由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過(guò)程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓（換相過(guò)電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程，會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。措施：在三相變壓器...

螺栓式和平板式的晶閘管模塊哪個(gè)更好？可控硅模塊在端電力元器件中是非常常見(jiàn)的設(shè)備，功能也非常強(qiáng)大，類型有很多，從外形分類有凸型、凹型、半厚型和螺栓型，還有平板型。那么您知道螺栓式和平板式的可控硅模塊哪個(gè)更好？下面可控硅生產(chǎn)廠家正高來(lái)帶您了解一下。螺栓晶閘管是市場(chǎng)上較早出現(xiàn)的一種整流晶閘管模塊,它是90年代非常受歡迎的晶閘管模塊之一。隨著市場(chǎng)的不斷發(fā)展與更新，平板式晶閘管逐漸取代螺栓式晶閘管，無(wú)論是在價(jià)格、過(guò)電流還是安裝維護(hù)上，平板式晶閘管都比螺栓晶閘管更有優(yōu)勢(shì)..平板式晶閘管模塊采用沖氮壓接的生產(chǎn)工業(yè);產(chǎn)品的壓降小，過(guò)流能力強(qiáng)，一致的觸發(fā)特性，電壓特性一致，封裝密封性強(qiáng)，更耐用，壽命更長(zhǎng)；平板式...

但無(wú)法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷，可降低陽(yáng)極電壓，或增大負(fù)載電阻，使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門(mén)極斷開(kāi)時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽(yáng)極電流叫維持電流），電流會(huì)突然降到零，之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻，電流不會(huì)再增大，說(shuō)明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽(yáng)極伏安特性，可以總結(jié)出：1．門(mén)極斷開(kāi)時(shí)。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”。多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管...

將焊接好的電路板裝進(jìn)合適的塑料肥皂盒或原調(diào)速器盒中，將原分線器開(kāi)關(guān)拆除不用，留出空余位置便于安裝印制板電路。一般風(fēng)扇用電抗器均采取5擋。不妨利用其中①、③、⑤擋，將強(qiáng)風(fēng)（第1擋）、中風(fēng)（第2擋）弱風(fēng)（第3擋）分別接到電抗器的各擋中。若有的調(diào)速器中無(wú)電抗器，風(fēng)扇電機(jī)則是采取抽頭方式改變風(fēng)速的，同樣將三種風(fēng)速分別接至分線器的三極引線中。在改裝中特別要注意安全，印制板上220V交流電源接線端及所有導(dǎo)電部位應(yīng)與調(diào)整器盒的金屬件嚴(yán)格隔離。改裝完畢，可用測(cè)電筆碰觸調(diào)速器有否漏電。否則應(yīng)進(jìn)一步采取絕緣措施。通電試驗(yàn)時(shí)，用萬(wàn)用表DC10V檔測(cè)C2兩端電壓應(yīng)為5V－6V之間，若不正常，應(yīng)重點(diǎn)檢查整流穩(wěn)壓電路，然...

可控硅調(diào)壓器模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。其實(shí)是先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枵{(diào)壓器模塊的優(yōu)點(diǎn)：體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)?？煽毓枵{(diào)壓器模塊的分類：可控硅調(diào)壓器模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)...

正高講：雙向可控硅模塊的工作象限，可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優(yōu)勢(shì)是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國(guó)在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個(gè)工作象限，在實(shí)際工作時(shí)只有兩個(gè)象限組合成一個(gè)完整的工作周期。組合如下：Ⅰ-Ⅲ、Ⅱ-Ⅲ、Ⅰ-Ⅳ，沒(méi)有Ⅰ-Ⅱ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅲ-Ⅳ組合同時(shí)根據(jù)G-T1和T2-T1的極性來(lái)判別工作象限。一般門(mén)極外接的電路是（1）RC+DB3此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限；（2）光電耦合器，此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號(hào)的極性隨著主回路的交流電過(guò)零在變化。且極外接的是多腳集成塊（或再串小信號(hào)管），此時(shí)雙向可控...

晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？晶閘管模塊在長(zhǎng)期的使用情況下會(huì)產(chǎn)生高溫，這時(shí)就必須安裝散熱器，有時(shí)會(huì)因?yàn)樯崞靼惭b與使用方法的不當(dāng)，效果就有很大的差異，下面正高電器來(lái)講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？用簡(jiǎn)易數(shù)字萬(wàn)用表附帶的點(diǎn)溫計(jì)對(duì)KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進(jìn)行了測(cè)量，對(duì)比同一臺(tái)設(shè)備，同類器件，不同散熱器在相同工作條件下的溫度，以此來(lái)比較散熱器的散熱效果。具體測(cè)量的有關(guān)數(shù)據(jù)如下：工作條件中，中頻電源直流電流1800A，進(jìn)水溫度40°C。用此種方法所測(cè)的溫度雖然有一定的誤差，也不能元件的真正殼溫，但通過(guò)相對(duì)比較能明顯地說(shuō)明，不同情況的散熱器散熱...

這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國(guó)產(chǎn)3CT系列。可控硅調(diào)壓器電路圖（二）在很多使用交流電源的負(fù)載中，需要完成調(diào)光、調(diào)溫等功能，要求交流電源能平穩(wěn)地調(diào)節(jié)電壓。圖205所示，是一種筒單交流調(diào)壓器，可代替普通交流調(diào)壓器，體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經(jīng)電阻R，和電位器W向電容C充電。當(dāng)電容上的電成送到手定值時(shí)堯通過(guò)二極管D和可控硅控制極，使可...

會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾...

能夠用正觸發(fā)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)使其關(guān)斷的可控硅等等。工作原理:魚(yú)網(wǎng)面發(fā)熱體是由漁網(wǎng)狀構(gòu)造的棉布涂覆其上的碳素液，通過(guò)化學(xué)合成制成的電氣抵抗體PE、PET、PU等材料在真空狀態(tài)下形成的保護(hù)膜，以電極發(fā)熱的碳纖維材料，利用碳原子之間的相互運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生摩擦熱制造的發(fā)熱材料可控硅有多種分類辦法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控造方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控造方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。其次，要計(jì)算好使用面積，同一房間應(yīng)選用同一批號(hào)同一花...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使...

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)...

N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)...

晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？晶閘管模塊在長(zhǎng)期的使用情況下會(huì)產(chǎn)生高溫，這時(shí)就必須安裝散熱器，有時(shí)會(huì)因?yàn)樯崞靼惭b與使用方法的不當(dāng)，效果就有很大的差異，下面正高電器來(lái)講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時(shí)需要注意哪些事項(xiàng)？用簡(jiǎn)易數(shù)字萬(wàn)用表附帶的點(diǎn)溫計(jì)對(duì)KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進(jìn)行了測(cè)量，對(duì)比同一臺(tái)設(shè)備，同類器件，不同散熱器在相同工作條件下的溫度，以此來(lái)比較散熱器的散熱效果。具體測(cè)量的有關(guān)數(shù)據(jù)如下：工作條件中，中頻電源直流電流1800A，進(jìn)水溫度40°C。用此種方法所測(cè)的溫度雖然有一定的誤差，也不能元件的真正殼溫，但通過(guò)相對(duì)比較能明顯地說(shuō)明，不同情況的散熱器散熱...

三相可控硅觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活,安裝簡(jiǎn)便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報(bào)警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無(wú)溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)...

1.用指針式萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量可控硅陽(yáng)極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽(yáng)極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬(wàn)用表分別測(cè)量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽(yáng)極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，晶閘管(可控硅)才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控...

電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開(kāi)關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝所用材料、電子膠（帶）制品、電子化學(xué)材料及部品等。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。我們認(rèn)為電感器和電容器一樣，也是一種儲(chǔ)能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)能，并在磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成...

大家可能會(huì)對(duì)它有些許的陌生，其實(shí)我們每個(gè)人都在接觸電力調(diào)整器，那么就讓我們從是干什么的開(kāi)始吧！是用于晶閘管以及其他的觸發(fā)控制電路來(lái)進(jìn)行調(diào)整負(fù)載功率的調(diào)整單元，當(dāng)然現(xiàn)在大多數(shù)的**則是運(yùn)用數(shù)字電路進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)壓和調(diào)功。一般情況下調(diào)壓是采用相應(yīng)的移相控制方式，而調(diào)功則有定周期的調(diào)功和變周期調(diào)功。那么電力調(diào)整器到底到底有什么樣的特點(diǎn)呢，那就讓正高的小編帶大家去了解下吧！1.像阻性、感性負(fù)載、變壓器的一側(cè)則會(huì)采用移相觸發(fā)的方式2.可以選擇多種的控制信號(hào)3.可以“自動(dòng)限流”當(dāng)負(fù)載的電流大于額定的值數(shù)時(shí)，則調(diào)壓器輸出的電流將會(huì)被限定在額定值的左右4.為了減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊和干擾，具有軟起動(dòng)，軟關(guān)斷的的功能，...

對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅；當(dāng)按風(fēng)型選擇鍵SB4，電風(fēng)扇即按連續(xù)風(fēng)（常風(fēng)）、陣風(fēng)（模擬自然風(fēng)）、連續(xù)風(fēng)……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風(fēng)狀態(tài)下，風(fēng)型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風(fēng)狀態(tài)下，VD4閃光；當(dāng)按動(dòng)定時(shí)時(shí)間選擇鍵SB2，定時(shí)指示管VD5－VD8依次對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅，即每按動(dòng)一次SB2，可選擇其中一種定時(shí)時(shí)間，共有、l、2、4小時(shí)和不定時(shí)5種工作方式供選擇。當(dāng)定時(shí)時(shí)間一到，IC內(nèi)部的定時(shí)電路停止工作，相應(yīng)的定時(shí)指示管熄滅同時(shí)IC的11－13腳也無(wú)控制信號(hào)輸出，雙向晶閘管VS1－VS3截止，從而導(dǎo)致風(fēng)扇自動(dòng)停止運(yùn)轉(zhuǎn)；在風(fēng)扇不定時(shí)工作時(shí)，欲停止風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)，只要按動(dòng)一下復(fù)位開(kāi)關(guān)SB1，所有指示燈熄滅，電源...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣...

主要的因素是建筑維護(hù)物的保溫狀況、周邊相鄰單元是否供暖和產(chǎn)品的綜合熱效率以及供暖方式等方面.這就是任何產(chǎn)品都不能給出一個(gè)準(zhǔn)確的耗能量的原因，我們建議用戶，如果你的房屋沒(méi)有保溫處理,好自己做保溫處理,特別是新購(gòu)買未裝修的新房,一定在裝修時(shí)考慮進(jìn)行保溫處理,平方米的房屋費(fèi)用只幾千元,比起花幾萬(wàn)甚至十幾萬(wàn)來(lái)做常規(guī)的裝修是個(gè)非常少的開(kāi)支,但冬天供暖節(jié)能,夏天制冷節(jié)能的效果卻是相差幾倍,年便可節(jié)省下保溫處理的費(fèi)用,但卻幾十年享受節(jié)能的效果.熱量的傳遞方式分為對(duì)流、傳導(dǎo)、輻射三種形式，輻射熱是人體覺(jué)得溫馨的傳熱方式，給人以陽(yáng)光般溫暖的覺(jué)得，沒(méi)有空氣活動(dòng)、沒(méi)有熱感，人們可根據(jù)本身需要，設(shè)定合適本人的室內(nèi)溫度...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門(mén)極觸發(fā)電壓VG、門(mén)極觸發(fā)電流IG、門(mén)極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門(mén)極(G)開(kāi)路的條件下，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去1...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使...

用指針式萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量可控硅陽(yáng)極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽(yáng)極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬(wàn)用表分別測(cè)量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽(yáng)極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，晶閘管(可控硅)才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)...

用指針式萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量可控硅陽(yáng)極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽(yáng)極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬(wàn)用表分別測(cè)量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽(yáng)極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，晶閘管(可控硅)才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)...

可控硅模塊因?yàn)槭褂玫臅r(shí)間的增長(zhǎng)，肯定或多或少地出現(xiàn)發(fā)熱的這種情況，為了是可控硅正常運(yùn)行，我們不得不采取一些措施，針對(duì)這種發(fā)熱的問(wèn)題，我們將會(huì)針對(duì)這個(gè)問(wèn)題采取一定的措施，比如購(gòu)買散熱器，或者其他的種類。所以正高電氣的小編將會(huì)針對(duì)這個(gè)可控硅模塊的問(wèn)題進(jìn)行分析一下：1.需要散熱的面積，是與這個(gè)模塊的電流有著直接的聯(lián)系的。2.采取怎樣的冷卻方式是有這個(gè)環(huán)境散熱的條件來(lái)確定的，比如說(shuō)：自然去冷卻這個(gè)發(fā)熱的問(wèn)題、用強(qiáng)迫的風(fēng)冷去降溫或者說(shuō)用水冷卻。3.使用什么樣的散熱器，取決于外形、體積以及空間的大小。鋁型材散熱器是絕大多數(shù)用戶將會(huì)選擇的，但是為了讓客戶選擇的散熱器滿足實(shí)際的要求，還應(yīng)該學(xué)會(huì)計(jì)算出這個(gè)散熱器...

晶閘管模塊，俗稱可控硅模塊，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，已然成為一些電路中不可或缺的重要元件。當(dāng)然，為了能夠使其發(fā)揮更大的使用價(jià)值，使用時(shí)仍然有很多事項(xiàng)需要注意。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解下吧！使用晶閘管模塊常識(shí)：1.在使用它的同時(shí)，必須要考慮除了通過(guò)的平均的電流之外，必須要注意正常工作的比如像是導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)的條件或者是其他的一些因素，并且溫度不能超過(guò)正常的電流的正常值。2.在使用它的同時(shí)，應(yīng)該用相應(yīng)的儀器去檢查晶閘管的模塊是不是還是良好的，有沒(méi)有出現(xiàn)短路或者是斷路的情況，如果發(fā)生了這種情況就必須立...

可控硅模塊是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。它是由三個(gè)PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個(gè)電極組成的半導(dǎo)體器件。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識(shí)吧！它的三個(gè)電極分別叫陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極（G）。當(dāng)器件的陽(yáng)極接負(fù)電位（相對(duì)陰極而言）時(shí)，從符號(hào)圖上可以看出PN結(jié)處于反向，具有類似二極管的反向特性。當(dāng)器件的陽(yáng)極上加正電位時(shí)（若控制極不接任何電壓），在一定的電壓范圍內(nèi)，器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個(gè)電壓（樂(lè)為轉(zhuǎn)折電壓）時(shí)，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。加在陽(yáng)極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時(shí)如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對(duì)陰極），只有使器件中的電流減到低于某個(gè)數(shù)值...

三相可控硅觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活,安裝簡(jiǎn)便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報(bào)警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無(wú)溫度漂移變化，運(yùn)行穩(wěn)定、工作可靠。強(qiáng)抗干擾能力，采用獨(dú)特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運(yùn)行。通用性強(qiáng)，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)...