加熱部件則采用多重相異方式保護(hù),從而降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度,通過(guò)優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu),有效降低了能耗,從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。電池濕法設(shè)備具備高度自動(dòng)化的裝配系統(tǒng),可大幅提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法

光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。上海半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商

光伏電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離。鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝

要降低電池濕法設(shè)備的成本,可以從以下幾個(gè)方面入手:1.選用合適的設(shè)備:在購(gòu)買設(shè)備時(shí),要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的設(shè)備,不要盲目追求高級(jí)設(shè)備,以免造成不必要的浪費(fèi)。2.優(yōu)化工藝流程:通過(guò)優(yōu)化工藝流程,可以減少設(shè)備的使用量和能耗,從而降低成本。例如,可以采用更高效的電解液、調(diào)整電流密度等。3.控制原材料成本:原材料是電池濕法設(shè)備的主要成本之一,要盡可能地降低原材料成本??梢酝ㄟ^(guò)采購(gòu)優(yōu)良、低價(jià)的原材料、與供應(yīng)商談判降低價(jià)格等方式實(shí)現(xiàn)。4.加強(qiáng)設(shè)備維護(hù):定期對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng),可以延長(zhǎng)設(shè)備壽命,減少故障率,從而降低維修和更換設(shè)備的成本。5.提高生產(chǎn)效率:通過(guò)提高生產(chǎn)效率,可以減少生產(chǎn)時(shí)間和能耗,從而降低成本??梢圆捎米詣?dòng)化生產(chǎn)線、提高工人技能水平等方式實(shí)現(xiàn)??傊?,降低電池濕法設(shè)備的成本需要從多個(gè)方面入手,需要綜合考慮各種因素,才能實(shí)現(xiàn)更佳效果。鄭州電池濕法設(shè)備Perc工藝