給袋式真空包裝機(jī)市場(chǎng):繁榮的現(xiàn)狀 浙江名博機(jī)械有限公司
一篇看懂全自動(dòng)包裝機(jī)工作原理!浙江名博機(jī)械有限公司
全自動(dòng)真空包裝機(jī)怎樣除氧抑菌呢? 浙江名博機(jī)械有限公司
醬菜給袋式真空包裝機(jī)的注意事項(xiàng)有哪些?浙江名博機(jī)械有限公司
真空包裝機(jī)與大多數(shù)普通包裝機(jī)的區(qū)別有哪些?
選購給袋式真空包裝機(jī)需考慮哪些方面呢?
給袋式包裝機(jī)怎么搭配配套真空封裝機(jī)呢?
全自動(dòng)真空包裝機(jī)和真空充氣機(jī)的區(qū)別和應(yīng)用范圍
全自動(dòng)給袋式真空包裝機(jī)正確使用方法
淺談:全自動(dòng)真空包裝機(jī)的發(fā)展
電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪聲管9014(NPN),高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號(hào)一般都標(biāo)在塑殼上,而樣子都一樣,都是TO-92標(biāo)準(zhǔn)封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG...
三極管電路組成:共射組態(tài)基本放大電路是輸入信號(hào)加在基極和發(fā)射極之間,耦合電容器C1和Ce視為對(duì)交流信號(hào)短路。輸出信號(hào)從集電極對(duì)地取出,經(jīng)耦合電容器C2隔除直流量,將交流信號(hào)加到負(fù)載電阻RL之上。放大電路的共射組態(tài)實(shí)際上是指放大電路中的三極管是共射組態(tài)。在輸...
柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓...
二極管在工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用:經(jīng)過多年來科學(xué)家們不懈努力,半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣,發(fā)光二極管普遍應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明。發(fā)光二極管的很多特性是普通發(fā)光器件所無法比擬的,主要具有特點(diǎn)有:安全、高效率、環(huán)保、壽命...
面接觸式二極管:面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體(如本征硅)的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子(電子)的區(qū)域,稱作N型半導(dǎo)體;另一端成為一個(gè)包含正極性載流子(空穴)的區(qū)域,稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí),電子會(huì)從...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱M...
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層...
場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn),金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重?fù)诫s...
場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn),金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重?fù)诫s...
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具...
深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū),成立于2010年,占地面積10000余平方米,是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展,現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)...
場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí),電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接,也可...
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具...
場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)電極:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和...
場(chǎng)效應(yīng)管:當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識(shí)別并形成復(fù)合物時(shí),或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時(shí),將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變,從而改變離子敏感膜電位,這就相當(dāng)于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓,達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道...
場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法:(1)準(zhǔn)備工作測(cè)量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導(dǎo)線。(2)判定電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都...
用測(cè)電阻法判別無標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來,兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所...
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所...
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...
深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū),成立于2010年,占地面積10000余平方米,是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展,現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)...
場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開關(guān)作用,作開關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開關(guān)電源開關(guān)管,MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好,對(duì)于NMOS來說,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況,也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可...
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電,管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃...
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方式(1).打算工作測(cè)量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接,使人體與大地維持等電位。再把管腳分離,然后拆掉導(dǎo)線。(2).判斷電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻...
場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管M...
C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管(增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源地接...
場(chǎng)效應(yīng)管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VG...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型...
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層...