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    并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘撸梢詫碜詏ledd2的光設(shè)置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接?；蛘撸梢詫⒌诙姌O230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍(lán)色像素中的藍(lán)色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp提供紅色光、綠色光和藍(lán)色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的顯示裝置300?；蛘?，也將oledd2用于照明裝置。圖7是根據(jù)本公開內(nèi)容的第三實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖7所示，oledd3包括電極410、第二電極412、在電極410與第二電極412之間的有機(jī)發(fā)光層414。有機(jī)發(fā)光層414包括：發(fā)光部分430，發(fā)光部分430包括eml420；第二發(fā)光部分450，第二發(fā)光部分450包括第二eml440；和第三發(fā)光部分470，第三發(fā)光部分470包括第三eml460；在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間的cgl480；以及在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間的第二cgl490。電極410為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。強(qiáng)茂二極管一級(jí)代理商?；葜葙N片二極管哪里買

    背景技術(shù)：：隨著對(duì)占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結(jié)合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光?？梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A(chǔ)基板。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運(yùn)行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運(yùn)行。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機(jī)發(fā)光層。為了改善發(fā)光效率，有機(jī)發(fā)光層可以包括順序堆疊在電極上的選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、發(fā)光材料層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一個(gè)或更多個(gè)層。來自電極的空穴通過hil和htl被提供到eml中，以及來自第二電極的電子通過eil和etl被提供到eml中。空穴和電子在eml中結(jié)合生成激子。激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)，使得從oled中發(fā)射光。另一方面，在照明裝置和/或顯示裝置中使用白色oled(w-oled)。例如。杭州二極管代理商華強(qiáng)北捷捷微正規(guī)代理商。

    r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如，式3的延遲熒光摻雜劑152可以選自式4。[式4]磷光摻雜劑154可以由式5表示。[式5]在式5中，r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合形成稠合的c6-c30芳族環(huán)。此外，n為1至3的整數(shù)。例如，磷光摻雜劑154可以選自式6。[式6]相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑154相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約％至％，并且推薦約％至％。盡管未示出，但eml150還包含基質(zhì)。在eml150中。

    附圖說明此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一；圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖；圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的運(yùn)放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實(shí)施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不矛盾的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一，如圖1所示，該系統(tǒng)包括：發(fā)光二極管11、驅(qū)動(dòng)板12、電壓采集電路13、溫度采集電路14和微控制器15；該溫度采集電路14獲取該發(fā)光二極管11良好溫度值，并發(fā)送給該微控制器15；該電壓采集電路14獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。華南捷捷微二極管代理商公司。

    所述有機(jī)發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在電極與第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在基板與有機(jī)發(fā)光二極管之間并與有機(jī)發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中磷光摻雜劑相對(duì)于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，照明裝置包括：基板；和有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置電極與第二電極之間的發(fā)光材料層，其中磷光摻雜劑相對(duì)于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑相對(duì)于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于約％、或者等于或小于約％。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，磷光摻雜劑相對(duì)于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或大于約％、或者等于或大于約％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光顯示裝置或照明裝置的fwhm在可見光范圍內(nèi)或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范圍內(nèi)等于或大于約55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根據(jù)本發(fā)明的一方面。捷捷微整流二極管原裝現(xiàn)貨。杭州品牌二極管銷售

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    本實(shí)施例提出的折疊式共源共柵運(yùn)放以pmos管作為輸入對(duì)管，其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端，十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對(duì)主要是出于對(duì)共模輸入范圍的考慮。因?yàn)樵撨\(yùn)放需鉗位步進(jìn)電壓和0v的電壓，倘若使用nmos管作為輸入對(duì)，為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區(qū)，則nmos輸入對(duì)的源端電壓應(yīng)該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅(qū)動(dòng)電壓，共模輸入范圍比較低點(diǎn)vgs9+vov13，vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓，vov13為三nmos管m13的過驅(qū)電壓。不妨假設(shè)vov13＝，nmos的閾值電壓vth＝，步進(jìn)電壓為，很明顯其共模輸入范圍比較低點(diǎn)為，，因此不能使用nmos輸入對(duì)。此外，當(dāng)使用pmos輸入對(duì)管時(shí)，其漏端電壓的大小也應(yīng)該滿足三nmos管m13(四nmos管m14)處于飽和區(qū)對(duì)于三nmos管m13(m14)的vds的要求。為了保證輸入對(duì)管處于飽和區(qū)，柵漏之間的電壓差應(yīng)該小于p管的閾值電壓，所以當(dāng)對(duì)管的漏極電壓不變時(shí)，閾值電壓越大，輸入電壓所能到達(dá)的比較低電壓就會(huì)越小，也即其共模輸入范圍越大。所以本發(fā)明創(chuàng)新地采用了將p輸入對(duì)管的襯底接到比較高電位，輸入對(duì)管的閾值電壓會(huì)因襯底偏置效應(yīng)而增大?；葜葙N片二極管哪里買

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