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來源: 發(fā)布時間:2022-08-24

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進(jìn)電壓處。本發(fā)明提出通過引入負(fù)電源電壓vne對apd的偏壓進(jìn)行調(diào)節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時,四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負(fù)電源電壓vne可以設(shè)置為-1v??梢姳景l(fā)明通過引入負(fù)電源電壓vne擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實施例中,一運(yùn)算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路,二運(yùn)算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進(jìn)電壓和0v處。為了精簡電路,像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運(yùn)算放大器和二運(yùn)算放大器可以采用相同的結(jié)構(gòu),如均采用折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)或其他類型的運(yùn)放結(jié)構(gòu)。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)形式,本實施例以一運(yùn)算放大器為例進(jìn)行說明。強(qiáng)茂開關(guān)二極管原裝現(xiàn)貨。東莞樂山無線電二極管哪里買

    陣列探測器的性能受到嚴(yán)重影響,制約其陣列規(guī)模。目前,可通過調(diào)節(jié)apd偏置電壓的方法來提高陣列探測器性能的均勻性。傳統(tǒng)方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數(shù)模轉(zhuǎn)換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的調(diào)節(jié)方式來調(diào)節(jié)apd的偏置電壓,即dac產(chǎn)生同時調(diào)節(jié)數(shù)個像素的基準(zhǔn)電壓作為ldo中誤差放大器的輸入,隨后ldo結(jié)構(gòu)根據(jù)dac提供的基準(zhǔn)電壓來實現(xiàn)apd偏置電壓的調(diào)節(jié)。但是這種調(diào)節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實現(xiàn)單個像素的調(diào)節(jié),此外ldo有限的帶寬較難實現(xiàn)apd快速充放電過程中的電壓穩(wěn)定性。技術(shù)實現(xiàn)要素:針對傳統(tǒng)apd偏置電壓調(diào)節(jié)方式中存在的面積大、不能實現(xiàn)單個像素的調(diào)節(jié)、電壓穩(wěn)定性不高等不足之處,本發(fā)明提出一種調(diào)節(jié)雪崩光電二極管apd偏置電壓的方法,基于負(fù)壓進(jìn)行調(diào)節(jié),擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍,且能夠?qū)崿F(xiàn)逐像素可調(diào)的apd充電置位電壓,有利于提升apd陣列的探測靈敏度,且具有面積小、響應(yīng)速度快、電壓準(zhǔn)確度高等優(yōu)點。本發(fā)明的技術(shù)方案為:基于負(fù)壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路,包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊。強(qiáng)茂二極管代理強(qiáng)茂二極管原廠渠道。

    所述像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器、二運(yùn)算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一電阻、二電阻、一電流源和二電流源,一運(yùn)算放大器的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓,其反相輸入端連接二pmos管的源極和一電流源,其輸出端連接一pmos管的柵極;一pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接二pmos管的柵極并通過一電阻后連接負(fù)電源電壓;二運(yùn)算放大器的正相輸入端接地,其反相輸入端連接四pmos管的源極和二電流源,其輸出端連接三pmos管的柵極;三pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接四pmos管的柵極并通過二電阻后連接負(fù)電源電壓;二pmos管和四pmos管的漏極連接負(fù)電源電壓;所述像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻和五pmos管,所述一電流鏡單元用于將流過一pmos管的電流按比例鏡像,所述二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管的電流;五pmos管的柵極連接所述一電流鏡單元的輸出端和所述二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻后連接負(fù)電源電壓,其漏極連接負(fù)電源電壓,其源極輸出浮動地電壓作為所述雪崩光電二極管的偏置電壓。具體的,所述一電流鏡單元包括一開關(guān)、二開關(guān)、三開關(guān)、六pmos管、七pmos管和八pmos管。

    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間,第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍(lán)色摻雜劑542。藍(lán)色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長范圍。例如,藍(lán)色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出,但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì),藍(lán)色摻雜劑542的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。第三發(fā)光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590與第三eml560之間,第三etl574被定位在第三eml560與第二電極512之間。此外,eil576被定位在第三etl574與第二電極512之間。第三eml560包含第二延遲熒光摻雜劑562和第二磷光摻雜劑564。第二延遲熒光摻雜劑562具有發(fā)射波長范圍,第二磷光摻雜劑564具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如,發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍,第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。樂山肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。

    基質(zhì)的重量百分比為約50%至80%。相對于基質(zhì),延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約20%至70%,磷光摻雜劑154的重量百分比可以為約%至2%。基質(zhì)可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中,y為o或s。在式7-1和式7-2中,r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。例如,基質(zhì)可以選自式8。[式8]有機(jī)發(fā)光層140還包括在電極120與eml150之間的空穴傳輸層(htl)164、在電極120與htl164之間的空穴注入層(hil)162、在eml150與第二電極130之間的電子傳輸層(etl)174和在etl174與第二電極130之間的電子注入層(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外,有機(jī)發(fā)光層140還可以包括在htl164與eml150之間的電子阻擋層(ebl)166和在eml150與etl174之間的空穴阻擋層(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含發(fā)射綠色光的延遲熒光摻雜劑152和具有比延遲熒光摻雜劑152更小的重量百分比并發(fā)射紅色光的磷光摻雜劑154,使得發(fā)射綠色波長范圍的光和紅色波長范圍的光二者。即,在oledd1中。華南捷捷微二極管代理商公司。南京肖特基 二極管廠家

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    三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電,二電流鏡單元鏡像的電流在一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時能夠使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到0v大小。具體過程為:像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中通過運(yùn)放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v,將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進(jìn)電壓,步進(jìn)電壓的大小即為設(shè)置的基準(zhǔn)電壓vref的電壓值。當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時,鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像,鏡像過來的電流流經(jīng)像素內(nèi)的三電阻r3上,從而改變五pmos管mp5的柵極電壓,進(jìn)而將浮動地點的電壓鉗位到0v,因為0v對浮動地點的電壓步進(jìn)沒有影響,所以該電流通路一直保持開啟,隨后調(diào)整一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3來調(diào)節(jié)比例電流鏡產(chǎn)生的電流繼而調(diào)節(jié)浮動地的電壓為步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。鉗位到步進(jìn)電壓的偏置電流通過一pmos管mp1被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的三個寬長比同一pmos管mp1的寬長比比值為1:2:4的pmos管鏡像,鏡像的電流大小分別為1:2:4,鏡像的三條電流通路都匯集到三電阻r3上,每個pmos管下都有開關(guān)控制該條通路的導(dǎo)通與關(guān)斷。東莞樂山無線電二極管哪里買

深圳市巨新科電子有限公司擁有經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項目是:一般經(jīng)營項目是:投資興辦實業(yè)(具體項目另行申報);電子產(chǎn)品、電子元器件、電腦配件、電腦軟件的研發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易(不含專營、專控、專賣商品);貨物及技術(shù)進(jìn)出口: 經(jīng)營電子商務(wù);自有房屋租賃。等多項業(yè)務(wù),主營業(yè)務(wù)涵蓋二極管,電阻,電容,電感。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊,是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ),是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括:二極管,電阻,電容,電感等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨,深受客戶好評。一直以來公司堅持以客戶為中心、二極管,電阻,電容,電感市場為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。

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