鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.0038 外 觀：銀白色 蒸 發(fā) 源（絲、片）：W（鍍Al2O3） 坩 堝：Al2O3 性 質(zhì)：與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發(fā)，在EB內(nèi)激烈飛濺，鈀是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材。常州鈹靶材價(jià)格
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個(gè)重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來(lái)說(shuō)，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對(duì)沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作電壓;另一個(gè)是適當(dāng)提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率 一般來(lái)說(shuō)，磁控靶的濺射功率增高時(shí)，薄膜的沉積率速率也會(huì)變大;這里有一個(gè)先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽(yáng)極間電場(chǎng)中獲得的能量，足以大過(guò)靶材的“濺射能量閥值”。
合肥二元合金靶材綁定通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。
磁控濺射一定要求靶材表面要拋光嗎？磁控濺射過(guò)程中，等離子體的離子撞擊靶材，濺射出靶材的原子、原子團(tuán)、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團(tuán)沉積到基材上形成薄膜。濺射發(fā)生在靶材表面，靶材表面物理狀態(tài)不均勻也沒(méi)有關(guān)系，濺射的時(shí)候會(huì)先濺射凸起，濺射時(shí)間長(zhǎng)了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀態(tài)不需要拋光。濺射過(guò)程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)，所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材，如果不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來(lái)研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究?jī)r(jià)值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒(méi)有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國(guó)內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。 結(jié)果表明，選取適當(dāng)?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進(jìn)行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。濺射的時(shí)候會(huì)先濺射凸起，濺射時(shí)間長(zhǎng)了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀態(tài)不需要拋光。
陶瓷靶材：ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類。常州鈹靶材價(jià)格
濺射出靶材的原子、原子團(tuán)、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團(tuán)沉積到基材上形成薄膜。常州鈹靶材價(jià)格
根據(jù)客戶需要的比例計(jì)算、配料。（嚴(yán)格按照需求比例進(jìn)行配料，以便保證合金的成分比例，降低公差）；根據(jù)元素的熔點(diǎn)、元素特性、用量等選擇合適的熔煉爐工藝排期、熔煉；熔煉成型，根據(jù)客戶要求大小進(jìn)行破碎、切割等后期處理。高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材規(guī)格說(shuō)明：產(chǎn)品規(guī)格靶材可定制產(chǎn)品數(shù)量1000包裝說(shuō)明雙層真空包裝價(jià)格說(shuō)明1000◆產(chǎn)品說(shuō)明：高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片。原子量：106.4密度（20℃）/g?cm-3：12.02熔點(diǎn)/℃：1552蒸發(fā)溫度/℃：1460沸點(diǎn)/℃：3140汽化溫度/℃：常州鈹靶材價(jià)格
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)，并通過(guò)與國(guó)內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽(yáng)能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂?jī)商?，綁定平臺(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過(guò)客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。