蘇州晶片濕法去PSG

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-27

電池濕法設(shè)備的成本因設(shè)備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設(shè)備品質(zhì)等因素而異。一般來(lái)說(shuō),電池濕法設(shè)備的成本包括設(shè)備本身的采購(gòu)費(fèi)用、安裝調(diào)試費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等。設(shè)備本身的采購(gòu)費(fèi)用是影響成本的主要因素之一,一般來(lái)說(shuō),設(shè)備規(guī)模越大,生產(chǎn)能力越高,設(shè)備品質(zhì)越好,成本也就越高。此外,設(shè)備的運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用也是影響成本的重要因素之一,包括能源消耗、人工維護(hù)費(fèi)用、設(shè)備壽命等。因此,在選擇電池濕法設(shè)備時(shí),需要綜合考慮設(shè)備的采購(gòu)費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等因素,以確保設(shè)備的成本合理、經(jīng)濟(jì)。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。蘇州晶片濕法去PSG

蘇州晶片濕法去PSG,濕法

光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。山東半導(dǎo)體濕法三頭太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收。

蘇州晶片濕法去PSG,濕法

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對(duì)長(zhǎng)波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)擁有閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。

蘇州晶片濕法去PSG,濕法

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備,其主要作用是將電池的正負(fù)極材料浸泡在電解液中,使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而產(chǎn)生電能。為了提高電池的性能和降低生產(chǎn)成本,可以優(yōu)化以下幾個(gè)參數(shù):1.電解液配方:電解液是電池濕法設(shè)備中重要的組成部分之一,其配方的優(yōu)化可以顯著影響電池的性能。例如,可以通過(guò)調(diào)整電解液中的鹽酸濃度、添加劑種類(lèi)和濃度等參數(shù)來(lái)提高電池的能量密度和循環(huán)壽命。2.電極材料:電極材料是電池濕法設(shè)備中另一個(gè)重要的參數(shù),其優(yōu)化可以提高電池的能量密度和循環(huán)壽命。例如,可以通過(guò)改變電極材料的晶體結(jié)構(gòu)、粒徑和形態(tài)等參數(shù)來(lái)提高電極的儲(chǔ)能性能和穩(wěn)定性。3.工藝參數(shù):電池濕法設(shè)備的工藝參數(shù)包括電解液溫度、電流密度、浸泡時(shí)間等,這些參數(shù)的優(yōu)化可以提高電池的生產(chǎn)效率和質(zhì)量。例如,可以通過(guò)調(diào)整電解液溫度和電流密度來(lái)控制電極材料的沉積速率和形態(tài),從而提高電池的能量密度和循環(huán)壽命。4.設(shè)備結(jié)構(gòu):電池濕法設(shè)備的結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行優(yōu)化,例如改變電極材料的布局和形態(tài),優(yōu)化電解槽的設(shè)計(jì)等,這些改進(jìn)可以提高電池的生產(chǎn)效率和質(zhì)量,降低生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;河南高效濕法清洗設(shè)備

太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)能去除切割硅片損傷層和表面臟污。蘇州晶片濕法去PSG

光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽(yáng)能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等蘇州晶片濕法去PSG