字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)宇乘上來(lái)表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時(shí)，直流等效電路將電容視為開(kāi)路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡(jiǎn)化了電路的分析運(yùn)算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號(hào)旁路。交流耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路直流電源濾波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補(bǔ)償：針對(duì)其它元件對(duì)溫度的適應(yīng)性不夠帶來(lái)的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。計(jì)時(shí)：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時(shí)間常數(shù)，時(shí)間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧。華南風(fēng)華電容代理商公司。南山區(qū)電容廠家
不過(guò)大都是長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)源于百度圖片而聚合物鋁電解電容的封裝長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)自Murata網(wǎng)站引申閱讀：·PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?·PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?鉭電解電容(Tantalumelectrolyticcapacitors)鉭(拼音tǎn)電解電容應(yīng)用極多的應(yīng)該是利用二氧化錳做固態(tài)電解質(zhì)，主要長(zhǎng)這樣：圖片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固態(tài)鉭電解電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自Vishay技術(shù)文檔鉭電容與鋁電解電容比，在于鉭氧化物(五氧化二鉭)的介電常數(shù)比鋁氧化物(三氧化二鋁)的高不少，這樣相同的體積，鉭電容容量要比鋁電解電容的要大。鉭電容壽命較長(zhǎng)，電性能更加穩(wěn)定。鉭電容也有利用導(dǎo)電高分子聚合物(ConductivePolymer)做電解質(zhì)，結(jié)構(gòu)與上圖二氧化錳鉭電容類(lèi)似，就是將二氧化錳換成導(dǎo)電聚合物；導(dǎo)電聚合物的電導(dǎo)率比二氧化錳高，這樣ESR就會(huì)更低。另外還有濕式的鉭電容，特點(diǎn)就是超大容量、高耐壓、低直流漏電流，主要用于**和航天領(lǐng)域。寶安區(qū)高壓電容廠家華科電容代理商巨新科。
關(guān)鍵字：薄膜電容，電解電容，陶瓷電容，鋁電解電容，鉭電容，安規(guī)電容之前的文章中，介紹了電感的一些知識(shí)。本文將談?wù)勲娙?，介紹電容的知識(shí)和如何選型。電容的基本原理和電感、電阻一起，是電子學(xué)三大基本無(wú)源器件；電容的功能就是以電場(chǎng)能的形式儲(chǔ)存電能量。以平行板電容器為例，簡(jiǎn)單介紹下電容的基本原理如上圖所示，在兩塊距離較近、相互平行的金屬平板上(平板之間為電介質(zhì))加載一個(gè)直流電壓；穩(wěn)定后，與電壓正極相連的金屬平板將呈現(xiàn)一定量的正電荷，而與電壓負(fù)極相連的金屬平板將呈現(xiàn)相等量的負(fù)電荷；這樣，兩個(gè)金屬平板之間就會(huì)形成一個(gè)靜電場(chǎng)，所以電容是以電場(chǎng)能的形式儲(chǔ)存電能量，儲(chǔ)存的電荷量為Q。電容儲(chǔ)存的電荷量Q與電壓U和自身屬性(也就是電容值C)有關(guān)，也就是Q=U*C。根據(jù)理論推導(dǎo)，平行板電容器的電容公式如下：理想電容內(nèi)部是介質(zhì)(Dielectric)，沒(méi)有自由電荷，不可能產(chǎn)生電荷移動(dòng)也就是電流，那么理想電容是如何通交流的呢？通交流電壓可以在電容內(nèi)部形成一個(gè)電場(chǎng)，而交流電壓就會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。根據(jù)麥克斯韋方程組中的全電流定律：即電流或變化的電場(chǎng)都可以產(chǎn)生磁場(chǎng)，麥克斯韋將ε(?E/?t)定義為位移電流，是一個(gè)等效電流，表示著電場(chǎng)的變化。。
其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：鋁電解電容的制作工藝大致有如下幾步：·首先，鋁箔會(huì)通過(guò)電蝕刻(Etching)的方式，形成一個(gè)非常粗糙的表面，這樣增大了電極的表面積，可以增大電容量；·再通過(guò)化學(xué)方法將陽(yáng)極氧化，形成一個(gè)氧化層，作為介質(zhì)；·然后，在陽(yáng)極鋁箔和陰極鋁箔之間加一層電解紙作為隔離，壓合繞制；·極后，加注電解液，電解紙會(huì)吸收電解液，封裝成型。使用電解液的濕式鋁電解電容應(yīng)用極廣；優(yōu)點(diǎn)就是電容量大、額定電壓高、便宜；缺點(diǎn)也很明顯，就是壽命較短、溫度特性不好、ESR和ESL較大。對(duì)于硬件開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō)，需要避免過(guò)設(shè)計(jì)，在滿足性能要求的情況下，便宜就是極大的優(yōu)勢(shì)。下圖是基美(Kemet)的鋁電解電容產(chǎn)品，大致可以看出鋁電解電容的特點(diǎn)。原圖截圖于KEMET網(wǎng)站鋁電解電容也有使用二氧化錳、導(dǎo)電高分子聚合物等固態(tài)材料做電解質(zhì)；聚合物鋁電解電容的結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自PolymerAluminumElectrolyticCapacitors-Murata聚合物鋁電解電容的ESR較小，容值更穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)好；由于是固態(tài)，抗沖擊振動(dòng)能力比濕式的要好；可以做出較小的SMD封裝。當(dāng)然，濕式的鋁電解電容也可以做SMD封裝。華科電容原裝現(xiàn)貨就找巨新科。
在許多電子產(chǎn)品中，電容器是必不可少的電子元件，它在電路中的功能是整流器的平滑濾波、退耦、交流信號(hào)的旁路、交直流電路的交流耦合等等。電容器的類(lèi)型和結(jié)構(gòu)種類(lèi)比較多，小伙伴們使用時(shí)，不僅需要了解各類(lèi)電容器的性能指標(biāo)和一般特性，而且還必須了解在給定用途下的優(yōu)缺點(diǎn)、機(jī)械或環(huán)境的限制條件等。電容定義：電容是表征電容器容納電荷多少的物理量。電容的符號(hào)是C。公式：在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F，常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)(皮法又稱微微法)等。各單位的換算關(guān)系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)。一個(gè)電容器，如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法，電容是電容器的固有參數(shù)。對(duì)于平板電容器：ε是一個(gè)常數(shù)，S為電容極板的正對(duì)面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量。電容符號(hào)：電容是一種儲(chǔ)能元件,儲(chǔ)存的電場(chǎng)能量為：電容串聯(lián)電路分析：串聯(lián)后的等效電容容量倒數(shù)等于各個(gè)電容容量倒數(shù)之和;串聯(lián)后的各個(gè)電容的電荷量相等；串聯(lián)后的耐壓等于各個(gè)電容電壓之和。電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個(gè)電容容量之和。華南華科電容代理商公司。南山區(qū)電解電容公司
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并聯(lián)后的各個(gè)電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個(gè)電容電壓。電容器的類(lèi)型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類(lèi)型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類(lèi)；按照介質(zhì)類(lèi)型可分為無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類(lèi)。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會(huì)經(jīng)常看到陶瓷電容。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級(jí)別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價(jià)格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點(diǎn)：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。南山區(qū)電容廠家
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