白光干涉的相干原理早在1975年就已經(jīng)被提出，隨后于1976年在光纖通信領(lǐng)域中獲得了實現(xiàn)。1983年，BrianCulshaw的研究小組報道了白光干涉技術(shù)在光纖傳感領(lǐng)域中的應(yīng)用。隨后在1984年，報道了基于白光干涉原理的完整的位移傳感系統(tǒng)。該研究成果證明了白光干涉技術(shù)可以被用于測量能夠轉(zhuǎn)換成位移的物理參量。此后的幾年間，白光干涉應(yīng)用于溫度、壓力等的研究相繼被報道。自上世紀(jì)九十年代以來，白光干涉技術(shù)快速發(fā)展，提供了實現(xiàn)測量的更多的解決方案。近幾年以來，由于傳感器設(shè)計與研制的進步，信號處理新方案的提出，以及傳感器的多路復(fù)用等技術(shù)的發(fā)展，使得白光干涉測量技術(shù)的發(fā)展更加迅***光干涉膜厚測量技術(shù)可以對薄膜的厚度、反射率、折射率等光學(xué)參數(shù)進行測量。膜厚儀技術(shù)指導(dǎo)
為了提高靶丸內(nèi)爆壓縮效率，需要確保靶丸所有幾何參數(shù)和物性參數(shù)都符合理想的球?qū)ΨQ狀態(tài)，因此需要對靶丸殼層厚度分布進行精密檢測。常用的測量手法有X射線顯微輻照法、激光差動共焦法和白光干涉法等。白光干涉法是以白光作為光源，分成入射到參考鏡和待測樣品的兩束光，在計算機管控下進行掃描和干涉信號分析，得到膜的厚度信息。該方法適用于靶丸殼層厚度的測量，但需要已知殼層材料的折射率，且難以實現(xiàn)靶丸殼層厚度分布的測量。白光干涉膜厚儀成本價Michelson干涉儀的光路長度是影響儀器精度的重要因素。
在初始相位為零的情況下，當(dāng)被測光與參考光之間的光程差為零時，光強度將達到最大值。為了探測兩個光束之間的零光程差位置，需要使用精密Z向運動臺帶動干涉鏡頭作垂直掃描運動，或移動載物臺。在垂直掃描過程中，可以用探測器記錄下干涉光強，得到白光干涉信號強度與Z向掃描位置（兩光束光程差）之間的變化曲線。通過干涉圖像序列中某波長處的白光信號強度隨光程差變化的示意圖，可以找到光強極大值位置，即為零光程差位置。通過精確確定零光程差位置，可以實現(xiàn)樣品表面相對位移的精密測量。同時，通過確定最大值對應(yīng)的Z向位置，也可以獲得被測樣品表面的三維高度。
該文主要研究了以半導(dǎo)體鍺和貴金屬金兩種材料為對象，實現(xiàn)納米級薄膜厚度準(zhǔn)確測量的可行性，主要涉及三種方法，分別是白光干涉法、表面等離子體共振法和外差干涉法。由于不同材料薄膜的特性不同，所適用的測量方法也不同。對于折射率高，在通信波段（1550nm附近）不透明的半導(dǎo)體鍺膜，選擇采用白光干涉的測量方法；而對于厚度更薄的金膜，其折射率為復(fù)數(shù)，且能夠激發(fā)表面等離子體效應(yīng)，因此采用基于表面等離子體共振的測量方法。為了進一步提高測量精度，論文還研究了外差干涉測量法，通過引入高精度的相位解調(diào)手段并檢測P光和S光之間的相位差來提高厚度測量的精度。白光干涉膜厚儀是用于測量薄膜厚度的一種儀器，可用于透明薄膜和平行表面薄膜的測量。
由于不同性質(zhì)和形態(tài)的薄膜對測量量程和精度的需求不相同，因此多種測量方法各有優(yōu)缺點，難以籠統(tǒng)評估。測量特點總結(jié)如表1-1所示，針對薄膜厚度不同，適用的測量方法分別為橢圓偏振法、分光光度法、共聚焦法和干涉法。對于小于1μm的薄膜，白光干涉輪廓儀的測量精度較低，分光光度法和橢圓偏振法較為適用；而對于小于200nm的薄膜，橢圓偏振法結(jié)果更可靠，因為透過率曲線缺少峰谷值。光學(xué)薄膜厚度測量方案目前主要集中于測量透明或半透明薄膜。通過使用不同的解調(diào)技術(shù)處理白光干涉的圖樣，可以得到待測薄膜厚度。本章詳細(xì)研究了白光干涉測量技術(shù)的常用解調(diào)方案、解調(diào)原理及其局限性，并得出了基于兩個相鄰干涉峰的白光干涉解調(diào)方案不適用于極短光程差測量的結(jié)論。在此基礎(chǔ)上，提出了一種基于干涉光譜單峰值波長移動的白光干涉測量解調(diào)技術(shù)。隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用領(lǐng)域的擴展，白光干涉膜厚儀的性能和功能將得到進一步提高。品牌膜厚儀
白光干涉膜厚測量技術(shù)可以實現(xiàn)對不同材料的薄膜進行測量；膜厚儀技術(shù)指導(dǎo)
薄膜作為一種特殊的微結(jié)構(gòu)，近年來在電子學(xué)、力學(xué)、現(xiàn)代光學(xué)得到了廣泛的應(yīng)用，薄膜的測試技術(shù)變得越來越重要。尤其是在厚度這一特定方向上，尺寸很小，基本上都是微觀可測量。因此，在微納測量領(lǐng)域中，薄膜厚度的測試是一個非常重要而且很實用的研究方向。在工業(yè)生產(chǎn)中，薄膜的厚度直接關(guān)系到薄膜能否正常工作。在半導(dǎo)體工業(yè)中，膜厚的測量是硅單晶體表面熱氧化厚度以及平整度質(zhì)量控制的重要手段。薄膜的厚度影響薄膜的電磁性能、力學(xué)性能和光學(xué)性能等，所以準(zhǔn)確地測量薄膜的厚度成為一種關(guān)鍵技術(shù)。膜厚儀技術(shù)指導(dǎo)