無(wú)錫貼片二極管穩(wěn)壓

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-14

    圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二,如圖4所示,該系統(tǒng)還包括報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21與所述微控制器15電性連接,在所述第二對(duì)比的結(jié)果超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍的情況下,所述微控制器15發(fā)送報(bào)警信號(hào)給所述報(bào)警電路21,所述報(bào)警電路21進(jìn)行報(bào)警,該報(bào)警電路21可以為發(fā)光設(shè)備的燈光報(bào)警,也可以是發(fā)聲設(shè)備的聲音報(bào)警。在一個(gè)實(shí)施例中,該驅(qū)動(dòng)板12與該發(fā)光二極管11連接,微控制器15控制該驅(qū)動(dòng)板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小,該微控制器15可以設(shè)置一個(gè)變化的電流值范圍,驅(qū)動(dòng)板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11,該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信號(hào),依據(jù)該pwm信號(hào)和預(yù)設(shè)的最大電流值,確定該驅(qū)動(dòng)板12輸入給該發(fā)光二極管11的該電流值,確定的過(guò)程包括:輸出電流=pwm占空比*設(shè)置的最大電流,實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管11電流的精細(xì)控制。在一個(gè)實(shí)施例中,在該電壓采集電路13是運(yùn)算差分電路的情況下,通過(guò)運(yùn)算差分電路接入該發(fā)光二極管11的兩端,獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。例如,圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的運(yùn)放差分輸入電路的示意圖,如圖5所示,該發(fā)光二極管11兩端的電壓分別為v1和v2,輸出的電壓vout如公式1所示:當(dāng)r1=r3。捷捷微二極管原廠渠道。無(wú)錫貼片二極管穩(wěn)壓

    可以將流過(guò)一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制,如當(dāng)只有一開(kāi)關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1和二開(kāi)關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開(kāi)關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流,如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式,包括九pmos管mp9,九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極,其源極連接電源電壓,其漏極連接二電流鏡單元的輸出端。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊中三電阻r3和五pmos管mp5分別與像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中的一電阻r1和二pmos管mp2、二電阻r2和四pmos管mp4鉗位對(duì)稱,再利用一電流鏡單元和二電流鏡單元鏡像的電流,可以控制五pmos管mp5的源極處產(chǎn)生的浮動(dòng)地電壓大小。本實(shí)施例中一pmos管mp1柵極引出一電流鏡單元偏置電壓為一電流鏡單元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供電,比例電流鏡結(jié)構(gòu)按不同比例鏡像一pmos管mp1的電流使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。南京品牌二極管強(qiáng)茂整流二極管原裝現(xiàn)貨。

    在這種情況下,半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。盡管未示出,但是柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域,并且形成切換tft以與柵極線和數(shù)據(jù)線連接。切換tft與作為驅(qū)動(dòng)元件的tfttr連接。此外,還可以形成電力線,所述電力線可以形成為與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一者平行并間隔開(kāi);和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲(chǔ)電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr,鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨(dú)形成有電極220,電極220通過(guò)漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽(yáng)極,并且可以由具有相對(duì)高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如,電極220可以由透明導(dǎo)電材料例如ito或izo形成??梢栽陔姌O220下方形成反射電極或反射層。例如,反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。在鈍化層350上形成有堤層360以覆蓋電極220的邊緣。即,堤層360被定位在像素的邊界并且暴露像素中的電極220的中心。堤層360可以省略。在電極220上形成有有機(jī)發(fā)光層290。參照?qǐng)D5,有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250,發(fā)光部分250包括有eml240;和第二發(fā)光部分270,第二發(fā)光部分270包括有第二eml260。例如。

    附圖說(shuō)明此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一;圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖;圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖;圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二;圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的運(yùn)放差分輸入電路的示意圖;圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖;圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實(shí)施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。需要說(shuō)明的是,在不矛盾的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng),圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一,如圖1所示,該系統(tǒng)包括:發(fā)光二極管11、驅(qū)動(dòng)板12、電壓采集電路13、溫度采集電路14和微控制器15;該溫度采集電路14獲取該發(fā)光二極管11良好溫度值,并發(fā)送給該微控制器15;該電壓采集電路14獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。華強(qiáng)北強(qiáng)茂正規(guī)代理商。

    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間,第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍(lán)色摻雜劑542。藍(lán)色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長(zhǎng)范圍。例如,藍(lán)色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出,但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對(duì)于基質(zhì),藍(lán)色摻雜劑542的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。第三發(fā)光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590與第三eml560之間,第三etl574被定位在第三eml560與第二電極512之間。此外,eil576被定位在第三etl574與第二電極512之間。第三eml560包含第二延遲熒光摻雜劑562和第二磷光摻雜劑564。第二延遲熒光摻雜劑562具有發(fā)射波長(zhǎng)范圍,第二磷光摻雜劑564具有與發(fā)射波長(zhǎng)范圍不同的第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍。第二比較大發(fā)射波長(zhǎng)比比較大發(fā)射波長(zhǎng)更長(zhǎng)(更大)。例如,發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為綠色波長(zhǎng)范圍,第二發(fā)射波長(zhǎng)范圍可以為紅色波長(zhǎng)范圍。強(qiáng)茂穩(wěn)壓二極管原裝現(xiàn)貨。武漢穩(wěn)壓二極管公司

樂(lè)山車(chē)規(guī)級(jí)二極管原裝現(xiàn)貨。無(wú)錫貼片二極管穩(wěn)壓

    陣列探測(cè)器的性能受到嚴(yán)重影響,制約其陣列規(guī)模。目前,可通過(guò)調(diào)節(jié)apd偏置電壓的方法來(lái)提高陣列探測(cè)器性能的均勻性。傳統(tǒng)方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數(shù)模轉(zhuǎn)換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的調(diào)節(jié)方式來(lái)調(diào)節(jié)apd的偏置電壓,即dac產(chǎn)生同時(shí)調(diào)節(jié)數(shù)個(gè)像素的基準(zhǔn)電壓作為ldo中誤差放大器的輸入,隨后ldo結(jié)構(gòu)根據(jù)dac提供的基準(zhǔn)電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)apd偏置電壓的調(diào)節(jié)。但是這種調(diào)節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素的調(diào)節(jié),此外ldo有限的帶寬較難實(shí)現(xiàn)apd快速充放電過(guò)程中的電壓穩(wěn)定性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:針對(duì)傳統(tǒng)apd偏置電壓調(diào)節(jié)方式中存在的面積大、不能實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素的調(diào)節(jié)、電壓穩(wěn)定性不高等不足之處,本發(fā)明提出一種調(diào)節(jié)雪崩光電二極管apd偏置電壓的方法,基于負(fù)壓進(jìn)行調(diào)節(jié),擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍,且能夠?qū)崿F(xiàn)逐像素可調(diào)的apd充電置位電壓,有利于提升apd陣列的探測(cè)靈敏度,且具有面積小、響應(yīng)速度快、電壓準(zhǔn)確度高等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案為:基于負(fù)壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路,包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊。無(wú)錫貼片二極管穩(wěn)壓

深圳市巨新科電子有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。公司以誠(chéng)信為本,業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋二極管,電阻,電容,電感,我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé),對(duì)員工負(fù)責(zé),更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶為中心、二極管,電阻,電容,電感市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。

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