云南ITO陶瓷靶材

透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質(zhì)量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關(guān)鍵。高質(zhì)量的成品 ITO 濺射靶應(yīng)具有99%的相對密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導(dǎo)熱率及較高的機械強度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜。甚至可以在有機材料上濺射 ITO 導(dǎo)電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結(jié)法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結(jié)法，其相對密度能達到 99%以上，燒結(jié)溫度高，保溫時間長，制備工藝復(fù)雜。放電等離子燒結(jié)(SPS)是在脈沖電流作用下，粉末顆粒間放電，產(chǎn)生瞬間高溫進行燒結(jié)。SPS技術(shù)具有快速、低溫、高效率等優(yōu)點。能在很低的燒結(jié)溫度下，保溫很短的時間制備高密度的材料。

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。云南ITO陶瓷靶材

IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料。IGZO為n型半導(dǎo)體材料，存在3.5 eV左右的帶隙，電子遷移率比非晶硅高1~2個數(shù)量級，其比較大特點是在非晶狀態(tài)下依然具有較高的電子遷移率。由于沒有晶界的影響，非晶結(jié)構(gòu)材料比多晶材料有更好的均勻性，對于大面積制備有巨大的優(yōu)勢。正因為IGZO TFT具有高遷移率、非晶溝道結(jié)構(gòu)、全透明和低溫制備這四大優(yōu)勢，使得IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發(fā)展趨勢。寧夏智能玻璃陶瓷靶材推薦廠家靶材間隙對大面積鍍膜的影響除了致密化，如果靶材在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)異常，大顆粒會因受熱而脫落或縮孔。

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透過微影圖案化與蝕刻，終一層層金屬導(dǎo)線，而芯片的數(shù)據(jù)傳輸全靠這些金屬導(dǎo)線。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽能電池市場的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：一，它是各單體電池的負極；二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；三，它可以增加太陽能電池對光的反射。太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對純度要求沒有半導(dǎo)體芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及燒結(jié)靶材；2、節(jié)省成本，防止變形，如靶材太貴，可將靶材做薄些，綁定背靶以防止變形。三、背靶的選擇 1、常用無氧銅，導(dǎo)電性好，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；2、厚度適中，一般建議背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。四、綁定過程 1、綁定前將靶材和背靶表面預(yù)處理2、將靶材和背靶放置在釬焊臺上，升溫到綁定溫度3、將靶材和背靶金屬化4、粘接靶材和背靶5、降溫和后處理五、綁定靶材使用的注意事項1、濺射溫度不宜太高2、電流要緩慢加大3、循環(huán)冷卻水應(yīng)低于35攝氏度4、適宜的靶材致密度。 AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。云南ITO陶瓷靶材

靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。云南ITO陶瓷靶材

陶瓷靶材陶瓷靶材按化學(xué)組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比較脆的靶材,通常陶瓷靶材都會綁定背板一起使用,背板除了在濺射過程中可支撐陶瓷靶材,還可以在濺射過程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多,應(yīng)用范圍廣,主要用于微電子領(lǐng)域,顯示器用,存儲等領(lǐng)域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)材料,已得到空前的發(fā)展.陶瓷靶材的制備工藝難點主要有:超大尺寸陶瓷靶材制備技術(shù)、如何抑制濺射過程中微粒的產(chǎn)生、如何保證陶瓷靶材的相結(jié)構(gòu)及組織均勻性、盡量提高陶瓷靶材的致密度及減少含氣量等.陶瓷靶材的特性要求:（1）純度:陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大,純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產(chǎn)品的質(zhì)量的一致性越好.隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴格,其純度必須大于4N.平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N.(2)密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度.靶材越密實,濺射顆粒的密度月底,放電現(xiàn)場就越弱,薄膜的性能也越好.(3)成分與結(jié)構(gòu)均勻性:為保證濺射薄膜均勻,在復(fù)雜的大面積鍍膜應(yīng)用中,必須做到靶材成分與結(jié)構(gòu)均勻性好.云南ITO陶瓷靶材

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