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來源: 發(fā)布時間:2022-08-31

    ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)10.實施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)11.實施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)12.實施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:40重量%,磷光摻雜劑:%)13.實施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%。樂山二極管找巨新科。遼寧強茂二極管銷售

    五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負電源電壓vne,其漏極連接負電源電壓vne,其源極輸出浮動地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動地電壓連接復位管gn的源極,復位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像,實施例中提出一種比例電流鏡結構,能夠步進調(diào)節(jié)鏡像的電流比例,如圖1所示,一電流鏡單元包括一開關s1、二開關s2、三開關s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8,其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4;六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的柵極均連接一pmos管mp1的柵極,其源極均連接電源電壓,其漏極分別通過一開關s1、二開關s2和三開關s3后連接一電流鏡單元的輸出端。本實施例中一電流鏡單元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別與一pmos管mp1構成電流鏡結構,且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4,因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別能夠按照1:1、1:2、1:4的比例鏡像一pmos管mp1的電流,結合對一開關s1、二開關s2、三開關s3的控制。無錫快恢復二極管哪里買原裝強茂二極管采購。

    其中a和b分別由式3-1和式3-2表示:[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實施方案7所述的有機發(fā)光二極管,其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4:[式4]9.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑由式5表示:[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺,其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán),以及其中n為1至3的整數(shù)。10.根據(jù)實施方案9所述的有機發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑選自式6:[式6]11.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管,其中所述發(fā)光材料層還包含基質(zhì)。12.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管,其中相對于所述基質(zhì),所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比為20%至70%,以及所述磷光摻雜劑的重量百分比為%至2%。13.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管,其中所述基質(zhì)由式7-1或式7-2表示,[式7-1][式7-2]其中在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基,其中在式7-1和式7-2中,y為o或s,以及其中在式7-1和式7-2中。

    利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓,利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生像素內(nèi)的偏置電流;在像素內(nèi)利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生的偏置電流,一電流鏡單元通過數(shù)字開關控制像素內(nèi)的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例,從而實現(xiàn)雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調(diào)節(jié);通過引入負電源電壓,擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍,有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性,提升光子探測的靈敏度;提出以pmos源極,而不是ldo電路中的漏極產(chǎn)生步進電壓,具有面積小、響應速度快,電壓準確度高等優(yōu)點;像素外的運放采用折疊式共源共柵運放結構時,選擇pmos管作為輸入對管用于增大共模輸入范圍,另外將p輸入對管的襯底接到比較高電位,能夠使得輸入對管的閾值電壓因襯底偏置效應而增大。附圖說明圖1為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路的一種電路實現(xiàn)結構框圖。圖2為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路中一運算放大器在實施例中采用折疊式共源共柵運放的電路原理圖。圖3為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路在不同配置的情況下apd接口電壓的仿真波形示意圖。捷捷微車規(guī)級二極管原裝現(xiàn)貨。

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進電壓處。本發(fā)明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調(diào)節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時,四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負電源電壓vne可以設置為-1v。可見本發(fā)明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實施例中,一運算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設置有一電平位移電路,二運算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進電壓和0v處。為了精簡電路,像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運算放大器和二運算放大器可以采用相同的結構,如均采用折疊式共源共柵運放結構或其他類型的運放結構。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運放結構的實現(xiàn)形式,本實施例以一運算放大器為例進行說明。捷捷微二極管原裝現(xiàn)貨。東莞panjit二極管質(zhì)量好的

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    柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無機絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導體層322的兩側的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側以與柵極電極330間隔開。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過柵極絕緣層324。或者,當柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時,接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過層間絕緣層332。在層間絕緣層332上形成有由導電材料(例如金屬)形成的源電極340和漏電極342。源電極340和漏電極342相對于柵極電極330彼此間隔開,并且分別通過接觸孔334和第二接觸孔336接觸半導體層322的兩側。半導體層322、柵極電極330、源電極340和漏電極342構成tfttr。tfttr用作驅動元件。在tfttr中,柵極電極330、源電極340和漏電極342被定位在半導體層322上方。即,tfttr具有共面結構。或者,在tfttr中,柵極電極可以被定位在半導體層下方,并且源電極和漏電極可以被定位在半導體層上方,使得tfttr可以具有倒置交錯結構。遼寧強茂二極管銷售

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