武漢打造PCB設(shè)計(jì)哪家好

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號(hào)要放在對(duì)應(yīng)的1管腳處；對(duì)BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識(shí)放在正極旁；對(duì)于管腳較多的器件要每隔5個(gè)管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號(hào)（6）對(duì)于二極管正極標(biāo)注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認(rèn)正極對(duì)應(yīng)的管腳號(hào)（接高電壓），然后在PCB中，找到對(duì)應(yīng)的管腳，將正極極性標(biāo)識(shí)放在對(duì)應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級(jí)管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標(biāo)注放在接低電壓的管腳處。PCB布局設(shè)計(jì)中布線的設(shè)計(jì)技巧。武漢打造PCB設(shè)計(jì)哪家好

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔數(shù)目滿足電源載流要求，過(guò)孔通流能力參照，地孔數(shù)不少于電源過(guò)孔數(shù)。鄂州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)銷售京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個(gè)流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫(kù)路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個(gè)全新PCBLayout文件，并對(duì)其命名。（2）命名方式：“項(xiàng)目名稱+日期+版本狀態(tài)”，名稱中字母全部大寫(xiě)，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫(kù)路徑（1）將封裝庫(kù)文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)，由客戶提供的封裝及經(jīng)我司封裝組確認(rèn)的封裝可直接加入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)，未經(jīng)審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)。（2）對(duì)設(shè)計(jì)文件設(shè)置庫(kù)路徑，此路徑指向該項(xiàng)目文件夾下的LIB文件夾或庫(kù)文件，路徑指向必須之一，禁止設(shè)置多指向路徑。疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。

導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì)，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過(guò)程中無(wú)錯(cuò)誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無(wú)遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認(rèn)軟件版本，設(shè)計(jì)時(shí)使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時(shí)暫停設(shè)計(jì)；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫(xiě)上“替代”、字體大小和封裝體一樣。PCB設(shè)計(jì)中等長(zhǎng)線處理方式技巧有哪些？咸寧設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)價(jià)格大全

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工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過(guò)2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過(guò)程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見(jiàn)模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。武漢打造PCB設(shè)計(jì)哪家好

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