深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

光伏濕法工藝設(shè)備是光伏電池生產(chǎn)中不可或缺的設(shè)備之一。它主要用于制備光伏電池的電極材料，包括陽(yáng)極和陰極。在光伏電池的制造過程中，陽(yáng)極和陰極的制備是非常關(guān)鍵的步驟，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懙焦夥姵氐男阅芎托?。光伏濕法工藝設(shè)備可以通過化學(xué)反應(yīng)的方式制備出高質(zhì)量的電極材料。它可以控制反應(yīng)的溫度、時(shí)間、濃度等參數(shù)，從而得到具有良好電化學(xué)性能的電極材料。此外，光伏濕法工藝設(shè)備還可以實(shí)現(xiàn)多種化學(xué)反應(yīng)，以滿足不同類型的光伏電池的制備需求。光伏濕法工藝設(shè)備還可以提高光伏電池的生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。它可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，減少人工操作，提高生產(chǎn)效率。同時(shí)，它還可以減少原材料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本?？傊?，光伏濕法工藝設(shè)備在光伏電池生產(chǎn)中起著至關(guān)重要的作用。它可以制備出高質(zhì)量的電極材料，提高光伏電池的性能和效率，同時(shí)還可以提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝電池濕法制絨設(shè)備（Topcon工藝）增加背鈍化膜的膜厚均勻性。

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。

濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺(tái)歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵；太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面。北京新型濕法三頭

電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好；深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝