為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺爐溫測試儀測試的回流爐的曲線，和由電偶測量的返工臺的曲線。返修工位曲線升溫時間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所...

(1)電阻表面枝晶狀遷移物證明焊料中的Sn，Pb金屬元素發(fā)生電化學(xué)遷移導(dǎo)致枝晶的生長，連通電阻兩極，導(dǎo)致電阻短路失效；(2)離子色譜結(jié)果表明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子,加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移；(3)離子電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)實驗驗證了在氯離子、電場和潮氣作用下，電阻端電極金屬材料發(fā)生陽極溶解，產(chǎn)生了金屬離子，故而在電阻表面發(fā)生電化學(xué)遷移。(4)為了避免此類失效問題，建議在實際生產(chǎn)中從抑制陽極溶解過程、抑制遷移的過程和抑制陰極沉淀過程做出防護(hù)措施，改善產(chǎn)品質(zhì)量。保障好用戶的利益就是我們價值體現(xiàn)。湖南制造電阻測試服務(wù)電話電阻測試SIR和局部萃取的結(jié)果是通過或失敗。判定標(biāo)準(zhǔn)分別...

銅鏡實驗IPC-TM-650方法_2.3.32用來測試未加熱的助焊劑如何與銅反應(yīng)，也叫做助焊劑誘發(fā)腐蝕測試。本質(zhì)上講，就是滴一滴定量的助焊劑到涂敷了一層銅膜的玻璃片上，然后在特定環(huán)境中放置一段時間。這個環(huán)境接近室溫環(huán)境，相對濕度是50%。24小時后清理掉助焊劑，并在白色背景下觀察銅膜被腐蝕掉多少。腐蝕穿透銅膜的程度決定了助焊劑的活性等級，通常用L、M和H表示。銅板腐蝕實驗IPC-TM-650方法2.6.15是用來測試極端條件下，助焊劑殘留物對銅的腐蝕性。助焊劑和焊料在銅板上加熱直到形成焊接。然后把銅板放置在一個溫度為40°C的潮濕環(huán)境，這樣可以加速助焊劑殘留物和銅可能發(fā)生的反應(yīng)。銅板需要在測試...

廣州維柯信息技術(shù)有限公司成立于2006年，是一家專業(yè)致力于檢測檢驗實驗室行業(yè)產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)生產(chǎn)、集成銷售為一體的技術(shù)型公司。 1、**通道高精度微電流測試。2、**通道測試電流電阻，電阻超大量程測量范圍在10的4次方到10的14次方。3、實現(xiàn)多通道電流同時采集，實時監(jiān)控測試樣品離子和材料絕緣劣化過程。4、板卡式結(jié)構(gòu)，靈活配置系統(tǒng)通道，1個板卡16通道，單系統(tǒng)可擴(kuò)展256通道。5、每個板卡一個**測試電源，可適應(yīng)多批量測試條件。6、測試電壓可以擴(kuò)展使用外接電壓，最大電壓可高達(dá)2000V。7、測試電壓可在1.0-500V(2000V)之間以0.1V步進(jìn)任意可調(diào)。 表面絕緣電阻（SIR）測試...

可靠性試驗中，有一項，叫做高加速應(yīng)力試驗(簡稱HAST)，主要是在測試IC封裝體對溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項試驗方式是需透過外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺設(shè)備內(nèi)，再連接到待測IC插座(Socket)與測試版(HASTboard)，進(jìn)行待測IC的測試。然而這項試驗，看似簡單，但在宜特20多年的可靠性驗證經(jīng)驗中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡稱CSP）封裝比例越來越高，且錫球間距也越來越小，在執(zhí)行HA...

CAF測試方法案例: 1、保持測試樣品無污染，做好標(biāo)記，用無污染手套移動樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對濕度至少24h。2、在該測試方法中相對濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對濕度偏差會造成電阻量測結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測試樣品表面，有可能會造成表面樹枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹枝狀晶體...

設(shè)計特征和工藝驗證對于準(zhǔn)備制造一個新的PCB組件非常關(guān)鍵。這將包括調(diào)查來料、開發(fā)適當(dāng)?shù)暮附庸に噮?shù)、并**終敲定一個經(jīng)過很多步驟驗證的典型的PCB組件。這將花費(fèi)比用于驗證每個組裝過程多得多的時間。本文將重點(diǎn)討論工藝驗證步驟中應(yīng)該進(jìn)行的測試。助焊劑特性測試IPC要求焊接用的所有助焊劑都按照J(rèn)-STD-004（目前在B版中)_進(jìn)行分類。這份標(biāo)準(zhǔn)概述了助焊劑的基本性能要求和用于描述助焊劑在焊接過程中和組裝后在環(huán)境中與銅電路的反應(yīng)的行業(yè)標(biāo)測試方法。一旦經(jīng)過測試，就可以使用諸如“ROL0”之類的代碼對助焊劑進(jìn)行分類。該代碼表示助焊劑基礎(chǔ)成分、活性水平和鹵化物的存在。以ROL0為例，它表示：助焊劑是松香基...

剖面結(jié)構(gòu)觀察通過SEM觀察失效電阻鑲樣的橫截面，如圖4所示。由圖4可發(fā)現(xiàn)：電阻一端外電極有一個明顯的腐蝕凹坑，這是由電化學(xué)反中陽極溶解所產(chǎn)生的，腐蝕形態(tài)主要為點(diǎn)蝕。根據(jù)文獻(xiàn)[5]報道，在電解液中存在Cl-的電化學(xué)過程中，陽極表面的鈍化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接滲透陽極表面的鈍化膜，造成鈍化膜開裂或形成微孔誘發(fā)局部腐蝕，**終形成點(diǎn)蝕坑的腐蝕形貌。電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)根據(jù)失效分析，得出離子、潮氣及電場為失效的敏感因子，故設(shè)計故障復(fù)現(xiàn)試驗。將樣品分為兩組，1000h潮熱加電實驗。系統(tǒng)測試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對試驗樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測試和漏電流監(jiān)測！陜西制造電阻測試供...

陽極溶解過程從材料熱力學(xué)觀點(diǎn)看，通過金屬材料的標(biāo)準(zhǔn)電極電位可以判斷其腐蝕的傾向，常見的電子金屬材料發(fā)生電化學(xué)遷移的優(yōu)先順序為：Ag>Mo>Pb>Sn>Cu>Zn[8]。因此，當(dāng)電阻貼裝的焊料為Sn-Pb合金時，在電化學(xué)遷移過程中，Pb比Sn更容易發(fā)生電化學(xué)遷移。在電化學(xué)遷移過程中，在陽極區(qū)主要發(fā)生電極溶解生成金屬離子的反應(yīng)，同時伴有少量氧氣和氯氣的生成，反應(yīng)方程式如下：Pb→Pb2++2e-Sn→Sn2++2e-Sn2+→Sn4++2e-2H2O→4H++O2+4e-2Cl-→Cl2+2e-從上述反應(yīng)過程可知，通過抑制陽極溶解可以改善電化學(xué)遷移的敏感性。首先陽極溶解必須在電解液中發(fā)生，因此避免...

電子元器件失效分析項目1、元器件類失效電感、電阻、電容：開裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑，遷移氧化，腐蝕，開路，短路、CAF短時失效；板面變色，錫面變色，焊盤變色；孔間絕緣性能下降；深孔開裂；爆板等PCBA（ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板）焊接不良；端子（引腳）上錫不良，表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗證服務(wù)每個板...

電阻表面枝晶狀遷移物SEM放大形貌和EDS能譜分析見圖2所示，枝晶狀遷移物由一端電極往另一端電極方向生長，圖2(b)EDS測試結(jié)果表明枝晶狀遷移物主要含有Sn，Pb等元素，局部區(qū)域存在Cl元素，此產(chǎn)品生產(chǎn)中采用的SnPb焊料為Sn63Pb37，說明SnPb焊料中的Sn，Pb金屬元素發(fā)生電化學(xué)遷移導(dǎo)致枝晶的生長，連通電阻兩極，導(dǎo)致電阻短路失效。對失效電阻樣品表面遷移物區(qū)域和原工藝生產(chǎn)用SnPb焊料取樣進(jìn)行離子色譜分析，所得的結(jié)果如表1所示。從表1中可以得出失效電阻表面存在Cl-的含量為1.403mg/cm2。目前行業(yè)內(nèi)為避免印刷電路板發(fā)生腐蝕和電化學(xué)遷移而導(dǎo)致失效，控制表面殘留的Cl-含量不高于...

(1)電阻表面枝晶狀遷移物證明焊料中的Sn，Pb金屬元素發(fā)生電化學(xué)遷移導(dǎo)致枝晶的生長，連通電阻兩極，導(dǎo)致電阻短路失效；(2)離子色譜結(jié)果表明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子,加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移；(3)離子電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)實驗驗證了在氯離子、電場和潮氣作用下，電阻端電極金屬材料發(fā)生陽極溶解，產(chǎn)生了金屬離子，故而在電阻表面發(fā)生電化學(xué)遷移。(4)為了避免此類失效問題，建議在實際生產(chǎn)中從抑制陽極溶解過程、抑制遷移的過程和抑制陰極沉淀過程做出防護(hù)措施，改善產(chǎn)品質(zhì)量。GWHR-256多通道 SIR/CAF實時監(jiān)控測試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測試速度 20mS/所有通道...

電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來評估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測試板上。標(biāo)準(zhǔn)測試板是交錯梳狀設(shè)計，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過測試，高活性的助焊劑在測試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長。分別測試實驗開始和結(jié)束時的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測量值衰減低于10倍時，測試結(jié)果視為通過。也就是說，通常測試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測試條件。J-STD-004B要求使...

此外，失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-)，由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率，促進(jìn)了金屬陽極的溶解過程，加大金屬陽離子的濃度而提升枝晶的生長速率，造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子（Cl-），說明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子，加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未檢出，其含量低于方法檢出限，方法檢出限為0.003mg/cm2。GWHR-256多通道 SIR/CAF實時監(jiān)控測試系統(tǒng)...