廣州發(fā)光二極管穩(wěn)壓

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-31

    r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,m為2至5的整數(shù),n為1至3的整數(shù),以及m+n小于或等于6。例如,延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中,r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如,式3的延遲熒光摻雜劑152可以選自式4。[式4]磷光摻雜劑154可以由式5表示。[式5]在式5中,r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺,以及r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合形成稠合的c6-c30芳族環(huán)。此外,n為1至3的整數(shù)。例如,磷光摻雜劑154可以選自式6。[式6]相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。例如,磷光摻雜劑154相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約%至%,并且推薦約%至%。盡管未示出,但eml150還包含基質(zhì)。在eml150中。強(qiáng)茂穩(wěn)壓二極管原裝現(xiàn)貨。廣州發(fā)光二極管穩(wěn)壓

    第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示,第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5%。例如,第二磷光摻雜劑564相對(duì)于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約%至%,推薦地約%至%的范圍內(nèi)。盡管未示出,但是第三eml560還可以包含基質(zhì)?;|(zhì)可以在第三eml560中具有約50%至80%的重量百分比,并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間,第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分570之間。即,發(fā)光部分530和第二發(fā)光部分550通過cgl580彼此連接,第二發(fā)光部分550和第三發(fā)光部分570通過第二cgl590彼此連接。cgl580和第二cgl590各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl580包括n型cgl582和p型cgl584,第二cgl590包括n型cgl592和p型cgl594。在cgl580中,n型cgl582被定位在etl536與第二htl552之間,p型cgl584被定位在n型cgl582與第二htl552之間。在第二cgl590中,n型cgl592被定位在第二etl554與第三htl572之間,p型cgl594被定位在n型cgl592與第三htl572之間。在oledd4中。南京貼片二極管穩(wěn)壓東莞樂山二極管代理商公司。

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進(jìn)電壓處。本發(fā)明提出通過引入負(fù)電源電壓vne對(duì)apd的偏壓進(jìn)行調(diào)節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時(shí),四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個(gè)閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負(fù)電源電壓vne可以設(shè)置為-1v。可見本發(fā)明通過引入負(fù)電源電壓vne擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實(shí)施例中,一運(yùn)算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路,二運(yùn)算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進(jìn)電壓和0v處。為了精簡(jiǎn)電路,像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運(yùn)算放大器和二運(yùn)算放大器可以采用相同的結(jié)構(gòu),如均采用折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)或其他類型的運(yùn)放結(jié)構(gòu)。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)形式,本實(shí)施例以一運(yùn)算放大器為例進(jìn)行說明。

    r2=r4,輸出的電壓vout如公式2所示:vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口,該微控制器15完成對(duì)該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個(gè)實(shí)施例中,該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式,其中,在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient,簡(jiǎn)稱為ntc)電路的情況下,溫度采集電路14使用ntc方案,ntc體積小,可以離該發(fā)光二極管11非常近,同時(shí)精度高,靈敏度高,費(fèi)用低,非常合適用來測(cè)量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低,圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖,如圖6所示,將ntc與一個(gè)高精度電阻r1串聯(lián),當(dāng)ntc阻值變化時(shí),ntc上分到的電壓也隨之改變。后面的運(yùn)放構(gòu)成一個(gè)電壓跟隨器,提高輸出信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力,減少受到干擾的可能。電路輸出電平值vout如公式3所示:vout接到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口,完成該輸出電平值的采集。微控制器15根據(jù)如下的公式4將vout轉(zhuǎn)化為ntc當(dāng)前溫度的阻值,再與該ntc廠家提供的溫度-阻值曲線圖對(duì)比,得出當(dāng)前ntc的溫度,也就是該發(fā)光二極管11當(dāng)前的工作溫度。上述溫度采集電路14。深圳捷捷微二極管代理商公司。

    所述像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器、二運(yùn)算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一電阻、二電阻、一電流源和二電流源,一運(yùn)算放大器的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓,其反相輸入端連接二pmos管的源極和一電流源,其輸出端連接一pmos管的柵極;一pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接二pmos管的柵極并通過一電阻后連接負(fù)電源電壓;二運(yùn)算放大器的正相輸入端接地,其反相輸入端連接四pmos管的源極和二電流源,其輸出端連接三pmos管的柵極;三pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接四pmos管的柵極并通過二電阻后連接負(fù)電源電壓;二pmos管和四pmos管的漏極連接負(fù)電源電壓;所述像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻和五pmos管,所述一電流鏡單元用于將流過一pmos管的電流按比例鏡像,所述二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管的電流;五pmos管的柵極連接所述一電流鏡單元的輸出端和所述二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻后連接負(fù)電源電壓,其漏極連接負(fù)電源電壓,其源極輸出浮動(dòng)地電壓作為所述雪崩光電二極管的偏置電壓。具體的,所述一電流鏡單元包括一開關(guān)、二開關(guān)、三開關(guān)、六pmos管、七pmos管和八pmos管。深圳強(qiáng)茂二極管代理商公司。潮州激光二極管哪家公司好

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    基質(zhì)的重量百分比為約50%至80%。相對(duì)于基質(zhì),延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約20%至70%,磷光摻雜劑154的重量百分比可以為約%至2%。基質(zhì)可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中,y為o或s。在式7-1和式7-2中,r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。例如,基質(zhì)可以選自式8。[式8]有機(jī)發(fā)光層140還包括在電極120與eml150之間的空穴傳輸層(htl)164、在電極120與htl164之間的空穴注入層(hil)162、在eml150與第二電極130之間的電子傳輸層(etl)174和在etl174與第二電極130之間的電子注入層(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外,有機(jī)發(fā)光層140還可以包括在htl164與eml150之間的電子阻擋層(ebl)166和在eml150與etl174之間的空穴阻擋層(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含發(fā)射綠色光的延遲熒光摻雜劑152和具有比延遲熒光摻雜劑152更小的重量百分比并發(fā)射紅色光的磷光摻雜劑154,使得發(fā)射綠色波長(zhǎng)范圍的光和紅色波長(zhǎng)范圍的光二者。即,在oledd1中。廣州發(fā)光二極管穩(wěn)壓

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