因為不同的陰極和不同的陽極可以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽極的電容由于電解質(zhì)的不同。性能可以差距很大，總之陽極對于電容性能的影響遠遠小于陰極。可變電容器空氣介質(zhì)可變電容器可變電容量：100--1500p主要特點是損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等。應用：電子儀器，廣播電視設(shè)備等薄膜介質(zhì)可變電容器可變電容量：15--550p主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大。應用：通訊，廣播接收機等薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：1--29p主要特點：損耗較大，體積小應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：主要特點：損耗較小，體積較小應用于精密調(diào)諧的高頻振蕩回路獨石電容容量范圍：ΜF(xiàn)耐壓：二倍額定電壓。應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。簡單的平行板電容器是由一個絕緣的中間介質(zhì)層加外兩個導電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。華科電容一級代理商。南山區(qū)瓷片電容
Page103由于ClassII和III電容的容值極高可以做到幾百uF，但由于高介電常數(shù)介質(zhì)，大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質(zhì)，在直流偏置電壓下介電常數(shù)會下降。在談?wù)勲姼幸晃闹校榻B了鐵磁性介質(zhì)存在磁滯現(xiàn)象，當內(nèi)部磁場超過一定值時，會發(fā)生磁飽和現(xiàn)象，導致磁導率下降；同樣的，對于鐵電性介質(zhì)存在電滯現(xiàn)象，當內(nèi)部電場超過一定值時，會發(fā)生電飽和現(xiàn)象，導致介電常數(shù)下降。當ClassII和III電容的直流偏置電壓超過一定值時，電容會明顯下降，如下圖所示：圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而中心是導體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了。引申閱讀：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結(jié)表原圖出自維基百科還有一類超級電容，就是容量特別大，可以替代電池作為供電設(shè)備，也可以和電池配合使用。超級電容充電速度快，可以完全地充放電，而且可以充到任何想要的電壓。薄膜電容觸摸屏國巨高壓電容原裝現(xiàn)貨。
有電感、電容等所有系列的產(chǎn)品及相關(guān)參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關(guān)注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對比。圖片來自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關(guān)特性曲線：圖片來自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時。
各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。在直流電場的作用下。電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。損耗角正切：在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。在實際應用中，電容器并不是一個純電容，其內(nèi)部還有等效電阻。C為電容器的實際電容量，Rs是電容器的串聯(lián)等效電阻，Rp是介質(zhì)的絕緣電阻，Ro是介質(zhì)的吸收等效電阻。對于電子設(shè)備來說，要求Rs愈小愈好，也就是說要求損耗功率小，其與電容的功率的夾角δ要小。這個關(guān)系用下式來表達：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在應用當中應注意選擇這個參數(shù)，避免自身發(fā)熱過大，以減少設(shè)備的失效性。頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。電容器的識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數(shù)標法3種。容量大的電容其容量值在電容上直接標明，如9μF/450V22μF/50V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或用數(shù)字表示。國巨安規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。
電容大的影響就是溫度，因為溫度越高電解液的揮發(fā)損耗越快。需要注意的是這里的溫度不是指環(huán)境或表面溫度，是指鋁箔工作溫度。廠商通常會將電容壽命和測試溫度標注在電容本體。在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān)，且與ESR也有關(guān)系。電容的容抗在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續(xù)增加達到中頻范圍時電抗降至ESR的值。當頻率達到高頻范圍時感抗變?yōu)橹鲗?，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。開關(guān)電源中的輸出濾波電解電容器，其鋸齒波電壓頻率高達數(shù)十kHz，甚至是數(shù)十MHz，這時電容量并不是其主要指標，衡量高頻鋁電解電容優(yōu)劣的標準是“阻抗-頻率”特性，要求在開關(guān)電源的工作頻率內(nèi)要有較低的等效阻抗，同時對于半導體器件工作時產(chǎn)生的高頻尖峰信號具有良好的濾波作用。因電容的工作溫度每增高10℃壽命減半，所以不要以為2000小時壽命的鋁電解電容就比1000小時的好，要注意確認壽命的測試溫度。每個廠商都有溫度和壽命的計算公式，在設(shè)計電容時要參照實際數(shù)據(jù)進行計算。需要了解的是要提高鋁電解電容的壽命，要降低工作溫度，在PCB上遠離熱源，第二考慮使用最高工作溫度高的電容。國巨電容一級代理商。龍華區(qū)國巨電容觸摸屏
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并且允許流過大量高頻脈沖電流。另外，這種電解電容器，在高溫環(huán)境下工作，工作壽命還須比較長。2承受溫度與壽命在開關(guān)電源設(shè)計過程中，不可避免地要挑選適用的電容。就100μF以上的中、大容量產(chǎn)品來說，因為鋁電解電容的價格便宜，所以，迄今使用的極為大范圍。但是,極近幾年卻發(fā)生了明顯變化，避免使用鋁電解電容的情況正在增加。出現(xiàn)這種變化的一個原因是，鋁電解電容的壽命往往會成為整個設(shè)備的薄弱環(huán)節(jié)。電源模塊制造廠家的工程師表示：“對于鋁電解電容這種壽命有限的元件，如果可以不用,就盡量不要采用。”因為鋁電解電容內(nèi)部的電解液會蒸發(fā)或產(chǎn)生化學變化，導致靜電容量減少或等效串聯(lián)電阻(ESR)增大,隨著時間的推移，電容性能肯定會劣化。電解電容器的壽命與電容器長期工作的環(huán)境溫度有直接關(guān)系，溫度越高，電容器的壽命越短。普通的電解電容器在環(huán)境溫度為90℃時已經(jīng)損壞。但是現(xiàn)在有很多種類的電解電容器的工作環(huán)境溫度已經(jīng)很高在環(huán)境溫度為90℃，通過電解電容器的交流電流和額定脈沖電流的比為，壽命仍然為10000h，但是如果溫度上升到95℃時，電解電容器即已經(jīng)損壞。因此，在選擇電容器的時候，應該根據(jù)具體的環(huán)境溫度和其它的參數(shù)指標來選定。南山區(qū)瓷片電容
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