二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于 p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流 I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n 結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。用戶的信賴之選,圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)觸發(fā)二極管方案設計公司,期待您的光臨!大規(guī)模觸發(fā)二極管制造公司
整流二極管還能夠起到保護作用,當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時,通過整流二極管的電流少數(shù)載流子漂移運動從而形成的反向電流,可以防止接錯正負極。整流二極管的作用中的反向擊穿,反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下,整流二極管因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大會破壞勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子空穴,整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場會使電子漂移速度加快,從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子空穴對。優(yōu)勢觸發(fā)二極管制造公司觸發(fā)二極管,就選深圳市凱軒業(yè)科技,用戶的信賴之選,歡迎新老客戶來電咨詢!
1、檢波用二極管就原理而言,從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波,以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流小于 100mA 的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達 400MHz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為 2AP 型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專業(yè)使用的特性一致性好的兩只二極管組合件。2、整流用二極管就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流大于 100mA 的叫整流。面結(jié)型,工作頻率小于 KHz,較高反向電壓從 25 伏至 3000 伏分 A~X 共 22 檔。分類如下:①硅半導體整流二極管 2CZ 型、②硅橋式整流器 QL 型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近 100KHz 的 2CLG 型。
開關(guān)電源中常用,快速恢復整流二極管、超快速恢復整流二極管、肖特基整流二極管特點:正向壓降低、快速恢復的特點,輸出功率較大快速恢復和超快恢復整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降,壓降范圍大約是0.8~1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。主要在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。肖特基整流二極管在大的正向電流作用下,正向壓降也很低,有0.4V左右,而且,隨著結(jié)溫的增加,其正向壓降更低。使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管有兩大缺點:反向截止電壓的承受能力較低,產(chǎn)品大約為100V;反向漏電流較大,使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。觸發(fā)二極管,就選深圳市凱軒業(yè)科技,讓您滿意,歡迎您的來電哦!
16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP 管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類。18、雙基極二極管(單結(jié)晶體管)兩個基極,一個發(fā)射極的三端負阻器件,用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。19、發(fā)光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。觸發(fā)二極管,就選深圳市凱軒業(yè)電子科技,用戶的信賴之選,歡迎您的來電哦!遼寧觸發(fā)二極管批發(fā)廠家
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大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上,一般半導體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴散運動,P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散,并與N區(qū)中的自由電子復合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴散運動導致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷,相應地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。大規(guī)模觸發(fā)二極管制造公司