中國香港氧化鋅陶瓷靶材

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經(jīng)過鍍膜，加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了實現(xiàn)平板顯示產(chǎn)品的抗反射、消影等功能，還可以在鍍膜環(huán)節(jié)中增加相應膜層的鍍膜。透明導電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。中國香港氧化鋅陶瓷靶材

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應用。制程反應室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結成晶粒，再透過微影圖案化與蝕刻，終一層層金屬導線，而芯片的數(shù)據(jù)傳輸全靠這些金屬導線。濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。廣東鍍膜陶瓷靶材廠家AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復雜的物理化學變化,ITO靶材表面會產(chǎn)生許多小的結瘤,這個現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結瘤形成機理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結瘤是In2O3、分解所致,導電導熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結瘤進一步發(fā)展;姚吉升等研究了結瘤物相組成及化學組分,認為結瘤是偏離了化學計量的ITO材料在靶材表面再沉積的結果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對靶材表面結瘤形成速率的影響,認為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結瘤的主要原因。盡管結瘤機理尚不明確,但毋庸置疑的是,結瘤的產(chǎn)生嚴重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能，因此,對結瘤的形成機理進行深入研究具有重要意義。

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導電性等特點，而以化合物、合金的形式被廣泛應用。目前，銦的主要應用領域是平板顯示領域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費量的80%；其次是半導體領域、焊料和合金領域、太陽能發(fā)電領域等。生產(chǎn)ITO靶材對于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導體材料對于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。靶材間隙對大面積鍍膜的影響除了致密化，如果靶材在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)異常，大顆粒會因受熱而脫落或縮孔。

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達到99.95%,但對氧化鈮的物理性能指標要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細且均勻,成形性能好;旋轉靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動性及嚴格的粒度范圍。旋轉靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉靶材相對于平面靶材具有很多的優(yōu)點： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點,因此近年來逐步替代了平面靶材。 針對國內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎上,以高純鈮液為原料,通過噴霧干燥造粒的方法實現(xiàn)對氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉靶材的要求。陶瓷靶材的制備工藝；廣西濺射陶瓷靶材市場價

冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點。中國香港氧化鋅陶瓷靶材

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽能電池市場的主導地位。而晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高轉化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領域。靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：一，它是各單體電池的負極；二，它是各自電池串聯(lián)的導電通道；三，它可以增加太陽能電池對光的反射。太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對純度要求沒有半導體芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜。中國香港氧化鋅陶瓷靶材