該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設(shè)置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設(shè)成一凹槽的態(tài)樣，在一實(shí)施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長(zhǎng)度h介于10cm至15cm之間，而該等開(kāi)設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態(tài)樣，且該宣...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設(shè)置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號(hào)排液管22，二號(hào)排液管22內(nèi)部上端設(shè)置有二號(hào)電磁閥23，裝置主體1內(nèi)部底端靠近左側(cè)設(shè)置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動(dòng)板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側(cè)連接有進(jìn)水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內(nèi)部上端設(shè)置有三號(hào)電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設(shè)計(jì)為10°...

618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專門針對(duì)氧化銦錫(ITO)玻璃導(dǎo)電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對(duì)于高阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無(wú)沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡(jiǎn)便靈活等非常***的優(yōu)點(diǎn),可采取自動(dòng)控制系統(tǒng)補(bǔ)加,也可人工補(bǔ)加方式。更重要的是絲毫不改變產(chǎn)品的導(dǎo)電阻抗電性數(shù)據(jù)。二、產(chǎn)品特點(diǎn)1)速度快市場(chǎng)之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正?？刂圃?-10nm/s,速度快(具體設(shè)備情況有所差異)2)氣味小、無(wú)煙霧、對(duì)皮膚刺激*目前市場(chǎng)蝕...

所述液體入口1處設(shè)有減壓閥12，所述蒸汽出口5處設(shè)有真空泵13、除霧組件3及除沫組件4，所述除霧組件3用于過(guò)濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體，所述除沫組件4用于將經(jīng)除霧組件3除霧的氣體進(jìn)行除沫。含銅蝕刻液在加熱器11中進(jìn)行加熱，達(dá)到閃蒸要求的溫度，輸送至分離器，通過(guò)減壓閥12減壓，真空泵13對(duì)分離器內(nèi)抽氣，使分離器內(nèi)處于低壓狀態(tài)，含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生大量蒸汽，蒸汽中攜帶著大小不等的液滴，大液滴中含有銅，通過(guò)除霧組件3和除沫組件4對(duì)蒸汽進(jìn)行分離過(guò)濾，也可以防止大液滴從蒸汽出口5飛出，減少產(chǎn)品損失。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述除霧組件3為設(shè)有多個(gè)平行且曲折的通道的折流...

內(nèi)嵌觀察窗402通過(guò)觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過(guò)內(nèi)嵌的透明窗對(duì)內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實(shí)時(shí)性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時(shí)需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會(huì)產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，通過(guò)設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的，裝置底座5的內(nèi)部?jī)蓚?cè)緊密焊接有加固支架10，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多，質(zhì)量較重，對(duì)底座會(huì)產(chǎn)生較大的壓力，通過(guò)設(shè)置加固支架...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過(guò)氧化氫系銅刻蝕液。過(guò)氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過(guò)硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長(zhǎng)的特點(diǎn)。大部分過(guò)氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過(guò)氧化氫組分、參與溶解的無(wú)機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個(gè)部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過(guò)氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過(guò)程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時(shí)，蝕刻時(shí)間長(zhǎng)；在82~120g/L時(shí)，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時(shí)，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時(shí)，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會(huì)降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)活動(dòng)連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)貫穿連接有攪動(dòng)孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說(shuō)明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑...

且過(guò)濾部件能將內(nèi)部的過(guò)濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉(cāng)的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉(cāng)固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，有效的提高了裝置連接的實(shí)用性。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的過(guò)濾部件剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的連接構(gòu)件剖視圖；圖4為本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)件連接框架圖。圖中：1、裝置主體，2、支撐腿，3、電源線，4、單片機(jī)，5、控制器，6、防滑紋，7、密封閥門(z45x-16...

本實(shí)用涉及蝕刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術(shù)：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)，蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學(xué)試劑，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到蝕刻的目的，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、發(fā)光二極管(led)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)等行業(yè)用作面板過(guò)程中銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜(ito)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液?，F(xiàn)有的制備裝置在進(jìn)行制備時(shí)會(huì)發(fā)***熱反應(yīng)，使得裝置外殼穩(wěn)定較高，工作人員直接接觸有燙傷風(fēng)險(xiǎn)，熱水與鹽酸接觸會(huì)產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，保護(hù)性不足，鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性，常規(guī)的攪...

當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題，因此，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與...

從蝕刻速度及安全性的觀點(diǎn)來(lái)看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時(shí)間視對(duì)象物的表面狀態(tài)及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實(shí)施例然后，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例與比較例一起進(jìn)行說(shuō)明。此外，本發(fā)明并非限定于下述實(shí)施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進(jìn)行蝕刻試驗(yàn)及蝕刻液的穩(wěn)定性試驗(yàn)。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計(jì)的濃度。(蝕刻試驗(yàn))通過(guò)濺鍍法在樹(shù)脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進(jìn)而通過(guò)電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)活動(dòng)連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)貫穿連接有攪動(dòng)孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有...

內(nèi)嵌觀察窗402通過(guò)觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過(guò)內(nèi)嵌的透明窗對(duì)內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實(shí)時(shí)性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時(shí)需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會(huì)產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，通過(guò)設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的，裝置底座5的內(nèi)部?jī)蓚?cè)緊密焊接有加固支架10，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多，質(zhì)量較重，對(duì)底座會(huì)產(chǎn)生較大的壓力，通過(guò)設(shè)置加固支架...

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過(guò)實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。但是，以下的實(shí)施例用于更加具體地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實(shí)施例的限定。實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物，對(duì)于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對(duì)上述膜處理10,000秒的...

銅蝕刻液適用于印制版銅的蝕刻，蝕刻速度快。蝕刻速度達(dá)4~5um/min。廢液回收簡(jiǎn)單，用于印制板，線路板。本劑也可用于銅工藝品等的蝕刻。蝕刻后的板面平整而光亮。銅蝕刻液的反應(yīng)速度快、使用溫度低、溶液使用壽命長(zhǎng)，后處理容易，對(duì)環(huán)境污染小。用于銅質(zhì)單面板，雙面板、首飾蝕刻，可以蝕刻出任意精美的形態(tài)，有效提高蝕刻速度，節(jié)約人工水電。常常應(yīng)用于印刷線路板銅的蝕刻處理 1、蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻速度可達(dá)10微米/分鐘。2、可循環(huán)使用，無(wú)廢液排放。 1、藍(lán)色透明液體，有氣味。2、比重：1.10~1.13。3、PH值：10~11.0。 1、采用浸泡的方法即可，浸泡過(guò)程中要攪...

該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設(shè)置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設(shè)成一凹槽的態(tài)樣，在一實(shí)施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長(zhǎng)度h介于10cm至15cm之間，而該等開(kāi)設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態(tài)樣，且該宣...

以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀，其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置，噴灑裝置相對(duì)于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中滾輪呈順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中氣體遠(yuǎn)離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中第三夾角介于20度至35度之間。再者，...

本發(fā)明涉及一種用來(lái)在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時(shí)一直使用含有氫氟酸或過(guò)氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻(xiàn)1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來(lái)在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過(guò)氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問(wèn)題，含有過(guò)氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特許第4471094號(hào)說(shuō)明書。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問(wèn)題本發(fā)明是鑒于所述實(shí)際情況而成，其目的在于...

銀蝕刻液主要用于印刷線路板制造，銀器及銀合金的蝕刻、標(biāo)牌制作。二、突出特點(diǎn)1．蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻最高速度可達(dá)2000納米/秒。2．可循環(huán)使用，無(wú)廢液排放。三、理化指標(biāo)外觀：液體；氣味：微；比重：1.05±0.1；pH：偏堿性四、使用方法1．預(yù)處理：如銀或銅合金表面不潔凈，需對(duì)表面進(jìn)行潔凈處理，如除油、除雜等。2．蝕刻：(1).將圖案模板紙粘附于銀板或銀器上，再將銀蝕刻液用噴淋設(shè)備噴于圖案處，時(shí)間1分鐘到幾十分鐘不定（用戶可根據(jù)蝕刻要求自行試驗(yàn)時(shí)間，因模板紙不同，時(shí)間也不同），揭去模板紙，用清水沖掉殘物。(2).用100-200T的絲網(wǎng)，75度硬度的聚酯刮膠，將光固化抗蝕刻油墨印...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內(nèi)部頂部中間部位的旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組頂端的控制面板，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔共同組合而成。推薦的，所述注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口，嵌入引流口一端的負(fù)壓引流器，負(fù)壓引流器一端的注入量控制容器，注入量控制容器內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線和注入量控制容器一側(cè)的限流銷共同組合而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本種實(shí)用新型的有益效果是:1.通過(guò)設(shè)置高效攪拌裝置，該裝置通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤帶動(dòng)高效攪...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號(hào)排液管；18、一號(hào)電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號(hào)排液管；23、二號(hào)電磁閥；24、傾斜板；25、活動(dòng)板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號(hào)電磁閥；30、控制面板。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸...

注入量精確調(diào)配裝置通過(guò)嵌入引流口2接入鹽酸裝罐7進(jìn)行原料注入，工作人員通過(guò)負(fù)壓引流器21將鹽酸硝酸引向注入量控制容器18內(nèi)，通過(guò)觀察注入量控制容器18內(nèi)的注入量觀察刻度線19對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，當(dāng)?shù)竭_(dá)設(shè)定的注入量時(shí)將限流銷20插入進(jìn)行限流即可，很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。工作原理：首先，通過(guò)設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。然后，通過(guò)設(shè)置加固支架10，加固支架10為連接在兩側(cè)底座支柱的三角結(jié)構(gòu)，利用三角結(jié)構(gòu)穩(wěn)定原理對(duì)裝置底座5起到了很好的加固效果。接著，通過(guò)設(shè)置防燙隔...

以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請(qǐng)一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時(shí)，蝕刻時(shí)間長(zhǎng)；在82~120g/L時(shí)，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時(shí)，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時(shí)，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會(huì)降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說(shuō)明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來(lái)添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三...