MOS管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（...

根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管，利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管；利用結(jié)電容隨外電...

SiC是制作功率半導(dǎo)體器件比較理想的材料，2000年5月4日，美國(guó)CREE公司和日本關(guān)西電力公司聯(lián)合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二極管，其正向壓降VF在100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力。在SBD方面，...

電壓控制晶體振蕩器。電壓控制晶體振蕩器（VCXO），是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO中，通常是通過調(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來“牽引”石英晶體振子頻率的。VCXO允許頻率控制范圍比較寬，實(shí)際的牽引度范圍約為...

箝位時(shí)間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時(shí)間。對(duì)單極性TVS一般是1×10-12秒；對(duì)雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如：各種...

合金熱敏電阻材料合金熱敏電阻材料亦稱熱敏電阻合金。這種合金具有較高的電阻率，并且電阻值隨溫度的變化較為敏感，是一種制造溫敏傳感器的良好材料。作為溫敏傳感器的熱敏電阻合金性能要求如下：（1）足夠大的電阻率；（2）相當(dāng)高的電阻溫度系數(shù)；(3)具有接近于實(shí)驗(yàn)材料線膨...

根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管，利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管；利用結(jié)電容隨外電...

TVS的極性選擇。單極性還是雙極性-常常會(huì)出現(xiàn)這樣的誤解即雙向TVS用來抑制反向浪涌脈沖，其實(shí)并非如此。雙向TVS用于交流電或來自正負(fù)雙向脈沖的場(chǎng)合。TVS有時(shí)也用于減少電容。TVS串聯(lián)可以減少TVS的結(jié)電容，或串聯(lián)一個(gè)低電容的二極管也可有效降低TVS的結(jié)電容...

根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管，利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管；利用結(jié)電容隨外電...

高壓SBD圖2肖特基二極管長(zhǎng)期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級(jí)邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設(shè)計(jì)者迫切需要介于100V～200V之間的150VSB...

激光二極管LD包括單異質(zhì)結(jié)（SH）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優(yōu)點(diǎn)，是市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW），線性差、單色性不...

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗(yàn)脈沖波形和各種TVS的PM值，請(qǐng)查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊(cè)。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另...

NTC負(fù)溫度系數(shù)熱敏**重要的性能是壽命長(zhǎng)壽命NTC熱敏電阻，是對(duì)NTC熱敏電阻認(rèn)識(shí)的提升，強(qiáng)調(diào)電阻壽命的重要性。NTC熱敏電阻**重要的是壽命，在經(jīng)得起各種高精度、高靈敏度、高可靠、超高溫、高壓力考驗(yàn)后，它仍很長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。壽命是NTC熱敏電阻的一個(gè)重要性...

TVS瞬態(tài)抑制二極管失效模式：1：當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量大于TVS所能承受能量時(shí)會(huì)引起TVS器件過電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)能量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出TVS所能承受的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致TVS過電應(yīng)力燒毀。失效模式為短路。2：當(dāng)電路中通過的電流太大，可能會(huì)造成TVS炸裂，失效模式為開路。...

TVS是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖...

如何配用適當(dāng)?shù)纳崞鞒祟~定電流1—5A直接安裝在印刷線路板上的固態(tài)繼電器以外，其余都應(yīng)配置適當(dāng)?shù)纳崞?，而且SSR底板與散熱器之間要涂上導(dǎo)熱硅脂，兩者緊密接觸，用螺絲擰緊。下面推薦一些規(guī)格SSR所用的散熱器，給用戶做參考。隨著使用條件的不同，用戶再做適當(dāng)?shù)恼{(diào)...

TVS 臺(tái)面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺(tái)面損傷的原因主要有兩個(gè):1)芯片在酸蝕成型時(shí)，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應(yīng)劇烈。2、燒焊過后進(jìn)行堿腐蝕清洗時(shí)，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺(tái)面缺陷或...

在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下，當(dāng)承受一個(gè)高能量的瞬時(shí)過壓脈沖時(shí)，其工作阻抗能立即降至很低的導(dǎo)通值，允許大電流通過，并將電壓箝制到預(yù)定水平，從而有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件免受損壞。TVS能承受的瞬時(shí)脈沖功率可達(dá)上千瓦，其箝位響應(yīng)時(shí)間*為1ps（10^-12S）。...

穩(wěn)壓二極管，是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。，穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí)，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨...

功率型NTC熱敏電阻多用于電源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC熱敏電阻器，是一種大功率的圓片式熱敏電阻器，常用于有電容器、加熱器和馬達(dá)啟動(dòng)的電子電路中。在電路電源接通瞬間，電路中會(huì)產(chǎn)生比正常工作時(shí)高出許多倍的浪涌電流，而NTC熱敏電阻器的初始阻值較大，可以抑制電路中...

箝位時(shí)間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時(shí)間。對(duì)單極性TVS一般是1×10-12秒；對(duì)雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如：各種...

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到...

石英晶振封裝按生產(chǎn)工藝可以劃分為：Seam金屬封裝，Glass玻璃封裝，ResistanceWelded電阻焊，沖壓；產(chǎn)品工業(yè)的不同，其封裝方式及特點(diǎn)也有所不同。石英晶振封裝按上板組裝方可以劃分為直插(DIP)和貼片(SMD)；SMD晶振在上板上機(jī)時(shí)可以自動(dòng)化...

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊...

TVS被廣泛應(yīng)用于各類電子電路中，包括計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保...

參數(shù)①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓，當(dāng)這個(gè)反向電壓加入TVS的兩極間時(shí)，它處于反向關(guān)斷狀態(tài)，流過它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩...

由于多種原因，當(dāng)前***使用的是可視激光二極管(英文簡(jiǎn)稱"VLD""Visible Laser Diode")。激光二極管的可靠性非常好，壽命要比氦氖激光長(zhǎng)幾倍，而且工作電壓很低（通常只有2伏），沒有特殊供電要求。它們的封裝非常小而輕，并且密封堅(jiān)固。由于耗能非...

齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結(jié)層中的電場(chǎng)卻很強(qiáng)（可達(dá)2.5×105V/m左右）。在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，會(huì)強(qiáng)行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價(jià)電子從共價(jià)鍵中拉出來，形成"電子一空穴對(duì)"，...

電路振蕩過程：接通電源后，三極管VT導(dǎo)通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號(hào)。這些信號(hào)加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號(hào)，在X1、C1、C2兩端有f0信號(hào)電壓，取C2兩端的f0信號(hào)電壓反饋到VT的基-射極之間進(jìn)...

橋式整流器是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣朔料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱。橋式整流器品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。比較大整流電流從，比較高反向峰值電壓從50V到16...