DDR的PCB布局、布線(xiàn)要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱(chēng)的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以?xún)?nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以?xún)?nèi)），布局布線(xiàn)要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線(xiàn)（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線(xiàn)時(shí)要考慮差分線(xiàn)對(duì)內(nèi)的平行布線(xiàn)及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳...

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶(hù)確認(rèn)阻抗類(lèi)型，常見(jiàn)阻抗類(lèi)型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線(xiàn)單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》，基于以下幾點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明：信號(hào)層夾在電源層和地層之間時(shí),信號(hào)層靠近地層。差分間距≤2倍線(xiàn)寬。相鄰信號(hào)層間距拉大。阻抗線(xiàn)所在的層號(hào)。（3）檢查《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》信息是否有遺漏，錯(cuò)誤，核對(duì)無(wú)誤后再與客戶(hù)進(jìn)行確認(rèn)。布線(xiàn)優(yōu)化的工藝技巧有哪些？黃岡定制...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線(xiàn)：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線(xiàn)：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱(chēng)為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱(chēng)，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線(xiàn)的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線(xiàn)性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線(xiàn)位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤(pán)直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M(mǎn)油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲?。核猩漕lPCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印...

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào)，地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)；而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效，相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組，同組...

ADC和DAC是數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的接口，在通信領(lǐng)域，射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)，中頻信號(hào)經(jīng)過(guò)ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，經(jīng)過(guò)數(shù)字算法處理后，再送入DAC轉(zhuǎn)換成中頻，再進(jìn)行了變頻為射頻信號(hào)發(fā)射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優(yōu)先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴(yán)格按照原理圖電路順序呈一字型對(duì)ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開(kāi)，不同通道的ADC、DAC也要分開(kāi)。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區(qū)，ADC、DAC數(shù)字輸出電路放置在數(shù)字區(qū)，因此，ADC、DAC器件實(shí)際上跨區(qū)放置，一般在A/D之間將模擬地和數(shù)字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤(pán)或者8角焊盤(pán)：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計(jì)1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間，在大功率多級(jí)放大器中，也應(yīng)保證級(jí)與級(jí)之間隔開(kāi)。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線(xiàn)要引入腔體里采用帶狀線(xiàn)的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線(xiàn)的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線(xiàn)走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計(jì)實(shí)例PCB設(shè)計(jì)工藝上的注意事項(xiàng)是什么？襄陽(yáng)高速PCB設(shè)計(jì)怎么樣...

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見(jiàn)接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見(jiàn)接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號(hào)流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對(duì)應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號(hào)流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿(mǎn)足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留...

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿(mǎn)足“信號(hào)流向順暢，布線(xiàn)短”的原則；（2）不同類(lèi)型的電路模塊分開(kāi)擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線(xiàn)通道所需空間；（5）器件間距滿(mǎn)足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶(hù)的要求時(shí)，以客戶(hù)為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿(mǎn)足客戶(hù)要求。射頻、中頻電路的基本概念是什么？十堰打造PCB設(shè)計(jì)布局調(diào)整器件字符的方法還有：“...

DDR的PCB布局、布線(xiàn)要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線(xiàn)時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線(xiàn)同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)...

SDRAM各管腳功能說(shuō)明：1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無(wú)效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，D...

生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根據(jù)各EDA軟件操作，生成Gerber文件。（2）檢查Gerber文件：檢查Gerber文件步驟：種類(lèi)→數(shù)量→格式→時(shí)間。Gerber文件種類(lèi)及數(shù)量：各層線(xiàn)路、絲印層、阻焊層、鋼網(wǎng)層、鉆孔表、IPC網(wǎng)表必須齊全且不能重復(fù)。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個(gè)數(shù)與孔的類(lèi)型有關(guān)，有多少種盲埋孔或背鉆孔，就會(huì)對(duì)應(yīng)有多少個(gè)鉆孔文件，要注意核實(shí)確認(rèn)。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依據(jù)各EDA設(shè)計(jì)軟件操作手冊(cè)生成。所有Gerber文件生成時(shí)間要求保持在連續(xù)5分鐘以?xún)?nèi)。 IPC網(wǎng)表自檢將Gerber文件導(dǎo)入CAM350軟件進(jìn)行I...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿(mǎn)足“信號(hào)流向順暢，布線(xiàn)短”的原則；（2）不同類(lèi)型的電路模塊分開(kāi)擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線(xiàn)通道所需空間；（5）器件間距滿(mǎn)足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶(hù)的要求時(shí)，以客戶(hù)為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿(mǎn)足客戶(hù)要求。關(guān)鍵信號(hào)的布線(xiàn)應(yīng)該遵循哪些基本原則？黃石專(zhuān)業(yè)PCB設(shè)計(jì)價(jià)格大全評(píng)估平面層數(shù)，電源...

FPGA管換注意事項(xiàng)，首先和客戶(hù)確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時(shí)應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個(gè)Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應(yīng)優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對(duì)于全局時(shí)鐘管腳，只能在全局時(shí)鐘管腳間進(jìn)行調(diào)整，并與客戶(hù)進(jìn)行確認(rèn)。（4）差分信號(hào)對(duì)要關(guān)聯(lián)起來(lái)成對(duì)調(diào)整，成對(duì)調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個(gè)流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線(xiàn)-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫(kù)路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個(gè)全新PCBLayout文件，并對(duì)其命名。（2）命名方式：“項(xiàng)目名稱(chēng)+日期+版本狀態(tài)”，名稱(chēng)中字母全部大寫(xiě)，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱(chēng)，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶(hù)有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫(kù)路徑（1）將封裝庫(kù)文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)，由客戶(hù)提供的封...

評(píng)估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評(píng)估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類(lèi)整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無(wú)BGA封裝的芯片，一般可以用一個(gè)電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評(píng)估對(duì)象，如果BGA內(nèi)的電源種類(lèi)數(shù)≤3種，用一個(gè)電源平面，如果＞3種，則使用2個(gè)電源平面，如果＞6則使用3個(gè)電源平面，以此類(lèi)推。備注：1、對(duì)于電流＜1A的電源可以采用走線(xiàn)層鋪銅的方式處理。2、對(duì)于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號(hào)層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評(píng)估：在確定了走線(xiàn)層...

規(guī)則設(shè)置子流程：層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線(xiàn)規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時(shí)序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》上的層疊信息，在PCB上進(jìn)行對(duì)應(yīng)的規(guī)則設(shè)置?！粑锢硪?guī)則設(shè)置（1）所有阻抗線(xiàn)線(xiàn)寬滿(mǎn)足《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》中的阻抗信息，非阻抗線(xiàn)外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線(xiàn)：線(xiàn)寬>=15Mil。（3）整板過(guò)孔種類(lèi)≤2,且過(guò)孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿(mǎn)足制造工廠(chǎng)或客戶(hù)要求，過(guò)孔設(shè)置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?！糸g距規(guī)則設(shè)置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設(shè)置間距規(guī)則，阻抗線(xiàn)距...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問(wèn)題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開(kāi)來(lái)，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是讓高功率RF發(fā)射...

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時(shí)，需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中，同時(shí)郵件通知客戶(hù)修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致；其他有疑問(wèn)的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí)，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤(pán)單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)...

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時(shí)，需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中，同時(shí)郵件通知客戶(hù)修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致；其他有疑問(wèn)的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí)，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤(pán)單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)...

電氣方面注意事項(xiàng)（1）TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時(shí)鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線(xiàn)長(zhǎng)度滿(mǎn)足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)中布局布線(xiàn)的注意事項(xiàng)。黃石專(zhuān)業(yè)PCB設(shè)計(jì)價(jià)格大全電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線(xiàn)：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào)，地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)；而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效，相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組，同組...

DDR模塊，DDRSDRAM全稱(chēng)為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行...