深圳瓷片電容哪里買

    但不能和雙電層電容相比）。價(jià)格低廉。比其它種類電容，在價(jià)格上具有壓倒性優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠浣M成材料都是普通的工業(yè)材料。制造電解電容的設(shè)備也都是普通的工業(yè)設(shè)備，可以大規(guī)模生產(chǎn)，成本相對(duì)比較低。新型的電解電容發(fā)展的非?？?，某些產(chǎn)品的性能已達(dá)到無機(jī)電容器的水準(zhǔn)，電解電容正在替換某些無機(jī)和有機(jī)介質(zhì)電容器。電解電容的使用范圍相當(dāng)，基本上，有電源的設(shè)備都會(huì)使用到電解電容。電解電容的分類，傳統(tǒng)的方法都是按陽極材質(zhì)，比如說鋁或者鉭。所以，電解電容按陽極分，為以下幾種：鋁電解電容（CL）電容量：0。47--10000μ額定電壓：主要特點(diǎn)：體積小，容量大，損耗大，漏電大。應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等不管是SMT貼片工藝的（“貼片電容”，識(shí)別方式是底坐有黑色橡膠），還是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它們的陽極材質(zhì)是鋁，那么他們就都叫做鋁電解電容。電容的封裝方式和電容的品質(zhì)本身并無直接聯(lián)系，電容的性能只取決于具體型號(hào)鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）電容量：0。1--1000μ額定電壓：6。3--125V主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電解電容。應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電解電容陽極由鉭構(gòu)成，就是那種我們?cè)陲@卡上見到的黃色或黑色小顆粒。東莞國巨電容代理商公司。深圳瓷片電容哪里買

    它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時(shí)，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡(jiǎn)化了電路的分析運(yùn)算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號(hào)旁路。交流耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過并傳輸?shù)较乱患?jí)電路直流電源濾波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補(bǔ)償：針對(duì)其它元件對(duì)溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。計(jì)時(shí)：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時(shí)間常數(shù)，時(shí)間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)。儲(chǔ)能：比如超級(jí)電容器，儲(chǔ)存電能，用于必須要的時(shí)候釋放。例如相機(jī)閃光燈，加熱設(shè)備等等。超級(jí)電容器。鹽田區(qū)電解電容質(zhì)量好的華科電容原裝現(xiàn)貨找巨新科。

    性能可以差距很大，總之陽極對(duì)于電容性能的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于陰極。可變電容器空氣介質(zhì)可變電容器可變電容量：100--1500p主要特點(diǎn)是損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長(zhǎng)式、直線頻率式及對(duì)數(shù)式等。應(yīng)用：電子儀器，廣播電視設(shè)備等薄膜介質(zhì)可變電容器可變電容量：15--550p主要特點(diǎn)：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大。應(yīng)用：通訊，廣播接收機(jī)等薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：1--29p主要特點(diǎn)：損耗較大，體積小應(yīng)用：收錄機(jī)，電子儀器等電路作電路補(bǔ)償陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：主要特點(diǎn)：損耗較小，體積較小應(yīng)用于精密調(diào)諧的高頻振蕩回路獨(dú)石電容容量范圍：ΜF(xiàn)耐壓：二倍額定電壓。應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。獨(dú)石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。簡(jiǎn)單的平行板電容器是由一個(gè)絕緣的中間介質(zhì)層加外兩個(gè)導(dǎo)電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。它是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。獨(dú)石電容的特點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設(shè)計(jì)的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫或弄出來的，剩下一點(diǎn)點(diǎn)可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨(dú)石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較先進(jìn)，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，AVX有Accu-P?系列。國巨電容代理商巨新科。

    也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖來自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡(jiǎn)單，電極方便引出，可以應(yīng)用于大電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個(gè)很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場(chǎng)合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復(fù)的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點(diǎn)，會(huì)在損壞處產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，氣化金屬在損壞處將形成一個(gè)氣化集中面，短路消失，損壞點(diǎn)被修復(fù)；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無感繞法在繞制后，會(huì)采用鍍金等工藝，將兩個(gè)端面的內(nèi)部電極連成一個(gè)面，這樣可以獲得較小的ESL，應(yīng)該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無感電容，結(jié)構(gòu)與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。華南國巨電容代理商公司。福田區(qū)電容

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    有電感、電容等所有系列的產(chǎn)品及相關(guān)參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應(yīng)用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關(guān)注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對(duì)比。圖片來自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場(chǎng)合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號(hào)旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關(guān)特性曲線：圖片來自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時(shí)。深圳瓷片電容哪里買

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