超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成...

靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個合理的功率加大速率為1.5W小時/平方厘米。在進行預濺射的同時需要檢查靶材起弧狀況，預濺射時間一般為10分鐘左右。如沒有起弧現(xiàn)象，繼續(xù)提升濺射功率到設定功率。根據(jù)經(jīng)驗，一般應確保冷卻水出水口的水溫應低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作，通過冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量，是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項重要保障。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。山西AZO陶瓷靶材推薦廠家靶材主要由...

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學薄膜技術領域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應用前景。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。湖南功能性陶瓷靶材推薦廠家靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結（1600度，通氧氣燒結）形成的黑灰色陶瓷半導體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點。 ITO靶材被廣泛應用于各大行業(yè)之中。中國臺灣AZO陶瓷靶材市場價濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應力。這些內(nèi)應力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應力將會增加到許多...

ITO靶材被廣泛應用于各大行業(yè)之中，其主要應用分為：平板顯示器(FPD)產(chǎn)業(yè)，薄膜晶體管顯示器(TFT-LCD)、液晶顯示器(LCD)、電激發(fā)光顯示器(EL)、電致有機發(fā)光平面顯示器(OELD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示器(PDP)等;光伏產(chǎn)業(yè)，如薄膜太陽能電池;功能性玻璃，如紅外線反射玻璃、抗紫外線玻璃如幕墻玻璃、汽車、飛機上的防霧擋風玻璃、光罩和玻璃型磁盤等三大域。但主要應用于還是在平板顯示器中，它是濺射ITO導電薄膜的主要原料，沒有它的存在，諸多的材料將無法實現(xiàn)正常加工以及設計。ITO薄膜由于對可見光透明和導電性良好的性，還被廣泛應用于液晶顯示玻璃、幕墻玻璃和飛機、汽車上的...

靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計算得出。熱噴涂的靶材結構疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過程中迅速導致放電，甚至燒毀靶材。同時，靶材濺射表面的高溫會迅速導致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對密度應在98%以上，粉末冶金靶材應在9...

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發(fā)光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來，ZnO薄膜的制備技術及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜...

從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢；2）產(chǎn)品的密度相對更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進行砂磨。然后進行噴霧干燥，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO...

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生. ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生...

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達到99.95%,但對氧化鈮的物理性能指標要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動性及嚴格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對于平面靶材具有很多的優(yōu)點： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點,因此近年來逐步替代了平面靶材。 針對國內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)...

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內(nèi)應力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經(jīng)存在的內(nèi)部應力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當?shù)纳幔胁目赡軙_裂。靶材開裂預防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去...

靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計算得出。熱噴涂的靶材結構疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過程中迅速導致放電，甚至燒毀靶材。同時，靶材濺射表面的高溫會迅速導致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對密度應在98%以上，粉末冶金靶材應在9...

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導電性等特點，而以化合物、合金的形式被廣泛應用。目前，銦的主要應用領域是平板顯示領域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費量的80%；其次是半導體領域、焊料和合金領域、太陽能發(fā)電領域等。生產(chǎn)ITO靶材對于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導體材料對于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。通常靶材變黑...

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導電性等特點，而以化合物、合金的形式被廣泛應用。目前，銦的主要應用領域是平板顯示領域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費量的80%；其次是半導體領域、焊料和合金領域、太陽能發(fā)電領域等。生產(chǎn)ITO靶材對于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導體材料對于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。陶瓷靶材和金...

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經(jīng)過鍍膜，加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了...

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內(nèi)應力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經(jīng)存在的內(nèi)部應力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當?shù)纳?，靶材可能會開裂。靶材開裂預防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去...

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結（1600度，通氧氣燒結）形成的黑灰色陶瓷半導體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點。 薄膜晶體管液晶顯示面板（TFT-LCD）是當前的主流平面顯示技術。內(nèi)蒙古ITO陶瓷靶材市場價...

超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成...

主要PVD方法的特點：半導體、顯示面板使用濺射鍍膜法（1）金屬提純：靶材純度要求高。金屬提純的主要方式有化學提純與物理提純，化學提純主要分為濕法提純與火法提純，通過電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過蒸發(fā)結晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。（2）制造加工：塑性變形、熱處理、控制晶粒取向：需要根據(jù)下游應用領域的性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經(jīng)過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序精細繁多，技術門檻高、設備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少。靶材制造的方法主要有熔煉法與粉末冶金法。熔...

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學薄膜技術領域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應用前景。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。福建顯示行業(yè)陶瓷靶材一般多少錢氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能...

磁控濺射時靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細孔）在孔中有一些有機污染物（極端可能性）；2、可能靶材有點粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標表面保留了一些細薄的組織纖維，這可能是碳污染的來源；3、沉積速率可能相當高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。靶材是制備薄膜的主要材料之一。上海氧化物陶瓷靶材咨詢報價制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學薄膜...

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經(jīng)過鍍膜，加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了...

IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。IGZO為n型半導體材料，存在3.5 eV左右的帶隙，電子遷移率比非晶硅高1~2個數(shù)量級，其比較大特點是在非晶狀態(tài)下依然具有較高的電子遷移率。由于沒有晶界的影響，非晶結構材料比多晶材料有更好的均勻性，對于大面積制備有巨大的優(yōu)勢。正因為IGZO TFT具有高遷移率、非晶溝道結構、全透明和低溫制備這四大優(yōu)勢，使得IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發(fā)展趨勢。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓優(yōu)勢突出。重慶氧...

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生. ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生...

陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點：1.導電性:金屬靶材都具有導電性,可以適應各種不同電源類型機臺,而陶瓷靶材因為大部分不具備導電性,只能使用射頻電源. 2.導熱性:金屬靶材導熱性能好,濺射時可以大功率運行.陶瓷靶材導熱性較差,濺射時功率不宜過高.復合性:3. 金屬靶材內(nèi)很難摻入其他陶瓷類物質(zhì),濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據(jù)需要摻入不同金屬及陶瓷類物質(zhì),濺射后可以形成多種物質(zhì)組成的復合膜層,這點陶瓷靶材比金屬靶材占優(yōu).江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。河北AZO陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)陶瓷靶材陶瓷靶材按化學組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮...

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。山東陶瓷靶材價格咨詢從ITO靶材的發(fā)展趨勢來看：1）大尺寸化...

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生. ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應力。這些內(nèi)應力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應力將會增加到許多...