半導體激光器301與上述實施例半導體激光器201的區(qū)別在于：本實施例半導體激光器301進一步包括第二熱沉基板302，第二激光器模組304位于熱沉基板308的下表面與第二熱沉基板302的上表面之間。具體地，第二激光器模組305的第二下電極層303位于第二激光器模組305的第二巴條304與第二熱沉基板302的上表面之間。本實施例通過設置第二熱沉基板302，能夠增加對第二激光器模組305的散熱。本實施例的第二熱沉基板302與熱沉基板308相同，這里不贅述。當然，在其它實施例中，還可以在激光器模組的上電極層上設置熱沉基板。可選地，本實施例的連接件309連接激光器模組310的p面及第二激光器模組...

半導體激光器301與上述實施例半導體激光器201的區(qū)別在于：本實施例半導體激光器301進一步包括第二熱沉基板302，第二激光器模組304位于熱沉基板308的下表面與第二熱沉基板302的上表面之間。具體地，第二激光器模組305的第二下電極層303位于第二激光器模組305的第二巴條304與第二熱沉基板302的上表面之間。本實施例通過設置第二熱沉基板302，能夠增加對第二激光器模組305的散熱。本實施例的第二熱沉基板302與熱沉基板308相同，這里不贅述。當然，在其它實施例中，還可以在激光器模組的上電極層上設置熱沉基板。可選地，本實施例的連接件309連接激光器模組310的p面及第二激光器模組...

在半導體激光器件中，性能較好，應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。半導體激光器激光器編輯半導體激光器半導體激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現室溫下連續(xù)輸出。后來經過改良，開發(fā)出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管（Laserdiode）等，使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產量大的激光器。激光二極體的優(yōu)點有：效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達到數15%~25%，總而言之能量效率高是其大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅...

智能裝備是國之重器，是制造業(yè)的基石，尤其是半導體領域內智能裝備，在國民經濟發(fā)展中具有舉足輕重的作用。晶圓切割是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序。據悉，與傳統(tǒng)的切割方式相比，激光切割屬于非接觸式加工，可以避免對晶體硅表面造成損傷，并且具有加工精度高、加工效率高等特點，可以大幅提升芯片生產制造的質量、效率、效益。半導體激光隱形晶圓切割機通過采用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平臺，可以實現加工平臺在高速運動時保持高穩(wěn)定性、高精度，運動速度可達500mm/s，效率遠高于國外設備。在光學方面，根據單晶硅的光譜特性，結合工業(yè)激光的應用水平，采用了合適的波長、總功率、脈寬和重頻的激光器，終實現了...

在低于所需安全系數時發(fā)出警報。半導體激光夜視儀和激光夜視監(jiān)測儀也得到重要應用。利用半導體激光器列陣主動式夜視儀的光源具隱蔽性,列陣功率高的特點,可提高監(jiān)測距離至1km,如配上掃描和圖像顯示裝置,則可成為激光夜視監(jiān)測儀。用其對目標進行監(jiān)測時,目標的活動情況可適時通過光纜傳送到指揮所。選擇較長的合適波長,可成為全天候監(jiān)測儀。激光雷達：與CO2激光雷達相比,半導體激光列陣的激光雷達體積小、結構簡單、波長短、精度高、具有多種成像功能及實時圖像處理功能,包括各種成像的綜合、圖像跟蹤和目標的自動識別等?？捎糜诒O(jiān)測目標,測量大氣水氣、云層、空氣污染;還可用作飛機防撞雷達,機載切變風探測相干光雷達...

半導體激光器編輯鎖定半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續(xù)工作。半導體二極管激光器是實用重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦，其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz...

當前吹出保護氣體的氣嘴雖然能夠在一定程度上吹除焊煙，但是在面對復雜形狀的焊接件時，其無法通過調節(jié)氣嘴的位置來將焊煙吹除，從而會影響終焊接的質量。技術實現思路為此，本技術實施例提供一種半導體激光加工裝置，以解決現有技術中氣嘴無法根據工件形狀及時調整位置將焊煙吹除，從而影響焊接質量的問題。為了實現上述目的，本技術的實施方式提供如下技術方案：一種半導體激光加工裝置，在所述激光焊接頭上設置有以激光焊接頭的中心軸線轉動的調節(jié)架，在所述調節(jié)架的底部兩側關于激光焊接頭的中心軸線對稱設置有用于吹除焊煙的吹氣組件和用于吹出保護氣體的第二吹氣組件；所述吹氣組件和所述第二吹氣組件的出氣口自激光焊接頭的下方自...

有這樣幾種作用：保護管芯等不受外界侵蝕；采用不同的形狀和材料性質（摻或不摻散色劑），起透鏡或漫射透鏡功能，控制光的發(fā)散角；管芯折射率與空氣折射率相關太大，致使管芯內部的全反射臨界角很小，其有源層產生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯內部經多次反射而被吸收，易發(fā)生全反射導致過多光損失，選用相應折射率的環(huán)氧樹脂作過渡，提高管芯的光出射效率。用作構成管殼的環(huán)氧樹脂須具有耐濕性，絕緣性，機械強度，對管芯發(fā)出光的折射率和透射率高。選擇不同折射率的封裝材料，封裝幾何形狀對光子逸出效率的影響是不同的，發(fā)光強度的角分布也與管芯結構、光輸出方式、封裝透鏡所用材質和形狀有關。若采用尖形樹脂透鏡，可使光集...

可根據所切割的材料來選擇合適的保護氣體。吹氣組件2和第二吹氣組件3的出氣口自激光焊接頭的下方自上而下順次設置，且吹氣組件2的出氣口和第二吹氣組件3的出氣口在水平方向上形成有間隙。即在工作時，吹氣組件2的出氣口和第二吹氣組件3的出氣口之間存在一定的間隙，因此在對向的吹氣時，不會出現相互干涉的問題，吹氣組件2只用作吹除焊煙，因此吹氣組件2可直接吹出高流速空氣來將焊煙吹散，而第二吹氣組件3因在焊接時需要在吹除工件表面雜物的同時，也需要滿足焊接時對焊接處進行保護的要求，因此第二吹氣組件3所吹除的氣體需要根據所需要焊接的材料進行選擇。吹氣組件2包括套設在激光焊接頭上的旋轉接頭201、固定在調節(jié)架...

這些器件的發(fā)展特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧以及短波長化和光電單片集成化等。半導體激光器高功率1983年，波長800nm的單個LD輸出功率已超過100mW，到了1989年，，而1cm線陣LD已達到76W輸出，轉換效率達39%。1992年，美國人又把指標提高到一個新水平：1cm線陣LD連續(xù)波輸出功率達121W，轉換效率為45%。輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發(fā)展也為全固化激光器，亦即半導體激光泵浦（LDP）的固體激光器的迅猛發(fā)展提供了強有力的條件。為適應EDFA和EDFL等需要，波長980nm的大功率LD也有很大發(fā)展。...

光纖。具體實施方式為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。在本申請的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣...

特別是紅光、綠光和藍光面發(fā)射激光器的應用更.藍綠光半導體激光器用于水下通信、激光打印、高密度信息讀寫、深水探測及應用于大屏幕彩色顯示和高清晰度彩色電視機中.總之，可見光半導體激光器在用作彩色顯示器光源、光存貯的讀出和寫人，激光打印、激光印刷、高密度光盤存儲系統(tǒng)、條碼讀出器以及固體激光器的泵浦源等方面有著的用途.量子級聯激光的新型激光器應用于環(huán)境檢測和醫(yī)檢領域.另外，由于半導體激光器可以通過改變磁場或調節(jié)電流實現波長調諧，且已經可以獲得線寬很窄的激光輸出，因此利用半導體激光器可以進行高分辨光譜研究.可調諧激光器是深入研究物質結構而迅速發(fā)展的激光光譜學的重要工具大功率中紅外（)LD在紅外對...

特別是紅光、綠光和藍光面發(fā)射激光器的應用更.藍綠光半導體激光器用于水下通信、激光打印、高密度信息讀寫、深水探測及應用于大屏幕彩色顯示和高清晰度彩色電視機中.總之，可見光半導體激光器在用作彩色顯示器光源、光存貯的讀出和寫人，激光打印、激光印刷、高密度光盤存儲系統(tǒng)、條碼讀出器以及固體激光器的泵浦源等方面有著的用途.量子級聯激光的新型激光器應用于環(huán)境檢測和醫(yī)檢領域.另外，由于半導體激光器可以通過改變磁場或調節(jié)電流實現波長調諧，且已經可以獲得線寬很窄的激光輸出，因此利用半導體激光器可以進行高分辨光譜研究.可調諧激光器是深入研究物質結構而迅速發(fā)展的激光光譜學的重要工具大功率中紅外（)LD在紅外對...

半導體激光器通過光纖輸出焊接，實現非接觸遠距離操作，方便與自動化生產線集成；激光器有電流反饋閉環(huán)控制，實時監(jiān)測調節(jié)輸出激光，保證輸出激光的穩(wěn)定；光束能量分布均勻，光斑較大，焊接金屬時，焊縫表面光滑美觀。塑料焊接原理：常用的激光焊接形式被稱為激光透射焊接。首先將兩個待焊接塑料零部件加壓力夾在一起，然后將一束短波紅外區(qū)的激光定向到待粘結的部位。激光束穿過上層透光材料，能量被下層材料吸收，轉換成熱能，由于兩層材料被壓在一起，熱能從吸收層傳導到透光層上，使得兩層材料熔化并結合，同時由于材料本身的熱膨脹擴張產生內部壓力，內部壓力與外部壓力共同作用確保了兩部分的堅固焊接。適用材料：幾乎所有的熱塑性...

具有較窄能隙材料的一個薄層，因此注人的載流子被限制在該區(qū)域內（有源區(qū)），因而注人較少的電流就可以實現載流子數的反轉。在半導體激光器件中，比較成熟、性能較好、應用較廣的是具有雙異質結構的電注人式GaAs二極管激光器。隨著異質結激光器的研究發(fā)展，人們想到如果將超薄膜（<20nm）的半導體層作為激光器的激括層，以致于能夠產生量子效應，結果會是怎么樣?再加之由于MBE,MOCVD技術的成就。于是，在1978年出現了世界上只半導體量子阱激光器（QWL），它大幅度地提高了半導體激光器的各種性能.后來，又由于MOCVD,MBE生長技術的成熟，能生長出高質量超精細薄層材料，之后，便成功地研制出了性能更...

智能裝備是國之重器，是制造業(yè)的基石，尤其是半導體領域內智能裝備，在國民經濟發(fā)展中具有舉足輕重的作用。晶圓切割是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序。據悉，與傳統(tǒng)的切割方式相比，激光切割屬于非接觸式加工，可以避免對晶體硅表面造成損傷，并且具有加工精度高、加工效率高等特點，可以大幅提升芯片生產制造的質量、效率、效益。半導體激光隱形晶圓切割機通過采用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平臺，可以實現加工平臺在高速運動時保持高穩(wěn)定性、高精度，運動速度可達500mm/s，效率遠高于國外設備。在光學方面，根據單晶硅的光譜特性，結合工業(yè)激光的應用水平，采用了合適的波長、總功率、脈寬和重頻的激光器，終實現了...

雙異質結激光器是光纖通信和大氣通信的重要光源，如今，凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統(tǒng)無不都采用分布反饋式半導體激光器（DFB一LD).半導體激光器也地應用于光盤技術中，光盤技術是集計算技術、激光技術和數字通信技術于一體的綜合性技術.是大容量、高密度、快速有效和低成本的信息存儲手段，它需要半導體激光器產生的光束將信息寫人和讀出.半導體激光器下面我們具體來看看幾種常用的半導體激光器的應用：量子阱半導體大功率激光器在精密機械零件的激光加工方面有重要應用，同時也成為固體激光器理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可靠性和小型化的優(yōu)點，導致了固體激光器的不斷更新.在印刷業(yè)和醫(yī)學領域，高功率...

在半導體激光器件中，性能較好，應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。半導體激光器激光器編輯半導體激光器半導體激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現室溫下連續(xù)輸出。后來經過改良，開發(fā)出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管（Laserdiode）等，使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產量大的激光器。激光二極體的優(yōu)點有：效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達到數15%~25%，總而言之能量效率高是其大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅...

半導體激光器編輯鎖定半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續(xù)工作。半導體二極管激光器是實用重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦，其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz...

根據至少一個實施方式，激光輻射具有如下比較大強度的波長，所述波長位于近紫外光譜范圍中。近紫外光譜范圍尤其表示在200nm和420nm之間或在320nm和420nm之間的波長，其中包括邊界值。替選地，半導體激光器設計用于：發(fā)射可見的激光輻射，例如藍色的激光輻射或紅色的激光輻射。藍光推薦涉及至少420nm和/或比較高490nm的主波長。尤其將在600nm和700nm之間的主波長理解為紅光，其中包括邊界值。還可行的是：激光輻射為近紅外輻射，即為比較大強度的波長例如在700nm和1600nm之間的輻射，其中包括邊界值。同樣地，能夠產生在490nm和600nm之間的綠色或黃色光譜范圍中的激光...

半導體激光器編輯鎖定半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續(xù)工作。半導體二極管激光器是實用重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦，其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz...

第二連接件連接第二激光器模組的p面及第三激光器模組的n面。該技術方案能夠實現激光器模組、第二激光器模組及第三激光器模組串聯，能夠減少激光器的電極引線數量。在一個實施方式中，熱沉基板設置多個所述通孔，半導體激光器包括多個容置于通孔內的連接件。該技術方案能夠在某個連接件出現導電不良時，其它連接件可以實現熱沉基板上、下表面電極層的連接，使得激光器正常工作。在一個實施方式中，熱沉基板為陶瓷基板。本申請實施例的有益效果是：區(qū)別于現有技術，本申請實施例半導體激光器至少包括：熱沉基板，包括相對設置的上表面及下表面，熱沉基板設置有至少一個通孔，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組，設置在熱沉基板的上表...

連接件及第二連接件連接的兩個電極層中任何一個都可以與電極引線連接，且本申請不限定，正、負電極層在巴條上、下表面的位置。區(qū)別于現有技術，本申請實施例半導體激光器至少包括：熱沉基板，包括相對設置的上表面及下表面，熱沉基板設置有至少一個通孔，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組，設置在熱沉基板的上表面；第二激光器模組，設置在熱沉基板的下表面；連接件，容置于通孔內；其中，激光器模組與第二激光器模組通過連接件電連接。通過這種方式，本申請實施例通過容置于貫穿熱沉基板的通孔中的連接件將激光器模組中的下電極層與第二激光器模組中的第二上電極層連接，能夠實現激光器模組與第二激光器模組的電極層共用電極引線，...

閾值電流相對較大，而垂直腔面發(fā)射激光器腔長極短，閾值電流就非常低了。這些都不是一兩句話可以說的清楚的，它們各自的速率方程也都不同，不是一兩個式子能解釋的。另外諧振腔長度不同也可以達到選模的作用，即輸出激光的頻率不同。半導體激光器發(fā)展概況編輯半導體激光器簡介半導體激光器又稱激光二極管(LD）。進入八十年代，人們吸收了半導體物理發(fā)展的新成果，采用了量子阱（QW）和應變量子阱（SL-QW）等新穎性結構，引進了折射率調制Bragg發(fā)射器以及增強調制Bragg發(fā)射器新技術，同時還發(fā)展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長，達到原子層厚度的精度...

所述封裝外殼包括底板和管壁；所述半導體激光器芯片cos和所述快軸準直透鏡設置在所述底板上；所述圓形通孔開設在所述管壁上。進一步地，所述管壁通過焊接的方式與所述底板連接。綜上所述，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明公開的半導體激光器通過半導體激光器芯片cos輸出光束的光軸與快軸準直透鏡的光軸及光束整形機構的光軸在同一條直線上的設置，使其適用于大的發(fā)光條寬的半導體激光器芯片cos耦合進芯徑較小的光纖內，耦合效率高，可靠性好，操作簡單，造價低廉。在本發(fā)明的推薦實施例中，本發(fā)明通過膠粘的方式實現耦合機構和管壁之間的連接，與傳統(tǒng)焊接的方式對比，避免了焊接煙塵和助焊劑的污染，提高了產品的可靠性。附圖說明圖...

這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）的極大興趣，在會后回家的火車上他寫下了有關數據。回到家后，哈爾立即制定了研制半導體激光器的計劃，并與其他研究人員一道，經數周奮斗，他們的計劃獲得成功。像晶體二極管一樣，半導體激光器也以材料的p-n結特性為基礎，且外觀亦與前者類似，因此，半導體激光器常被稱為二極管激光器或激光二極管。半導體激光器早期的激光二極管有很多實際限制，例如，只能在77K低溫下以微秒脈沖工作，過了8年多時間，才由貝爾實驗室和列寧格勒（圣彼得堡）約飛（Ioffe）物理研究所制造出能在室溫下工作的連續(xù)器件。而足夠可靠的半導體激光器則直到70年代中期才出現。半導體激光器體積非...

這些器件的發(fā)展特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧以及短波長化和光電單片集成化等。半導體激光器高功率1983年，波長800nm的單個LD輸出功率已超過100mW，到了1989年，，而1cm線陣LD已達到76W輸出，轉換效率達39%。1992年，美國人又把指標提高到一個新水平：1cm線陣LD連續(xù)波輸出功率達121W，轉換效率為45%。輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發(fā)展也為全固化激光器，亦即半導體激光泵浦（LDP）的固體激光器的迅猛發(fā)展提供了強有力的條件。為適應EDFA和EDFL等需要，波長980nm的大功率LD也有很大發(fā)展。...

激光器模組203包括：巴條206、上電極層207及下電極層208，其中，上電極層206設置在巴條203的上表面，下電極層208位于巴條206與熱沉基板202的上表面之間；第二激光器模組204包括：第二巴條209、第二上電極層210及第二下電極層211，第二上電極層210位于熱沉基板202的下表面與第二巴條209之間，第二下電極層211設置在第二巴條209的下表面；其中，下電極層208與第二上電極層210通過連接件205連接。本實施例的熱沉基板202用于對位于其上表面的激光器模組203及位于下表面的第二激光器模組204進行散熱。其中，本實施例的巴條206及第二巴條209均為半導體巴條。本...

一種半導體激光器，該半導體激光器包括：半導體激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快軸準直透鏡3、光束整形機構4和光纖輸入端結構7，具體結構參見圖1。如圖2所示，光束整形機構4包括：套筒41，以及設置在套筒41內的慢軸準直透鏡42、自聚焦透鏡43和限位環(huán)44。如圖2所示，光纖輸入端結構7包括：陶瓷插針71和穿設在陶瓷插針71內的光纖73；陶瓷插針71用于固定光纖73。陶瓷插針71的一端安裝于套筒41內，限位環(huán)44位于陶瓷插針71和自聚焦透鏡43中間，實現自聚焦透鏡43和光纖73的光學定位；限位環(huán)44的長度控制光纖73與自聚焦透鏡43間距，實現耦合焦距等的調整。半導體激...

半導體激光打標機->[圖文]斷面泵浦半導體激光打標機斷面泵浦半導體激光打標機斷面泵浦半導體激光打標機、江蘇激光打標機、上海激光打標機、浙江激光打標機、南京激光打標機、無錫激光打標機……返回上一頁斷面泵浦半導體激光打標機適用行業(yè)：塑膠透光按鍵、IC芯片、數碼產品部件、精密機械、珠寶首飾、潔具、量具刃具、鐘表眼鏡、電工電器、電子元器件、五金飾品、五金工具、手機通訊部件、汽摩配件、塑膠制品、醫(yī)療器械、建材管材等高精度產品標識。適用材料：金屬及多種非金屬材料，高硬度合金、氧化物、電鍍、鍍膜、ABS、環(huán)氧樹脂、油墨、工程塑料等。激光加工原理：激光打標是利用高能量密度激光束，對工件表面進行局部照射...