譜學(xué)技術(shù)微納米材料的化學(xué)成分分析主要依賴于各種譜學(xué)技術(shù),包括紫外-可見(jiàn)光譜紅外光譜、x射線熒光光譜、拉曼光譜、俄歇電子能譜、x射線光電子能譜等。另有一類譜儀是基于材料受激發(fā)的發(fā)射譜,是專為研究品體缺陷附近的原子排列狀態(tài)而設(shè)計(jì)的,如核磁共振儀、電子自旋共振譜儀、穆斯堡爾譜儀、正電子湮滅等等。熱分析技術(shù),納米材料的熱分析主要是指差熱分析、示差掃描量熱法以及熱重分析。三種方法常常相互結(jié)合,并與其他方法結(jié)合用于研究微納米材料或納米粒子的一些特 征:(1)表面成鍵或非成鍵有機(jī)基團(tuán)或其他物質(zhì)的存在與否、含量多少、熱失重溫度等(2)表面吸附能力的強(qiáng)弱與粒徑的關(guān)系(3)升溫過(guò)程中粒徑變化(4)升溫過(guò)程中的相轉(zhuǎn)變情況及晶化過(guò)程。納米力學(xué)測(cè)試還可以用于研究納米結(jié)構(gòu)材料的斷裂行為和變形機(jī)制。核工業(yè)納米力學(xué)測(cè)試市場(chǎng)價(jià)格
微納米材料力學(xué)性能測(cè)試系統(tǒng)是一種用于機(jī)械工程領(lǐng)域的科學(xué)儀器,于2008年11月18日啟用??v向載荷力和位移。載荷力分辨率:3nN(在施加1μN(yùn)的條件下);較小載荷接觸力:<100nN;較大載荷:10mN;位移分辨率:0.0004nm;較小位移:<0.2nm;較大位移:5μm;熱漂移:<0.05nm/s(在室溫條件下)。 橫向載荷力和位移。載荷力的分辨率:0.5μN(yùn);較小橫向力:<5μN(yùn);較大橫向力:2mN;位移分辨率:3nm;較小位移:<5nm;較大位移:15μm;熱漂移:<0.05nm/s(在室溫條件下)。磨損面積范圍:4μm x 4μm 到 60μm x 60μm;磨損速率:≤180μm/s;縱向載荷范圍:100nN – 1mN。X-Y stage。江西紡織納米力學(xué)測(cè)試收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)借助納米力學(xué)測(cè)試,可以評(píng)估材料在微觀尺度下的耐磨性和耐蝕性。
FT-NMT03納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)可以配合SEM/FIB原位精確直接地測(cè)量納米纖維的力學(xué)特性。微力傳感器加載微力,納米力學(xué)測(cè)試結(jié)合高分辨位置編碼器可以對(duì)納米纖維進(jìn)行拉伸、循環(huán)、蠕變、斷裂等形變測(cè)試。力-形變(應(yīng)力-應(yīng)變)曲線可以定量的表征納米纖維的材料特性。此外,納米力學(xué)測(cè)試結(jié)合樣品架電連接,可以定量表征電-機(jī)械性質(zhì)。位置穩(wěn)定性,納米力學(xué)測(cè)試對(duì)于納米纖維的精確拉伸測(cè)試,納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)的位移是測(cè)試不穩(wěn)定性的主要來(lái)源。圖2展示了FT-NMT03納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)位移的統(tǒng)計(jì)學(xué)評(píng)價(jià),從中可以找到每一個(gè)測(cè)試間隔內(nèi)位移導(dǎo)致的不確定性,例如100s內(nèi)為450pm,意思是65%(或95%)的概率,納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)在100s的時(shí)間間隔內(nèi)的位移穩(wěn)定性小于±450pm(或±900pm)。
隨著精密、 超精密加工技術(shù)的發(fā)展,材料在納米尺度下的力學(xué)特性引起了人們的極大關(guān)注研究。而傳統(tǒng)的硬度測(cè)量方法只適于宏觀條件下的研究和應(yīng)用,無(wú)法用于測(cè)量壓痕深度為納米級(jí)或亞微米級(jí)的硬度( 即所謂納米硬度,nano- hardness) 。近年來(lái),測(cè)量納米硬度一般采用新興的納米壓痕技術(shù) (nano-indentation),由于采用納米壓痕技術(shù)可以在極小的尺寸范圍內(nèi)測(cè)試材料的力學(xué)性能,除了塑性性質(zhì)外,還可反映材料的彈性性質(zhì),因此得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。納米力學(xué)測(cè)試可以應(yīng)用于納米材料的力學(xué)模擬和仿真,加速納米材料的研發(fā)和應(yīng)用過(guò)程。
電子/離子束云紋法和電鏡掃描云紋法,利用電子/離子?xùn)|抗蝕劑制作出10000線/mm的電子/離子?xùn)|云紋光柵,這種光柵的應(yīng)用頻率范圍為40~20000線/mm,柵線的較小寬度可達(dá)到幾十納米。電鏡掃描條紋的倍增技術(shù)用于單晶材料納米級(jí)變形測(cè)量。其原理是:在測(cè)量中,單晶材料的晶格結(jié)構(gòu)由透射電鏡(TEM)采集并記錄在感光膠片上作為試件柵,以幾何光柵為參考柵,較終通過(guò)透射電鏡放大倍數(shù)與試件柵的頻率關(guān)系對(duì)上述兩柵的干涉云紋進(jìn)行分析,即可獲得單晶材料表面微小的應(yīng)變場(chǎng)。STM/晶格光柵云紋法,隧道顯微鏡(STM)納米云紋法是測(cè)量表面位移的新技術(shù)。測(cè)量中,把掃描隧道顯微鏡的探針掃描線作為參考柵,把物質(zhì)原子晶格柵結(jié)構(gòu)作為試件柵,然后對(duì)這兩組柵線干涉形成的云紋進(jìn)行納米級(jí)變形測(cè)量。運(yùn)用該方法對(duì)高定向裂解石墨的納米級(jí)變形應(yīng)變進(jìn)行測(cè)試,得到隨掃描范圍變化的應(yīng)變場(chǎng)。納米力學(xué)測(cè)試是一種用于研究納米尺度材料力學(xué)性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)方法。廣州國(guó)產(chǎn)納米力學(xué)測(cè)試方法
通過(guò)納米力學(xué)測(cè)試,可以優(yōu)化材料的加工工藝,提高產(chǎn)品的性能和品質(zhì)。核工業(yè)納米力學(xué)測(cè)試市場(chǎng)價(jià)格
對(duì)納米材料和納米器件的研究和發(fā)展來(lái)說(shuō),表征和檢測(cè)起著至關(guān)重要的作用。由于人們對(duì)納米材料和器件的許多基本特征、結(jié)構(gòu)和相互作用了解得還不很充分,使其在設(shè)計(jì)和制造中存在許多的盲目性,現(xiàn)有的測(cè)量表征技術(shù)就存在著許多問(wèn)題。此外,由于納米材料和器件的特征長(zhǎng)度很小,測(cè)量時(shí)產(chǎn)生很大擾動(dòng),以至產(chǎn)生的信息并不能完全表示其本身特性。這些都是限制納米測(cè)量技術(shù)通用化和應(yīng)用化的瓶頸,因此,納米尺度下的測(cè)量無(wú)論是在理論上,還是在技術(shù)和設(shè)備上都需要深入研究和發(fā)展。核工業(yè)納米力學(xué)測(cè)試市場(chǎng)價(jià)格