江西功能性陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

靶材主要由靶坯、背板等部分組成：其中，靶坯是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，即高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的重要部分部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上，制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境。因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板主要起到固定濺射靶材的作用，需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。ITO靶材是當(dāng)前太陽能電池主要的濺射靶材。江西功能性陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導(dǎo)因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。

廣東氧化物陶瓷靶材價格咨詢陶瓷靶材按化學(xué)組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達到99.95%,但對氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動性及嚴格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對于平面靶材具有很多的優(yōu)點： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點,因此近年來逐步替代了平面靶材。 針對國內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過噴霧干燥造粒的方法實現(xiàn)對氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標(biāo)原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標(biāo)的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當(dāng)?shù)纳?，靶材可能會開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去除靶材中不需要的熱能，另一方面考慮提高功率，在很短的時間內(nèi)提升功率也會給目標(biāo)帶來熱沖擊。此外，建議將這些靶材綁定到背板上，這不僅為靶材提供支撐，而且還促進靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下，它仍然可以毫無問題地使用。靶材的純度越高，薄膜的性能就越好。

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會增加到許多倍。在這種情況下，如果不適當(dāng)散熱，靶材就可能會斷裂。二、濺射靶材開裂應(yīng)對事項為了防止靶材開裂，需要著重考慮的是散熱。需要水冷卻機構(gòu)以從靶去除不需要的熱能。另一個需要考慮的問題是功率的增加。短時間內(nèi)施加過大的功率也會對目標(biāo)造成熱沖擊。此外，我們建議將靶材粘合到背板上，這不僅為靶材提供了支撐，而且促進了靶材與水之間更好的熱交換。如果目標(biāo)有一個裂紋，但它是粘接到背板上，仍可以正常使用。靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。湖北功能性陶瓷靶材價格咨詢

AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。江西功能性陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復(fù)雜的物理化學(xué)變化,ITO靶材表面會產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤,這個現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結(jié)瘤形成機理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結(jié)瘤是In2O3、分解所致,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結(jié)瘤進一步發(fā)展;姚吉升等研究了結(jié)瘤物相組成及化學(xué)組分,認為結(jié)瘤是偏離了化學(xué)計量的ITO材料在靶材表面再沉積的結(jié)果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對靶材表面結(jié)瘤形成速率的影響,認為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結(jié)瘤的主要原因。盡管結(jié)瘤機理尚不明確,但毋庸置疑的是,結(jié)瘤的產(chǎn)生嚴重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能，因此,對結(jié)瘤的形成機理進行深入研究具有重要意義。江西功能性陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

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