湖北打造PCB培訓(xùn)

目前的電路板，主要由以下組成線(xiàn)路與圖面(Pattern):線(xiàn)路是做為原件之間導(dǎo)通的工具，在設(shè)計(jì)上會(huì)另外設(shè)計(jì)大銅面作為接地及電源層。線(xiàn)路與圖面是同時(shí)做出的。介電層(Dielectric):用來(lái)保持線(xiàn)路及各層之間的絕緣性，俗稱(chēng)為基材?？?Throughhole/via):導(dǎo)通孔可使兩層次以上的線(xiàn)路彼此導(dǎo)通，較大的導(dǎo)通孔則做為零件插件用，另外有非導(dǎo)通孔(nPTH)通常用來(lái)作為表面貼裝定位，組裝時(shí)固定螺絲用。防焊油墨(Solderresistant/SolderMask):并非全部的銅面都要吃錫上零件，因此非吃錫的區(qū)域，會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)(通常為環(huán)氧樹(shù)脂)，避免非吃錫的線(xiàn)路間短路。根據(jù)不同的工藝，分為綠油、紅油、藍(lán)油。絲印(Legend/Marking/Silkscreen):此為非必要之構(gòu)成，主要的功能是在電路板上標(biāo)注各零件的名稱(chēng)、位置框，方便組裝后維修及辨識(shí)用。表面處理(SurfaceFinish):由于銅面在一般環(huán)境中，很容易氧化，導(dǎo)致無(wú)法上錫(焊錫性不良)，因此會(huì)在要吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫(HASL)，化金(ENIG)，化銀(ImmersionSilver)，化錫(ImmersionTin)，有機(jī)保焊劑(OSP)，方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，統(tǒng)稱(chēng)為表面處理。布局中應(yīng)參考原理框圖，根據(jù)單板的主信號(hào)流向規(guī)律安排主要元器件。湖北打造PCB培訓(xùn)

1、高頻元件：高頻元件之間的連線(xiàn)越短越好，設(shè)法減小連線(xiàn)的分布參數(shù)和相互之間的電磁干擾，易受干擾的元件不能離得太近。隸屬于輸入和隸屬于輸出的元件之間的距離應(yīng)該盡可能大一些。2、具有高電位差的元件：應(yīng)該加大具有高電位差元件和連線(xiàn)之間的距離，以免出現(xiàn)意外短路時(shí)損壞元件。為了避免爬電現(xiàn)象的發(fā)生，一般要求2000V電位差之間的銅膜線(xiàn)距離應(yīng)該大于2mm，若對(duì)于更高的電位差，距離還應(yīng)該加大。帶有高電壓的器件，應(yīng)該盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方。3、重量太大的元件：此類(lèi)元件應(yīng)該有支架固定，而對(duì)于又大又重、發(fā)熱量多的元件，不宜安裝在電路板上。4、發(fā)熱與熱敏元件：注意發(fā)熱元件應(yīng)該遠(yuǎn)離熱敏元件。深圳定制PCB培訓(xùn)銷(xiāo)售電話(huà)布線(xiàn)指南：為PCB提供特殊信號(hào)的具體要求說(shuō)明和阻抗設(shè)計(jì)。

（1）避免在PCB邊緣安排重要的信號(hào)線(xiàn)，如時(shí)鐘和復(fù)位信號(hào)等。（2）機(jī)殼地線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)間隔至少為4毫米；保持機(jī)殼地線(xiàn)的長(zhǎng)寬比小于5:1以減少電感效應(yīng)。（3）已確定位置的器件和線(xiàn)用LOCK功能將其鎖定，使之以后不被誤動(dòng)。（4）導(dǎo)線(xiàn)的寬度小不宜小于0.2mm（8mil），在高密度高精度的印制線(xiàn)路中，導(dǎo)線(xiàn)寬度和間距一般可取12mil。（5）在DIP封裝的IC腳間走線(xiàn)，可應(yīng)用10－10與12－12原則，即當(dāng)兩腳間通過(guò)2根線(xiàn)時(shí)，焊盤(pán)直徑可設(shè)為50mil、線(xiàn)寬與線(xiàn)距都為10mil，當(dāng)兩腳間只通過(guò)1根線(xiàn)時(shí)，焊盤(pán)直徑可設(shè)為64mil、線(xiàn)寬與線(xiàn)距都為12mil。（6）當(dāng)焊盤(pán)直徑為1.5mm時(shí)，為了增加焊盤(pán)抗剝強(qiáng)度，可采用長(zhǎng)不小于1.5mm，寬為1.5mm和長(zhǎng)圓形焊盤(pán)。（7）設(shè)計(jì)遇到焊盤(pán)連接的走線(xiàn)較細(xì)時(shí)，要將焊盤(pán)與走線(xiàn)之間的連接設(shè)計(jì)成水滴狀，這樣焊盤(pán)不容易起皮，走線(xiàn)與焊盤(pán)不易斷開(kāi)。（8）大面積敷銅設(shè)計(jì)時(shí)敷銅上應(yīng)有開(kāi)窗口，加散熱孔，并將開(kāi)窗口設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀。（9）盡可能縮短高頻元器件之間的連線(xiàn)，減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾。易受干擾的元器件不能相互挨得太近，輸入和輸出元件應(yīng)盡量遠(yuǎn)離。

(10)關(guān)鍵的線(xiàn)要盡量粗，并在兩邊加上保護(hù)地。高速線(xiàn)要短而直。(11)元件引腳盡量短，去耦電容引腳盡量短，去耦電容使用無(wú)引線(xiàn)的貼片電容。(12)對(duì)A/D類(lèi)器件，數(shù)字部分與模擬部分地線(xiàn)寧可統(tǒng)一也不要交*。(13)時(shí)鐘、總線(xiàn)、片選信號(hào)要遠(yuǎn)離I/O線(xiàn)和接插件。(14)模擬電壓輸入線(xiàn)、參考電壓端要盡量遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號(hào)線(xiàn)，特別是時(shí)鐘。(15)時(shí)鐘線(xiàn)垂直于I/O線(xiàn)比平行I/O線(xiàn)干擾小，時(shí)鐘元件引腳需遠(yuǎn)離I/O電纜。(16)石英晶體下面以及對(duì)噪聲敏感的器件下面不要走線(xiàn)。(17)弱信號(hào)電路，低頻電路周?chē)灰纬呻娏鳝h(huán)路。(18)任何信號(hào)都不要形成環(huán)路，如不可避免，讓環(huán)路區(qū)盡量小培訓(xùn)機(jī)構(gòu)會(huì)根據(jù)市場(chǎng)上的熱點(diǎn)和需求，選取一些好的PCB設(shè)計(jì)案例進(jìn)行解析。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。關(guān)鍵的線(xiàn)要盡量粗，并在兩邊加上保護(hù)地。高速線(xiàn)要短而直。湖北專(zhuān)業(yè)PCB培訓(xùn)哪家好

·過(guò)重元件應(yīng)設(shè)計(jì)固定支架的位置,并注意各部分平衡。湖北打造PCB培訓(xùn)

PCB布線(xiàn)通用規(guī)則在設(shè)計(jì)印制線(xiàn)路板時(shí)，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：(1)從減小輻射干擾的角度出發(fā)，應(yīng)盡量選用多層板，內(nèi)層分別作電源層、地線(xiàn)層，用以降低供電線(xiàn)路阻抗，抑制公共阻抗噪聲，對(duì)信號(hào)線(xiàn)形成均勻的接地面，加大信號(hào)線(xiàn)和接地面間的分布電容，抑制其向空間輻射的能力。(2)電源線(xiàn)、地線(xiàn)、印制板走線(xiàn)對(duì)高頻信號(hào)應(yīng)保持低阻抗。在頻率很高的情況下，電源線(xiàn)、地線(xiàn)、或印制板走線(xiàn)都會(huì)成為接收與發(fā)射干擾的小天線(xiàn)。降低這種干擾的方法除了加濾波電容外，更值得重視的是減小電源線(xiàn)、地線(xiàn)及其他印制板走線(xiàn)本身的高頻阻抗。因此，各種印制板走線(xiàn)要短而粗，線(xiàn)條要均勻。湖北打造PCB培訓(xùn)