在許多電子產(chǎn)品中，電容器是必不可少的電子元件，它在電路中的功能是整流器的平滑濾波、退耦、交流信號(hào)的旁路、交直流電路的交流耦合等等。電容器的類型和結(jié)構(gòu)種類比較多，小伙伴們使用時(shí)，不僅需要了解各類電容器的性能指標(biāo)和一般特性，而且還必須了解在給定用途下的優(yōu)缺點(diǎn)、機(jī)械或環(huán)境的限制條件等。電容定義：電容是表征電容器容納電荷多少的物理量。電容的符號(hào)是C。公式：在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F，常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)(皮法又稱微微法)等。各單位的換算關(guān)系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)。一個(gè)電容器，如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法，電容是電容器的固有參數(shù)。對(duì)于平板電容器：ε是一個(gè)常數(shù)，S為電容極板的正對(duì)面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量。電容符號(hào)：電容是一種儲(chǔ)能元件,儲(chǔ)存的電場(chǎng)能量為：電容串聯(lián)電路分析：串聯(lián)后的等效電容容量倒數(shù)等于各個(gè)電容容量倒數(shù)之和;串聯(lián)后的各個(gè)電容的電荷量相等；串聯(lián)后的耐壓等于各個(gè)電容電壓之和。電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個(gè)電容容量之和。國(guó)巨電容原裝現(xiàn)貨找巨新科。龍崗區(qū)電解電容專賣店
但不能和雙電層電容相比）。價(jià)格低廉。比其它種類電容，在價(jià)格上具有壓倒性優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠浣M成材料都是普通的工業(yè)材料。制造電解電容的設(shè)備也都是普通的工業(yè)設(shè)備，可以大規(guī)模生產(chǎn)，成本相對(duì)比較低。新型的電解電容發(fā)展的非常快，某些產(chǎn)品的性能已達(dá)到無(wú)機(jī)電容器的水準(zhǔn)，電解電容正在替換某些無(wú)機(jī)和有機(jī)介質(zhì)電容器。電解電容的使用范圍相當(dāng)，基本上，有電源的設(shè)備都會(huì)使用到電解電容。電解電容的分類，傳統(tǒng)的方法都是按陽(yáng)極材質(zhì)，比如說(shuō)鋁或者鉭。所以，電解電容按陽(yáng)極分，為以下幾種：鋁電解電容（CL）電容量：0。47--10000μ額定電壓：主要特點(diǎn)：體積小，容量大，損耗大，漏電大。應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等不管是SMT貼片工藝的（“貼片電容”，識(shí)別方式是底坐有黑色橡膠），還是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它們的陽(yáng)極材質(zhì)是鋁，那么他們就都叫做鋁電解電容。電容的封裝方式和電容的品質(zhì)本身并無(wú)直接聯(lián)系，電容的性能只取決于具體型號(hào)鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）電容量：0。1--1000μ額定電壓：6。3--125V主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電解電容。應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電解電容陽(yáng)極由鉭構(gòu)成，就是那種我們?cè)陲@卡上見(jiàn)到的黃色或黑色小顆粒。福田區(qū)CBB電容器組國(guó)巨車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。
在許多電子產(chǎn)品中，電容器是必不可少的電子元件，它在電路中的功能是整流器的平滑濾波、退耦、交流信號(hào)的旁路、交直流電路的交流耦合等等。電容器的類型和結(jié)構(gòu)種類比較多，小伙伴們使用時(shí)，不僅需要了解各類電容器的性能指標(biāo)和一般特性，而且還必須了解在給定用途下的優(yōu)缺點(diǎn)、機(jī)械或環(huán)境的限制條件等。電容定義：電容是表征電容器容納電荷多少的物理量。電容的符號(hào)是C。公式：在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F，常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)(皮法又稱微微法)等。各單位的換算關(guān)系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)。一個(gè)電容器，如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法，電容是電容器的固有參數(shù)。對(duì)于平板電容器：ε是一個(gè)常數(shù)，S為電容極板的正對(duì)面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量。電容符號(hào)：電容是一種儲(chǔ)能元件,儲(chǔ)存的電場(chǎng)能量為：電容串聯(lián)電路分析：串聯(lián)后的等效電容容量倒數(shù)等于各個(gè)電容容量倒數(shù)之和;串聯(lián)后的各個(gè)電容的電荷量相等；串聯(lián)后的耐壓等于各個(gè)電容電壓之和。
也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖來(lái)自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡(jiǎn)單，電極方便引出，可以應(yīng)用于大電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過(guò)真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個(gè)很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復(fù)的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點(diǎn)，會(huì)在損壞處產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，氣化金屬在損壞處將形成一個(gè)氣化集中面，短路消失，損壞點(diǎn)被修復(fù)；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無(wú)感繞法在繞制后，會(huì)采用鍍金等工藝，將兩個(gè)端面的內(nèi)部電極連成一個(gè)面，這樣可以獲得較小的ESL，應(yīng)該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無(wú)感電容，結(jié)構(gòu)與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。國(guó)巨電容一級(jí)代理商。
它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)宇乘上來(lái)表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時(shí)，直流等效電路將電容視為開(kāi)路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡(jiǎn)化了電路的分析運(yùn)算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號(hào)旁路。交流耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路直流電源濾波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補(bǔ)償：針對(duì)其它元件對(duì)溫度的適應(yīng)性不夠帶來(lái)的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。計(jì)時(shí)：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時(shí)間常數(shù)，時(shí)間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)。儲(chǔ)能：比如超級(jí)電容器，儲(chǔ)存電能，用于必須要的時(shí)候釋放。例如相機(jī)閃光燈，加熱設(shè)備等等。超級(jí)電容器。原裝風(fēng)華電容采購(gòu)就找巨新科。坪山區(qū)安規(guī)電容公司
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引申閱讀·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介質(zhì)的分類根據(jù)EIA-198-1F-2002，陶瓷介質(zhì)主要分為四類：ClassI：具有溫度補(bǔ)償特性的陶瓷介質(zhì)，其介電常數(shù)大都較低，不超過(guò)200。通常都是順電性介質(zhì)(Paraelectric)，溫度、頻率以及偏置電壓下，介電常數(shù)比較穩(wěn)定，變化較小。損耗也很低，耗散因數(shù)小于。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性質(zhì)極穩(wěn)定，應(yīng)用極多的是C0G電容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的代號(hào)，即NegativePositiveZero，也就是用N和P來(lái)表示正負(fù)偏差。由于介電常數(shù)低，C0G電容的容值較小，極大可以做到，0402封裝通常極大只有1000pF。ClassII，III：其中，溫度特性A-S屬于ClassII，介電常數(shù)幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassIII，介電常數(shù)極高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不穩(wěn)定。根據(jù)IEC的分類，ClassII和III都屬于第二類，高介電常數(shù)介質(zhì)。像X5R和X7R都是ClassII電容，在電源去耦中應(yīng)用較多，而Y5V屬于ClassIII電容，性能不太穩(wěn)定，個(gè)人覺(jué)得現(xiàn)在應(yīng)用不多了。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。龍崗區(qū)電解電容專賣店
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