荊州打造PCB設(shè)計(jì)加工

工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過(guò)2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過(guò)程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見(jiàn)模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。PCB典型的電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。荊州打造PCB設(shè)計(jì)加工

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏蔽，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過(guò)孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過(guò)電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對(duì)于管腳比較細(xì)的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對(duì)50歐姆單端線、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長(zhǎng)處理。7、當(dāng)信號(hào)線必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。武漢常規(guī)PCB設(shè)計(jì)銷售PCB設(shè)計(jì)中等長(zhǎng)線處理方式技巧有哪些？

設(shè)計(jì)規(guī)劃設(shè)計(jì)規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認(rèn)設(shè)計(jì)要求→梳理設(shè)計(jì)要求。梳理功能要求（1）逐頁(yè)瀏覽原理圖，熟悉項(xiàng)目類型。項(xiàng)目類型可分為：數(shù)字板、模擬板、數(shù)模混合板、射頻板、射頻數(shù)?；旌习濉⒐β孰娫窗?、背板等，依據(jù)項(xiàng)目類型逐頁(yè)查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號(hào)處理模塊、時(shí)鐘及復(fù)位模塊。（2）器件認(rèn)定：在單板設(shè)計(jì)中，承擔(dān)信號(hào)處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時(shí)鐘芯片，大體積電源芯片。確認(rèn)設(shè)計(jì)要求（1）客戶按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格模板，規(guī)范填寫，信息無(wú)遺漏；可以協(xié)助客戶梳理《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格，經(jīng)客戶確認(rèn)后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號(hào)功能框圖。（3）按照《PCB Layout業(yè)務(wù)資料及要求》表格確認(rèn)整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據(jù)電源流向和電流大小，列出電流樹(shù)狀圖，經(jīng)客戶確認(rèn)后，予以采納。

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過(guò)孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對(duì)整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過(guò)孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過(guò)孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對(duì)在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對(duì)稱層需檢查殘銅率是否對(duì)稱并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)中布局布線的注意事項(xiàng)。

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒(méi)有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。PCB設(shè)置中PCI-E板卡設(shè)計(jì)要求是什么？黃石了解PCB設(shè)計(jì)怎么樣

PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之絲印調(diào)整。荊州打造PCB設(shè)計(jì)加工

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