拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過渡。所述拋光片第三部分330設(shè)置于所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對靶材側(cè)棱進(jìn)行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進(jìn)行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。
主要由三種方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。無錫WC+Co靶材
玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別，大概分為以下幾種： 1、皇冠金（crown gold），黃金含量在22K(91.667％)，由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金，黃金含量也在18K(75％)，但其它另含有約4％的銀和21％的銅，呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金，黃金含量在14K(58.33％)，其它添加金屬為銅(41.67％)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素，用來達(dá)到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能，這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因之一。
無錫WC+Co靶材真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材拋光裝置。背景技術(shù)：濺射鍍膜屬于物相沉積方法制備薄膜的工藝之一，具體是指利用高能粒子轟擊靶材表面，使得靶材原子或分子獲得足夠的能量逸出，并沉積在基材或工件表面，從而形成薄膜。由于背板具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，且還可以起到固定支撐作用，因此，靶材在鍍膜前需與背板焊接在一起，然后共同裝配至濺射基臺。一般活性金屬靶材，例如鋁靶材，由于長期暴露在空氣中，靶材表面材料容易氧化形成一層氧化皮。在直流脈沖、中頻濺射過程中，離子撞擊的能量不足以破壞該氧化皮，導(dǎo)致靶材原子或分子難以逸出，因此在將靶材安裝至濺射基臺之前，需要對靶材表面進(jìn)行拋光。此外，對于活性金屬靶材及非活性金屬靶材，拋光操作有利于改善靶材的濺射速率的穩(wěn)定性，有助于提高濺射鍍膜質(zhì)量。目前業(yè)內(nèi)通常采用人工手動對靶材表面進(jìn)行拋光，即操作人員手持砂紙對靶材的各個表面進(jìn)行拋光，作業(yè)效率低。
靶中毒現(xiàn)象：正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。靶中毒的物理解釋：一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒時，濺射電壓會明顯降低。金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價(jià)值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。 結(jié)果表明，選取適當(dāng)?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進(jìn)行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。北京氧化鎂靶材
制備過程嚴(yán)格控制雜質(zhì)元素的引入。無錫WC+Co靶材
鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片。 ;原子量:106.4 ;密度（20℃）/g?cm-3:12.02 ;熔點(diǎn)/℃:1552 ;蒸發(fā)溫度/℃:1460 ;沸點(diǎn)/℃:3140 ;汽化溫度/℃:1317 ;比熱容（25℃）J?（g?K）-1:0.2443 ;電阻率（0℃）/uΩ?cm:10.6 ;熔化熱/kJ?mol-1:16.7 ;汽化熱/kJ?mol-1:361.7 ;熱導(dǎo)率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1:0.753 ;電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1:0.0038 ;外觀:銀白色 ;蒸發(fā)源（絲、片）:W（鍍Al2O3） ;坩堝:Al2O3 ;性質(zhì):與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發(fā)，在EB***內(nèi)激烈飛濺，鈀是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。無錫WC+Co靶材
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。