+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí)，根據(jù)用途選取。額定電壓在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的長(zhǎng)久損壞。電容器應(yīng)用在高壓場(chǎng)合時(shí)，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號(hào)外，還會(huì)導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動(dòng)條件下，電暈特別容易發(fā)生。對(duì)于所有的電容器，在使用中應(yīng)保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過(guò)直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。華強(qiáng)北國(guó)巨正規(guī)代理商。廣東瓷片電容觸摸屏
Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設(shè)計(jì)的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒(méi)有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫(huà)或弄出來(lái)的，剩下一點(diǎn)點(diǎn)可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨(dú)石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過(guò)多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較先進(jìn)，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，AVX有Accu-P?系列。龍崗區(qū)瓷片電容麥克風(fēng)華南風(fēng)華電容代理商公司。
各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。在直流電場(chǎng)的作用下。電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。損耗角正切：在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無(wú)功功率。在實(shí)際應(yīng)用中，電容器并不是一個(gè)純電容，其內(nèi)部還有等效電阻。C為電容器的實(shí)際電容量，Rs是電容器的串聯(lián)等效電阻，Rp是介質(zhì)的絕緣電阻，Ro是介質(zhì)的吸收等效電阻。對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，要求Rs愈小愈好，也就是說(shuō)要求損耗功率小，其與電容的功率的夾角δ要小。這個(gè)關(guān)系用下式來(lái)表達(dá)：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)注意選擇這個(gè)參數(shù)，避免自身發(fā)熱過(guò)大，以減少設(shè)備的失效性。頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。電容器的識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如9μF/450V22μF/50V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或用數(shù)字表示。
還可以做延時(shí)電路，極常見(jiàn)的就是上電延時(shí)復(fù)位；一些定時(shí)芯片如NE556，可以產(chǎn)生三角波?！ぶC振源：與電感一起組成LC諧振電路，產(chǎn)生固定頻率的信號(hào)。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性，電容還可以用作：電源去耦電源去耦應(yīng)該是電容極大范圍的應(yīng)用，各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容，目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。在DCDC電路中，需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來(lái)降低電壓紋波。需要計(jì)算出相關(guān)參數(shù)。像IC工作時(shí)，不同時(shí)刻需要的工作電流是不一樣的，因此，也需要大量的去耦電容，來(lái)保證工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設(shè)計(jì)電路時(shí)，有些情況下，只希望傳遞交流信號(hào)，不希望傳遞直流信號(hào)，這時(shí)候可以使用串聯(lián)電容來(lái)耦合信號(hào)。例如多級(jí)放大器，為了防止直流偏置相互影響，靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算復(fù)雜，通常級(jí)間使用電容耦合，這樣每一級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)可以單獨(dú)分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號(hào)，通常也使用電容進(jìn)行交流耦合。旁路濾波顧名思義就是將不需要的交流信號(hào)導(dǎo)入大地。濾波其實(shí)也是一個(gè)意思。在微波射頻電路中，各種濾波器的設(shè)計(jì)都需要使用電容。此外，像EMC設(shè)計(jì)，對(duì)于接口處的LED燈，都會(huì)在信號(hào)線上加一顆濾波電容，這樣可以提高ESD測(cè)試時(shí)的可靠性。風(fēng)華車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。
電容器是一種能儲(chǔ)存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器鋁電解電容選型要點(diǎn)電容的容量和額定工作電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個(gè)參數(shù)是選用電容基本的內(nèi)容。在實(shí)際電容選型中，對(duì)電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會(huì)上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時(shí)間也會(huì)越長(zhǎng)。電容的額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長(zhǎng)期能承受的大直流電壓。在交流電路中，要注意所加的交流電壓大值不能超過(guò)電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實(shí)際要承受的電壓不能超過(guò)它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的。另外還要注意的一個(gè)問(wèn)題是工作電壓裕量的問(wèn)題，一般來(lái)說(shuō)要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。雖然說(shuō)，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時(shí)間不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。國(guó)巨電容一級(jí)代理商。寶安區(qū)Y電容廠家
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耐高溫耐濕性好等。比較大的缺點(diǎn)是溫度系數(shù)很高，做振蕩器的穩(wěn)漂讓人受不了。就溫漂而言：獨(dú)石電容為正溫糸數(shù)+130左右，CBB為負(fù)溫系數(shù)-230，用適當(dāng)比例并聯(lián)使用，可使溫漂降到很小.就價(jià)格而言：鉭、鈮電容**貴，獨(dú)石,CBB較便宜，瓷片電容比較低。但是有些高頻零溫漂黑點(diǎn)瓷片稍貴，云母電容Q值較高，也比較貴。電容器的標(biāo)稱參數(shù)主要參數(shù)：標(biāo)稱容量以及允許偏差。目前我國(guó)采用的固定式標(biāo)稱容量系列是：E24，E12,E6系列。他們分別使用的允許偏差是+-5%+-10%+-20%。標(biāo)稱電容量和允許偏差標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。云母和陶瓷介質(zhì)電容器的電容量較低(大約在5000pF以下)；紙、塑料和一些陶瓷介質(zhì)形式的電容量居中；通常電解電容器的容量較大。電容的標(biāo)稱值分為E24、E12、E6三個(gè)系列：E6系列為**常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值為、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值為、、、、、、、、、、、；E6系列的取值為、、、、、。電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-。廣東瓷片電容觸摸屏
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