字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時(shí)，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡(jiǎn)化了電路的分析運(yùn)算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號(hào)旁路。交流耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過并傳輸?shù)较乱患?jí)電路直流電源濾波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補(bǔ)償：針對(duì)其它元件對(duì)溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。計(jì)時(shí)：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時(shí)間常數(shù)，時(shí)間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧。國(guó)巨高壓電容原裝現(xiàn)貨。寶安區(qū)車規(guī) 電容麥克風(fēng)
英國(guó)人D'斐茨杰拉德于1876年發(fā)明的；工作電壓很高?，F(xiàn)在多用塑料材料，也就是高分子聚合物，根據(jù)其介質(zhì)材料的不同，主要有以下幾種：應(yīng)用極多的薄膜電容是聚酯薄膜電容，比較便宜，由于其介電常數(shù)較高，尺寸可以做的較小；其次就是聚丙烯薄膜電容。其他材料還有聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等等。薄膜電容的特點(diǎn)就是可以做到大容量，高耐壓；但由于工藝原因，其尺寸很難做小，通常應(yīng)用于強(qiáng)電電路，例如電力電子行業(yè)；基本上是長(zhǎng)這個(gè)樣子：截圖于HighPowerCapacitorsForPowerElectronics-AVX引申閱讀：·Filmcapacitor·Capacitors,Part4"FilmCapacitors[1]"·AVXPRODUCTGUIDEFORMEDIUM&HIGHPOWERFILMCAPACITORS2電解電容(ElectrolyticCapacitor)電解電容是用金屬作為陽(yáng)極(Anode)，并在表面形成一層金屬氧化膜作為介質(zhì)；然后濕式或固態(tài)的電解質(zhì)和金屬作為陰極(Cathode)。電解電容大都是有極性的，如果陰極側(cè)的金屬，也有一層氧化膜，就是無極性的電解電容。根據(jù)使用的金屬的不同，目前只要有三類電解電容：鋁電解電容(Aluminumelectrolyticcapacitors)鋁電解電容應(yīng)該是使用極大范圍的電解電容，極便宜。龍華區(qū)高壓電容質(zhì)量好的華南國(guó)巨電容代理商公司。
電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個(gè)電容容量之和。并聯(lián)后的各個(gè)電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓小的那個(gè)電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會(huì)經(jīng)?？吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級(jí)別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價(jià)格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點(diǎn)：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫。
只要不超過額定電壓。現(xiàn)在應(yīng)用也比較多，國(guó)內(nèi)很多城市都有超級(jí)電容電動(dòng)公交車；還有些電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用，例如一些行車記錄儀上，可以持續(xù)供電幾天。引申閱讀：·WhatIsaSupercapacitor(EDLC)?·MurataSupercapacitorTechnicalNote·Capacitortypes·ComparisonofMultilayerCeramicandTantalumCapacitors電容的應(yīng)用與選型器件選型，其實(shí)就是從器件的規(guī)格書上提取相關(guān)的信息，判斷是否滿足產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和應(yīng)用的要求。1概述電容作為一個(gè)儲(chǔ)能元件，可以儲(chǔ)存能量。外部電源斷開后，電容也可能帶電。因此，安全提示十分必要。有些電子設(shè)備內(nèi)部會(huì)貼個(gè)高壓危險(xiǎn)，小時(shí)候拆過家里的黑白電視機(jī)，拆開后看到顯像管上貼了個(gè)高壓危險(xiǎn)，那時(shí)就有個(gè)疑問，沒插電源也會(huì)有高壓?jiǎn)?？工作后，拆過幾個(gè)電源適配器，被電的回味無窮……回歸正題，電容儲(chǔ)能可以做如下應(yīng)用：·儲(chǔ)存能量就可以當(dāng)電源，例如超級(jí)電容；·存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，應(yīng)用非常廣。動(dòng)態(tài)易失性存儲(chǔ)器(DRAM)就是利用集成的電容陣列存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容充滿電就是1，放完電就是0。各種手機(jī)、電腦、服務(wù)器中內(nèi)存的使用量非常大，因此，內(nèi)存行業(yè)都可以作為信息產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)了。電容還可以用作：·定時(shí)：電容充放電需要時(shí)間，可以用做定時(shí)器。華科電容原裝現(xiàn)貨找巨新科。
也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖來自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡(jiǎn)單，電極方便引出，可以應(yīng)用于大電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個(gè)很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復(fù)的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點(diǎn)，會(huì)在損壞處產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，氣化金屬在損壞處將形成一個(gè)氣化集中面，短路消失，損壞點(diǎn)被修復(fù)；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無感繞法在繞制后，會(huì)采用鍍金等工藝，將兩個(gè)端面的內(nèi)部電極連成一個(gè)面，這樣可以獲得較小的ESL，應(yīng)該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無感電容，結(jié)構(gòu)與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。原裝進(jìn)口電容器找巨新科。廣東國(guó)巨電容觸摸屏
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QualityFactor)和電感一樣，可以定義電容的品質(zhì)因數(shù)，也就是Q值，也就是電容的儲(chǔ)存功率與損耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值對(duì)高頻電容是比較重要的參數(shù)。自諧振頻率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在，與C一起構(gòu)成了一個(gè)諧振電路，其諧振頻率便是電容的自諧振頻率。在自諧振頻率前，電容的阻抗隨著頻率增加而變??；在自諧振頻率后，電容的阻抗隨著頻率增加而變小，就呈現(xiàn)感性；如下圖所示：圖出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W規(guī)格書二、電容的工藝與結(jié)構(gòu)根據(jù)電容公式，電容量的大小除了與電容的尺寸有關(guān)，與電介質(zhì)的介電常數(shù)(Permittivity)有關(guān)。電介質(zhì)的性能影響著電容的性能，不同的介質(zhì)適用于不同的制造工藝。常用介質(zhì)的性能對(duì)比，可以參考AVX的一篇技術(shù)文檔。AVXDielectricComparisonChart電容的制造工藝主要可以分為三大類：·薄膜電容(FilmCapacitor)·電解電容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷電容(CeramicCapacitor)1薄膜電容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在國(guó)內(nèi)通常翻譯為薄膜電容，但和ThinFilm工藝是不一樣的。為了區(qū)分，個(gè)人認(rèn)為直接翻譯為膜電容好點(diǎn)。薄膜電容是通過將兩片帶有金屬電極的塑料膜卷繞成一個(gè)圓柱形，極后封裝成型；由于其介質(zhì)通常是塑料材料。寶安區(qū)車規(guī) 電容麥克風(fēng)
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