該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)該良好對比的結(jié)果對該良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計表；步驟s704,獲取發(fā)光二極管的電流值，依據(jù)該第二壓差值和該電流值，調(diào)用預(yù)存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比，第二校準數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表，在該第二對比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報警信息。通過上述步驟s702至s704，發(fā)光二極管11出廠工作后，微控制器15自主控制該發(fā)光二極管11的電流。樂山二極管找巨新科。無錫發(fā)光二極管專賣店
所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變，從而將其鉗位到步進電壓處。本發(fā)明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調(diào)節(jié)，為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟，四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定，pmos管的閾值電壓vth接近1v，所以負電源電壓vne可以設(shè)置為-1v。可見本發(fā)明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實施例中，一運算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路，二運算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路，電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進電壓和0v處。為了精簡電路，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運算放大器和二運算放大器可以采用相同的結(jié)構(gòu)，如均采用折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)或其他類型的運放結(jié)構(gòu)。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)形式，本實施例以一運算放大器為例進行說明。上海激光二極管哪家公司好捷捷微二極管原廠渠道。
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測能力，被廣泛應(yīng)用于單光子探測技術(shù)。單光子探測技術(shù)可被用于光子測距、**、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高，單光子探測技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測的一致性成為重要指標。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān)，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。
TVS瞬態(tài)抑制二極管的作用：實際應(yīng)用中TVS二極管是反向并聯(lián)在電路中，當二極管兩端瞬間通過高能量的沖擊時，二極管能夠在極短的時間內(nèi)由關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通狀態(tài)，瞬間將電路中高能量沖擊吸收，并且將后端電路電壓鉗位在固定的電壓值上，從而到達保護后端電路的作用?，F(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：現(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：電器特征參數(shù)定義Ppp（Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率）VRM（Stand-off反向工作電壓/隔離電壓/反向關(guān)斷電壓）VBR（Breakdownvoltage擊穿電壓）VCL(Clampingvoltage鉗位電壓)IRM（Leakagecurrent泄露電流）IPP（Peakpulsecurrent峰值脈沖電流）VF(Forwardvoltagedrop正向壓降)特征參數(shù)：器件特性：Ppp（Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率）600W（10/1000us）4Kw（8/20us）(參數(shù)解釋：10/1000us和8/20us為兩種不同的浪涌測試波形，兩種波形能量不一樣。8/20uS是雷擊浪涌的一種波形，10/1000us也是浪涌的一種波形，10us表示沖擊脈沖到達90%電流峰值的時間,而1000us表示從電流峰值到半峰值的時間。)反向工作電壓：Vs5V-188V低泄漏電流：--μAat25°C--1μAat85°C。樂山大功率二極管原裝現(xiàn)貨。
三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電，二電流鏡單元鏡像的電流在一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時能夠使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達到0v大小。具體過程為：像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中通過運放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v，將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進電壓，步進電壓的大小即為設(shè)置的基準電壓vref的電壓值。當一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時，鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像，鏡像過來的電流流經(jīng)像素內(nèi)的三電阻r3上，從而改變五pmos管mp5的柵極電壓，進而將浮動地點的電壓鉗位到0v，因為0v對浮動地點的電壓步進沒有影響，所以該電流通路一直保持開啟，隨后調(diào)整一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3來調(diào)節(jié)比例電流鏡產(chǎn)生的電流繼而調(diào)節(jié)浮動地的電壓為步進電壓的整數(shù)倍大小。鉗位到步進電壓的偏置電流通過一pmos管mp1被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的三個寬長比同一pmos管mp1的寬長比比值為1:2:4的pmos管鏡像，鏡像的電流大小分別為1:2:4，鏡像的三條電流通路都匯集到三電阻r3上，每個pmos管下都有開關(guān)控制該條通路的導(dǎo)通與關(guān)斷。東莞樂山二極管代理商公司。無錫進口二極管專賣店
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可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進行復(fù)制，如當只有一開關(guān)s1閉合時一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:1的比例進行復(fù)制，當一開關(guān)s1和二開關(guān)s2同時閉合時一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:3的比例進行復(fù)制，當一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都閉合時一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:7的比例進行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開關(guān)組合實現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實現(xiàn)形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，其源極連接電源電壓，其漏極連接二電流鏡單元的輸出端。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊中三電阻r3和五pmos管mp5分別與像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中的一電阻r1和二pmos管mp2、二電阻r2和四pmos管mp4鉗位對稱，再利用一電流鏡單元和二電流鏡單元鏡像的電流，可以控制五pmos管mp5的源極處產(chǎn)生的浮動地電壓大小。本實施例中一pmos管mp1柵極引出一電流鏡單元偏置電壓為一電流鏡單元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供電，比例電流鏡結(jié)構(gòu)按不同比例鏡像一pmos管mp1的電流使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達到步進電壓的整數(shù)倍大小。無錫發(fā)光二極管專賣店
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