襄陽專業(yè)PCB設(shè)計(jì)多少錢

工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。襄陽專業(yè)PCB設(shè)計(jì)多少錢

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內(nèi)縮默認(rèn)2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時(shí)，寬長比＞2:3；傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時(shí)長度不超過傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域?yàn)閺陌蹇蜻吘墐?nèi)縮默認(rèn)40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴(kuò)大1mm，特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3個(gè)非對稱的Mark點(diǎn)，Mark點(diǎn)封裝由封裝組提供，1mm標(biāo)準(zhǔn)Mark點(diǎn)外邊沿距離傳送邊板邊間距≥5mm鄂州了解PCB設(shè)計(jì)價(jià)格大全PCB設(shè)計(jì)中等長線處理方式技巧有哪些？

DDR2模塊相對于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。

模塊劃分（1）布局格點(diǎn)設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準(zhǔn)則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨(dú)出現(xiàn)的分立器件，要放到對應(yīng)芯片的模塊中，無法確認(rèn)的，需要與客戶溝通,然后再放到對應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認(rèn)線寬、間距和過孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤）5Mil、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤5Mil、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點(diǎn)設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點(diǎn)上。（3）BGA封裝的主芯片可以通過軟件自動(dòng)扇孔完成。（4）主芯片需調(diào)整芯片的位置，使扇出過孔在格點(diǎn)上，且過孔靠近管腳，孔間距50Mil，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔，然后用表層線直接連接起來。在PCB設(shè)計(jì)中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串?dāng)_的影響，布線時(shí)拉開與同層相鄰信號的間距，時(shí)鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個(gè)信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。射頻、中頻電路的基本概念是什么？孝感如何PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

PCB設(shè)計(jì)疊層相關(guān)方案。襄陽專業(yè)PCB設(shè)計(jì)多少錢

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開窗過孔屏蔽，過孔應(yīng)相互錯(cuò)開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細(xì)的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長處理。7、當(dāng)信號線必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。襄陽專業(yè)PCB設(shè)計(jì)多少錢

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