成都HJT濕法刻蝕

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-23

電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離。成都HJT濕法刻蝕

成都HJT濕法刻蝕,濕法

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。蘇州工業(yè)濕法去PSG電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。

成都HJT濕法刻蝕,濕法

光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設(shè)備是一種用于電池制造的設(shè)備,主要用于電池的電解液制備和電極涂覆等工序。使用電池濕法設(shè)備需要注意以下幾點(diǎn):1.設(shè)備安裝:首先需要將設(shè)備安裝在干燥、通風(fēng)、無(wú)塵的環(huán)境中,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。2.操作流程:根據(jù)設(shè)備的操作手冊(cè),按照操作流程進(jìn)行操作,確保每個(gè)步驟的正確性和順序。3.原材料準(zhǔn)備:根據(jù)設(shè)備的要求,準(zhǔn)備好所需的原材料,包括電解液、電極材料等。4.設(shè)備調(diào)試:在使用設(shè)備前,需要進(jìn)行設(shè)備的調(diào)試,確保設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和參數(shù)的準(zhǔn)確性。5.操作注意事項(xiàng):在操作過(guò)程中,需要注意安全,避免發(fā)生意外事故。同時(shí),需要注意設(shè)備的維護(hù)和保養(yǎng),定期清潔設(shè)備,檢查設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)情況??傊褂秒姵貪穹ㄔO(shè)備需要嚴(yán)格按照操作手冊(cè)進(jìn)行操作,確保設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和產(chǎn)品的質(zhì)量。同時(shí),需要注意安全和設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng),以延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中,需要進(jìn)行多次溝通和協(xié)調(diào),保持生產(chǎn)和管理的順暢。

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電池濕法設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺(tái)歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵;。電池濕法設(shè)備在生產(chǎn)過(guò)程中采用先進(jìn)的控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線(xiàn)的自動(dòng)化和智能化控制,提高產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性。廣東智能濕法設(shè)備

太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收。成都HJT濕法刻蝕

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對(duì)長(zhǎng)波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。成都HJT濕法刻蝕