中國臺灣氧化物陶瓷靶材生產企業(yè)

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內應力是在靶材制造過程中產生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經存在的內部應力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當的散熱，靶材可能會開裂。靶材開裂預防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去除靶材中不需要的熱能，另一方面考慮提高功率，在很短的時間內提升功率也會給目標帶來熱沖擊。此外，建議將這些靶材綁定到背板上，這不僅為靶材提供支撐，而且還促進靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下，它仍然可以毫無問題地使用。鈣鈦礦太陽電池在短短數十年間不斷刷新轉換效率。中國臺灣氧化物陶瓷靶材生產企業(yè)

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.

ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。 甘肅鍍膜陶瓷靶材售價陶瓷靶材的制備工藝；

江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家主要生產和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。陶瓷靶材以氧化銦基和氧化鋅基為主，金屬和合金靶材以各種熔煉工藝和擠壓鍛造工藝為主。

ITO靶材應用領域

1、平板顯示器(純度4N)在平板顯示領域，ITO靶材主要用于制作ITO導電玻璃及觸控屏電極平板，是LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件制備的主要材料。顯示面板一般涉及上下兩層ITO導電膜，用量較大，ITO靶材是平板顯示領域用量比較大的靶材之一。

2、薄膜太陽能電池(純度4N)ITO是一種透明導電層，在太陽能電池中作為透光層，同時作為電極，一般為正極，另一個電極一般以金屬銀或鋁作為背電極使用。ITO靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極。

3、保溫透光領域ITO透明導電膜玻璃作為發(fā)熱體，通電后可以除冰霜，用于飛機擋風玻璃、飛機防眩窗、激光測距儀、潛望鏡觀察窗等多年來已得到了大規(guī)模的應用。ITO透明導電膜玻璃正反面具有相反的紅外線通過及反射性能，玻璃正面具有優(yōu)良的紅外線通性，衰減量極小，而反面又具有紅外線阻擋反射作用，因而該種玻璃具有優(yōu)良的保溫透光性能，已大量用于制造冷藏柜，隨著成本的降低將有望用于房屋節(jié)能。

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經過鍍膜，加工組裝用于生產LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了實現(xiàn)平板顯示產品的抗反射、消影等功能，還可以在鍍膜環(huán)節(jié)中增加相應膜層的鍍膜。AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。

鍍膜的主要工藝有PVD和化學氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣。PVD技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強，清洗過程簡化，但在高功率下影響鍍膜質量。不同方法的選擇主要取決于產品用途與應用場景。（2）CVD技術主要通過化學反應生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質引入反應室，在襯底表面上進行化學反應生成薄膜。在反應濺射過程中，靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應產物覆蓋或反應產物被剝離，金屬表面重新暴露。廣東鍍膜陶瓷靶材咨詢報價

IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。中國臺灣氧化物陶瓷靶材生產企業(yè)

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復雜的物理化學變化,ITO靶材表面會產生許多小的結瘤,這個現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結瘤形成機理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結瘤是In2O3、分解所致,導電導熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結瘤進一步發(fā)展;姚吉升等研究了結瘤物相組成及化學組分,認為結瘤是偏離了化學計量的ITO材料在靶材表面再沉積的結果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對靶材表面結瘤形成速率的影響,認為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結瘤的主要原因。盡管結瘤機理尚不明確,但毋庸置疑的是,結瘤的產生嚴重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能，因此,對結瘤的形成機理進行深入研究具有重要意義。中國臺灣氧化物陶瓷靶材生產企業(yè)

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