宜昌定制PCB設(shè)計(jì)怎么樣

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動(dòng)芯片靠近連接器放置。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)工藝以及技巧。宜昌定制PCB設(shè)計(jì)怎么樣

工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。黃石正規(guī)PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開擺放，相對、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶的要求時(shí)，以客戶為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡稱，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號網(wǎng)絡(luò)說明。PCB設(shè)計(jì)中FPGA管腳的交換注意事項(xiàng)。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。射頻、中頻電路的基本概念是什么？荊門高效PCB設(shè)計(jì)走線

PCB典型的電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。宜昌定制PCB設(shè)計(jì)怎么樣

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內(nèi)不能有非地網(wǎng)絡(luò)外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡(luò)過孔存在，非地網(wǎng)絡(luò)過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進(jìn)行隔離。（9）差分線需嚴(yán)格按照工藝計(jì)算的差分線寬和線距布線；（10）相鄰信號層推薦正交布線方式，無法正交時(shí)，相互錯(cuò)開布線，（11）PCB LAYOUT中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)指的是芯片與芯片之間的連接方式，不同的總線特點(diǎn)不一樣，所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也不一樣，多拓?fù)涞幕ミB。宜昌定制PCB設(shè)計(jì)怎么樣

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