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來源: 發(fā)布時間:2022-07-27

    五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負電源電壓vne,其漏極連接負電源電壓vne,其源極輸出浮動地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動地電壓連接復位管gn的源極,復位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像,實施例中提出一種比例電流鏡結構,能夠步進調節(jié)鏡像的電流比例,如圖1所示,一電流鏡單元包括一開關s1、二開關s2、三開關s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8,其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4;六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的柵極均連接一pmos管mp1的柵極,其源極均連接電源電壓,其漏極分別通過一開關s1、二開關s2和三開關s3后連接一電流鏡單元的輸出端。本實施例中一電流鏡單元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別與一pmos管mp1構成電流鏡結構,且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4,因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別能夠按照1:1、1:2、1:4的比例鏡像一pmos管mp1的電流,結合對一開關s1、二開關s2、三開關s3的控制。東莞捷捷微二極管代理商公司。遼寧貼片二極管質量好的

    其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4;六pmos管、七pmos管和八pmos管的柵極均連接一pmos管的柵極,其源極均連接電源電壓,其漏極分別通過一開關、二開關和三開關后連接所述一電流鏡單元的輸出端。具體的,所述二電流鏡單元包括九pmos管,九pmos管的柵極連接三pmos管的柵極,其源極連接電源電壓,其漏極連接所述二電流鏡單元的輸出端。具體的,所述一運算放大器的輸出端和一pmos管的柵極之間還設置有一電平位移電路,所述二運算放大器的輸出端和三pmos管的柵極之間還設置有二電平位移電路。具體的,所述一運算放大器和二運算放大器均采用折疊式共源共柵運放結構,所述一運算放大器包括十pmos管、十一pmos管、十二pmos管、十三pmos管、十四pmos管、十五pmos管、十六pmos管、十七pmos管、十八pmos管、十九pmos管、一nmos管、二nmos管、三nmos管、四nmos管、五nmos管、六nmos管、七nmos管、八nmos管和四電阻,其中十八pmos管和十九pmos管作為所述一運算放大器的輸入對管,其襯底均連接電源電壓;六nmos管的柵極連接七nmos管和八nmos管的柵極以及五nmos管的柵極和漏極并連接基準電流,其源極連接八nmos管的漏極。重慶快恢復二極管華南捷捷微二極管代理商公司。

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進電壓處。本發(fā)明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時,四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負電源電壓vne可以設置為-1v??梢姳景l(fā)明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調節(jié)范圍。一些實施例中,一運算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設置有一電平位移電路,二運算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進電壓和0v處。為了精簡電路,像素外偏置電壓產生模塊中一運算放大器和二運算放大器可以采用相同的結構,如均采用折疊式共源共柵運放結構或其他類型的運放結構。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運放結構的實現(xiàn)形式,本實施例以一運算放大器為例進行說明。

    其中a和b分別由式3-1和式3-2表示:[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實施方案7所述的有機發(fā)光二極管,其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4:[式4]9.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑由式5表示:[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺,其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán),以及其中n為1至3的整數(shù)。10.根據(jù)實施方案9所述的有機發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑選自式6:[式6]11.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管,其中所述發(fā)光材料層還包含基質。12.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管,其中相對于所述基質,所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比為20%至70%,以及所述磷光摻雜劑的重量百分比為%至2%。13.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管,其中所述基質由式7-1或式7-2表示,[式7-1][式7-2]其中在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基,其中在式7-1和式7-2中,y為o或s,以及其中在式7-1和式7-2中。廣東捷捷微二極管代理商公司。

    根據(jù)本發(fā)明的一方面,磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量%比(wpd/wtd)等于或小于%,并且推薦地為約%至%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,延遲熒光摻雜劑相對于基質的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示,隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加,oled的效率降低。如上所述,在本公開內容的oledd1中,eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154,并且相對于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。因此,oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開內容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示,照明裝置100包括基板110和在基板110上或在基板110上方的oledd1。oledd1包括電極120、有機發(fā)光層140和第二電極130。在圖4中,有機發(fā)光層140和第二電極130順序堆疊在電極120上?;蛘?,有機發(fā)光層140和電極120可以順序堆疊在第二電極130上。如上所述,在本公開內容的oledd1中,eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154,并且相對于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。因此,oledd1的色彩連續(xù)性得到提高,并且提供好的的照明裝置100。樂山、強茂、捷捷微二極管找巨新科。揭陽穩(wěn)壓二極管專賣店

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